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1. 发明专利

JP2018148212A ノッチ部分ポリッシング用パッド及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018148212A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2018037038
申请日：2018-03-02
申请人：スピードファム株式会社 , 前田工繊株式会社
发明人：田辺静顕 , 田中弘明 , 須崎喜継 , 吉益祐治 , 西尾彰浩
IPC分类号： B24B37/24 , H01L21/304
摘要：【課題】長い寿命を持ち、半導体ウェーハに損傷を与えず、しかも装置や作業環境を汚染することのない、半導体ウェーハのノッチ部分のポリッシング用パッドの提供及びその製造方法を提供する。【解決手段】不織布とポリウレタン樹脂およびエントロピー弾性を有するエポキシ樹脂とを含む複合体であることを特徴とする半導体ウェーハのノッチ部分のポリッシング用パッドにより解決される。不織布に、ポリウレタン樹脂の前駆体、あるいは溶剤で稀釈したポリウレタン樹脂の前駆体溶液を含浸させ該ポリウレタン樹脂を発泡、凝固させたのち、エポキシ樹脂の前駆体と硬化剤、あるいは溶剤で稀釈したエポキシ樹脂の前駆体と硬化剤の溶液を含浸させ、然るのち該エポキシ樹脂を固着せしめる方法により前記半導体ウェーハのノッチ部分のポリッシング用パッドを得る。【選択図】なし

2. 发明专利

JP2015207658A 円盤状半導体ウェーハエッジ部の研磨方法、及びその装置有权
标题翻译：抛光片式半导体波形边缘的方法和器件
公开(公告)号：JP2015207658A
公开(公告)日：2015-11-19
申请号：JP2014087304
申请日：2014-04-21
申请人：スピードファム株式会社
发明人：田中弘明 , 田辺静顕 , 相澤智宏 , 吉原秀明 , 庭山将
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/27 , B24B37/02 , H01L21/304
摘要：【課題】装置及び研磨パッドの長寿命化を可能とし、ウェーハ表裏面の欠点を少なくするウェーハエッジ部の研磨方法及び装置を提供する。【解決手段】円盤状半導体ウェーハをその中心軸線の回りに回転せしめ、研磨パッドが装着された弧状の研磨面を有する少なくとも1つの研磨ヘッド及びウェーハエッジ部を当接させ、前記研磨パッドに研磨用組成物のスラリーを供給してウェーハエッジ部の研磨を行なう方法において、研磨加工が開始される前に研磨パッドにのみスラリーを供給し、研磨パッド内部にスラリーを含浸せしめた後、スラリーを含浸せしめた研磨パッド及び回転させた前記ウェーハのエッジ部を相対的に接触させて円盤状半導体ウェーハエッジ部の研磨を行なうことを特徴とする円盤状半導体ウェーハエッジ部の研磨方法及びその装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抛光晶片边缘部分的方法和装置，该方法和装置能够延长器件和抛光垫的寿命并减少晶片正面和背面上的缺陷。解决方案：提供一种抛光方法和装置盘状半导体晶片边缘部分。在使盘状半导体晶片围绕其中心轴线旋转的方法中，使至少一个具有安装有抛光垫的弧形抛光表面的研磨头抵接在晶片边缘部分上，并且将抛光组合物在抛光垫上抛光晶片边缘部分，在抛光处理开始之前，浆料仅供给到抛光垫。在抛光垫被浆料浸渍之后，将浸渍有浆料的研磨垫和旋转的晶片的边缘部分彼此相对邻接以抛光盘状半导体晶片边缘部分。

3. 发明专利

JP6350861B2 コロイダルシリカ及びそれを含有する半導体ウエハ研磨用組成物有权
公开(公告)号：JP6350861B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014145006
申请日：2014-07-15
申请人：スピードファム株式会社
发明人：田中弘明 , 田辺静顕 , 市川真也
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , C01B33/149

4. 发明专利

JP2016020294A コロイダルシリカ及びそれを含有する半導体ウエハ研磨用組成物有权
标题翻译：用于抛光含有它的半导体晶体的胶体二氧化硅及其组合物
公开(公告)号：JP2016020294A
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：JP2014145006
申请日：2014-07-15
申请人：スピードファム株式会社
发明人：田中弘明 , 田辺静顕 , 市川真也
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , C01B33/149
摘要：【課題】経時保存安定性が良好な表面改質コロイダルシリカ、及び該表面改質コロイダルシリカを用いた、研磨後の被研磨体の洗浄性を向上し、装置の汚染を防止し、更には被研磨体のスクラッチやロールオフ、ディッシング等の問題の発生を抑制する半導体ウエハの研磨用組成物を提供する。【解決手段】半導体ウエハの研磨に使用される研磨用組成物は、分子構造内に、第四アンモニウムよりなる官能基を2個またはそれ以上と、カルボキシル基を2個またはそれ以上とを持つ水溶性高分子化合物を粒子表面に配した表面改質コロイダルシリカ、および該表面改質コロイダルシリカを研磨剤として含有する研磨用組成物。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种表面改性的胶体二氧化硅，其随时间具有良好的储存稳定性，并提供使用改善抛光后待抛光对象的可洗性的表面改性胶态二氧化硅来研磨半导体晶片的组合物，防止污染装置并抑制诸如待抛光物体的划伤，滚落，凹陷等问题的发生。抛光组合物用于抛光半导体晶片。表面改性的胶体二氧化硅是通过在分子结构中排列具有两个或更多个官能团的水溶性聚合物化合物而制备的，所述官能团包含季铵并且在颗粒表面上具有两个或多个羧基。抛光组合物含有作为研磨剂的表面改性胶体二氧化硅。选择图：无

5. 发明专利

JP6350857B2 円盤状半導体ウェーハエッジ部の研磨方法、及びその装置有权
公开(公告)号：JP6350857B2
公开(公告)日：2018-07-04
申请号：JP2014087304
申请日：2014-04-21
申请人：スピードファム株式会社
发明人：田中弘明 , 田辺静顕 , 相澤智宏 , 吉原秀明 , 庭山将
IPC分类号： B24B37/00 , B24B37/02 , H01L21/304

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