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2. 发明专利

JP2018501651A 高周波用途のための構造审中-公开
公开(公告)号：JP2018501651A
公开(公告)日：2018-01-18
申请号：JP2017529767
申请日：2015-09-17
申请人：ソイテック
发明人：オレグコノンチュク , ディディエランドリュ , クリストフフィゲ
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L27/12
CPC分类号： H04B1/03 , H01L21/02167 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/28282 , H01L21/76254 , H01L21/76297 , H01L41/0477 , H01M4/663
摘要：本発明は、半導体の支持基板(2)と、支持基板(2)上に配置されたトラッピング層(3)と、を含む高周波用途のための構造(1)に関し、トラッピング層(3)は、それが予め定めた欠陥密度よりも高い欠陥密度を含むことを特徴とし、予め定めた欠陥密度は、超えるとトラッピング層(3)の電気抵抗率が[−20℃;+120℃]の温度範囲にわたって10Kohm.cm以上となる欠陥密度である。

3. 发明专利

JP2017126746A 構造の表面を平滑化するためのプロセス审中-公开
公开(公告)号：JP2017126746A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：JP2017001311
申请日：2017-01-06
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ディディエランドル , オレグコノンチュク , キャロルデーヴィッド
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/31051 , H01L21/302 , H01L21/3247 , H01L21/7624 , H01L21/76254
摘要：【課題】シリコンオンインシュレータ構造を平滑化するための新規なプロセスを提供する。【解決手段】本発明は、シリコンオンインシュレータ構造の表面を熱処理中に不活性又は還元性ガス流に、及び高温にさらすことを含むシリコンオンインシュレータ構造を平滑化するためのプロセスに関し、本プロセスは、第1の温度での、及び第1の流量によって規定される第1のガス流の下での第1の熱処理ステップを含み、本プロセスは、第1の温度よりも低い第2の温度での、及び第1の流量よりも小さい第2の流量によって規定される第2のガス流の下での第2の熱処理ステップを含むことが注目に値する。【選択図】なし

4. 发明专利

JP6980021B2 汚染物質を捕捉するための装置を備えた縦型炉有权
公开(公告)号：JP6980021B2
公开(公告)日：2021-12-15
申请号：JP2019540706
申请日：2017-09-21
申请人：ソイテック
发明人：ディディエランドリュ , オレグコノンチュク
IPC分类号： H01L21/324

5. 发明专利

JP2019512870A 半導体構造用の支持体审中-公开
公开(公告)号：JP2019512870A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2018544865
申请日：2017-02-23
申请人：ソイテック , ユニベルシテクロードベルナールリヨンプルミエ , サントルナショナルドゥラルシェルシュスィヤンティフィック(セーエヌエルエス) , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE(CNRS)
发明人：クリストフフィゲ , オレグコノンチュク , カッサムアルアサド , ガブリエルフェロー , ベロニクスリール , クリステルヴェティズー , タグヒイェゴヤン
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/205 , H01L21/02
摘要：本発明は、ベース基板(3)上の電荷トラップ層(2)を含む半導体構造体用の支持体(1)に関する。トラップ層(2)は、多結晶主層(2a)と、多結晶主層(2a)中、又は主層(2a)とベース基板(3)との間に介在し、少なくとも1層の、シリコン及びカーボンアレイ又は炭素からなる中間多結晶層であって、中間層(2b)は、1000Ω・cmを超える抵抗率を有する。

6. 发明专利

JP2016149538A 有用層を移動する方法审中-公开
标题翻译：移动有用层的方法
公开(公告)号：JP2016149538A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2016014598
申请日：2016-01-28
申请人：ソイテック , Soitec
发明人：ディディエランドリュ , オレグコノンチュク , ナディアベンモハメド
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/324
摘要：【課題】キャリア上へ有用層を移動する新規な方法を提供する。【解決手段】本発明は、キャリア上へと有用層を移動する方法に関し、脆化面と第1の基板の表面との間に有用層の境界面を画定するように第1の基板中へ軽量種を注入することによって脆化面を形成するためのステップと、破断すべき組立品を形成するために第1の基板の表面上へとキャリアを載置するステップと、支持部上へと有用層を移動するように脆化面に沿って第1の基板を熱破断処理するためのステップとを含む。本発明によれば、本方法は、熱破断処理するステップ中に、キャリアと第1の基板との間の界面のところでの周辺部接着の程度を低下させるための処理ステップを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供将有用层移动到载体的新方法。解决方案：本发明涉及将有用层移动到载体的方法，该方法包括以下步骤：通过以下步骤形成脆性表面：将轻质类型注入第一衬底中，以便限定脆化表面和第一衬底之间的有用层的边界表面; 将所述载体安装在所述第一基板的前表面上以形成断开允许组件; 以及与所述脆化面一起进行热断裂处理所述第一基板，以将所述有用层移动到支撑部的上部。根据本发明，该方法包括一个处理步骤，用于在热断裂处理步骤中降低载体和第一基底之间的边界面处的周边粘合程度。选择的图：图2

7. 发明专利

JP2019535141A 単結晶半導体アイランドを含む構造、そのような構造を製造するための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019535141A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2019517074
申请日：2017-09-21
申请人：ソイテック
发明人：ダヴィドソッタ , オレグコノンチュク , ジャン−マルクベソー
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L27/12 , C30B29/40 , H01L21/20
摘要：本発明は、III−V族材料(6)製の少なくとも1つの活性層を製作するための構造(10)であって、主面を有するキャリア(2)、キャリアの主面上に位置する誘電体層(3)、および誘電体層(3)上に直接位置する複数の単結晶半導体アイランド(4)で構成された基板を備え、アイランドは、活性層の成長のためのシードとして働くように上部表面を有する構造に関する。本発明によれば、構造は、アイランド(4)の上部表面をマスクすることなく、アイランド(4)によって覆われない誘電体層(3)の部分上に直接、単結晶半導体アイランド(4)間に位置する結合層(5)を備え、その結果、誘電体層(3)は、もはやその環境に露出されない。

8. 发明专利

JP6612872B2 高周波用途のための構造有权
公开(公告)号：JP6612872B2
公开(公告)日：2019-11-27
申请号：JP2017529767
申请日：2015-09-17
申请人：ソイテック
发明人：オレグコノンチュク , ディディエランドリュ , クリストフフィゲ
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/02

9. 发明专利

JP2019531594A 有用層を移動させるための方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019531594A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2019507163
申请日：2017-08-01
申请人：ソイテック , コミッサリアアレネルジーアトミークエオエナジーズアルタナティブス
发明人：ディディエランドリュ , ナディアベンモハメッド , オレグコノンチュク , フレデリックマゼン , ダミアンマッシー , シェイルボ , フランソワリュトール
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/02
摘要：本発明は、有用層(3)を支持体(4)上に移動させるための方法であって、第1の基板(1)に軽化学種を注入することによって脆化面(2)を形成して、そのような面と第1の基板(1)の一方の表面との間に有用層(3)を形成するステップと、第1の基板(1)のその表面上に支持体(4)を貼り付けて、破断すべき集成体(5)を形成するステップと、破断すべき集成体(5)を脆化させるための熱処理を施すステップと、第1の基板(1)内に脆化面(3)に沿って破断波を開始および伝搬させるステップとを含む方法に関する。本発明によれば、破断波が脆化面(2)の中心領域内で開始し、そのような波の伝搬速さが、その速度が十分であるように制御される。したがって、破断波とその開始および/または伝搬時に放出される音響振動との相互作用が、有用層(3)の周辺領域に限定される。

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