专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2014534594A ＯＬＥＤの構造化有权
标题翻译： OLED的结构
公开(公告)号：JP2014534594A
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：JP2014539435
申请日：2012-10-24
申请人：コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ , コーニンクレッカフィリップスエヌヴェ
发明人：ハーバートフリードリヒベルナー , ハーバートフリードリヒベルナー , ヘルガヒュンメル , ヘルガヒュンメル
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/04 , H05B33/22 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/56 , H01L27/3241 , H01L27/3281 , H01L27/3283 , H01L51/5203 , H01L51/524 , H01L2251/566
摘要：本発明は、発光及び非発光領域を含む、構造化された有機エレクトロルミネッセンス発光デバイス(OLED)を製造する方法と、当該方法に従って製造されるOLEDとに関し、当該方法は、第1の電極3として少なくとも1つの導電層で少なくとも局所的に覆われた基板2を提供するステップPと、所望の構造化パターンを形成する、スタック変更層4で覆われた第1の領域31と、第1の領域31に隣接する、覆われていない第2の領域32とを確立するように、第1の電極3上に局所的にスタック変更層4を堆積させるステップD−SMLと、スタック変更層4で局所的に被覆された第1の電極3上に、少なくとも1つの有機発光層51を含む有機層スタック5を堆積させるステップD−OLSであって、有機層スタック5は、第1の領域31では、有機層スタック5と第1の電極3との間のスタック変更層4によって、第1の電極3から分離され、第2の領域32では、第1の電極3と直接的に電気的に接触する、ステップと、機能層スタック7を完成するように、有機層スタック5上に、第2の電極6として導電金属層を堆積させるステップD−SEと、を含み、第1の領域31は、スタック変更層4の上方では、第1の領域31をマスクすることなく、導電金属層がないままである。マスクプロセスの間に使用されるものと同じ堆積プロセスを機能層スタックにも使用可能にする、容易、可変かつ信頼性の高い、OLEDの機能層スタックのマスクレス構造化方法を提供する。
摘要翻译：本发明包括的发光和非发光区域，并且制备结构有机电致发光器件（OLED）的方法，涉及根据该方法制造的OLED，该方法包括一个第一电极3 提供至少局部地覆盖的衬底2的至少一个导电层的工序P，以形成所需的结构的图案，它是由堆栈改变层4覆盖的第一区域31，第一区域邻近于31，以建立未覆盖的第二区域32，步骤D-SML用于在第一电极3中，本地堆栈改变层4局部沉积的堆叠变化层4 在第一电极3的盖，包括以下步骤D-OLS沉积包括至少一个有机发光层51，有机层堆5中，第一区域31的有机层堆5，堆叠有机叠层5和第一电极之间的变化3 通过如图4所示，从第一电极3，第二区域32，直接与第一电极3，电触点来完成的步骤，所述功能层堆7中，有机层堆叠上分离 5，其中，所述步骤D-SE沉积导电金属层作为第二电极6，第一区域31是在上部堆变化层4，而不掩蔽第一区域31 仍然没有导电金属层。也使相同的沉积工艺的那些中的掩模工艺，容易变量和可靠的使用功能层叠层，提供了OLED的功能层叠层的无掩模构造法。

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式