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1. 发明专利

JP2016175266A ガスバリア性フィルムおよび該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイス审中-公开
标题翻译：气体阻隔膜和使用其的电子器件
公开(公告)号：JP2016175266A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2015056832
申请日：2015-03-19
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： B32B9/00
摘要：【課題】優れたガスバリア性を有し、かつ、耐候性に優れるガスバリア性フィルムを提供する。【解決手段】樹脂基材110と、樹脂基材110の少なくとも一方の面に形成された、ポリシラザン改質物を含む第1無機バリア層120aと、第1無機バリア層120a上に接して形成された、遷移金属酸化物を含む第2無機バリア層120bと、を含むガスバリア性フィルム111であって、前記遷移金属酸化物の遷移金属が、ニオブ、タンタル、ジルコニウム、又はチタンから選択される少なくとも1種の金属であり、第2無機バリア層120b側から測定した波長に対する反射率曲線において、波長360〜380nmの反射率最大値が15%以上である、ガスバリア性フィルム。屈折率が第一無機バリア層120aで1.60〜1.70であり、第二無機バリア層120bで2.05〜2.60である、ガスバリアフィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供阻气性优异并且耐候性优异的阻气膜。解决方案：阻气膜111包含树脂基材110，至少形成的第一无机阻挡层120a 树脂基材110的一个表面，并含有聚硅氮烷改性产物，和形成为与第一无机阻挡层120a的顶部接触并含有过渡金属氧化物的第二无机阻挡层120b。过渡金属氧化物的过渡金属是选自铌，钽，锆或钛中的至少一种金属，反射率曲线中波长360-380nm处的反射率的最大值相对于从侧面测量的波长的第二无机阻挡层120b为15％以上。第一无机阻挡层120a的折射率为1.60〜1.70，第二无机阻挡层120b的折射率为2.05〜2.60。图1

2. 发明专利

JP6617701B2 ガスバリアーフィルム及びその作製方法有权
公开(公告)号：JP6617701B2
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：JP2016525728
申请日：2015-04-15
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： C23C16/40 , B32B9/00

3. 发明专利

JP5987562B2 ガスバリア性フィルムの製造方法及び電子デバイス有权
标题翻译：制造方法及气体阻隔性膜的电子装置
公开(公告)号：JP5987562B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012191865
申请日：2012-08-31
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： B32B9/00 , B05D7/24

5. 发明专利

JP2016055594A ガスバリアー性フィルム、ガスバリアー性フィルムの製造方法及び電子デバイス审中-公开
标题翻译：气体阻隔膜，气体阻隔膜和电子装置的制造方法
公开(公告)号：JP2016055594A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014186054
申请日：2014-09-12
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： B32B9/00 , B32B27/30 , B32B27/00
摘要：【課題】本発明の課題は、ガスバリアー性及び密着性に優れ、かつ高温高湿環境下で保存した際の耐久性に優れたガスバリアー性フィルムと、その製造方法、及び耐久性に優れた電子デバイスを提供することである。【解決手段】本発明のガスバリアー性フィルムは、樹脂基材の少なくとも一方の面に、少なくとも、単一層で構成される有機層と、ガスバリアー層とがこの順で積層されたガスバリアー性フィルムであって、有機層における下式(1)で表される−NH−C(=O)−結合基の濃度比率が、10.0以上であることを特徴とする。式(1) −NH−C(=O)−結合基の濃度比率=−NH−C(=O)−結合基数A/−NH−C(=O)−結合基数B 【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供：在高温高湿环境下储存时，阻气性和粘接性优异，耐久性优异的阻气膜; 其制造方法; 以及耐久性优异的电子装置。本发明提供一种阻气膜，其中至少将由单层和阻气层组成的有机层依次层叠在树脂基板的至少一个表面上，其中在有机层中由下式（1）表示的-NH-C（= O） - 键基的浓度比为10.0以上。式（1）：-NH-C（= O） - 键基团的浓度比= -NH-C（= O） - 键基数A / -NH-C（= O） - 债券组。图2

6. 发明专利

JPWO2019230329A1 アンダーフィル材、有機金属酸化物の製造方法、電子部品装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019230329A1
公开(公告)日：2021-07-08
申请号：JP2019018668
申请日：2019-05-10
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司 , 牧島幸宏 , 井宏元
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/31 , H05K3/32 , C08G79/00 , H01L21/60
摘要：本発明の課題は、接続部の電池効果と付着イオン物質、水分吸湿による腐食や電食の発生を抑制した信頼性の高いアンダーフィル材、それに用いる有機金属酸化物の製造方法、電子部品装置及びその製造方法を提供することである。本発明のアンダーフィル材は、下記一般式(1)で表される構造を有する有機金属酸化物を含有することを特徴とする。一般式(1) R−[M(OR 1 ) y (O−) x−y ] n −R (式中、Rは、水素原子、炭素数1個以上のアルキル基、アルケニル基、アリール基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシ基、又は複素環基を表す。ただし、Rは置換基としてフッ素原子を含む炭素鎖でもよい。Mは、金属原子を表す。OR 1 は、フッ化アルコキシ基を表す。xは金属原子の価数、yは1とxの間の任意な整数を表す。nは重縮合度をそれぞれ表す。)

7. 发明专利

JP5772836B2 有機光電変換層材料組成物、有機光電変換素子、有機光電変換素子の製造方法及び太陽電池有权
标题翻译：有机光电转换层的材料组合物中，有机光电转换装置，制造方法和有机光电转换元件的太阳能电池
公开(公告)号：JP5772836B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2012554706
申请日：2012-01-10
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司 , 伊藤博英
IPC分类号： C08G61/00 , H01L31/0236 , H01L51/46 , C08L65/00
CPC分类号： H01L51/0036 , C08K3/04 , H01L51/0043 , C08G2261/124 , C08G2261/1412 , C08G2261/3223 , C08G2261/3241 , C08G2261/3243 , C08G2261/3246 , C08G2261/344 , C08G2261/91 , H01L51/0094 , H01L51/4253 , Y02E10/549 , Y02P70/521

8. 发明专利

JP2015153887A 光学フィルム、光学フィルムの製造方法および光学フィルムを有する発光デバイス审中-公开
标题翻译：光学膜，其制造方法和具有光学膜的发光器件
公开(公告)号：JP2015153887A
公开(公告)日：2015-08-24
申请号：JP2014025930
申请日：2014-02-13
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： C09K11/08 , B05D5/06 , B05D7/00 , B05D7/24 , B32B9/00 , B82Y20/00 , H01L33/50
摘要：【課題】酸素等による半導体ナノ粒子の劣化を長期に亘って防止することができる耐久性を備え、かつ発光効率に優れる光学フィルムを提供する。【解決手段】フィルム基材上に、半導体ナノ粒子含有層と、酸素捕捉剤含有層と、をこの順に有する、光学フィルム。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种发光效率优异的光学膜，包括能够防止由氧等引起的半导体纳米颗粒的长时间劣化的耐久性的光学膜。解决方案：光学膜包括在薄膜基片：含半导体纳米粒子的层; 和含氧清除剂层。

9. 发明专利

JPWO2018123724A1 ガスバリアー性フィルム及びガスバリアー性フィルムの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018123724A1
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2017045508
申请日：2017-12-19
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司 , 森孝博
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/06 , B05D3/00 , B05D5/00 , B32B9/00
摘要：本発明のガスバリアー性フィルムは、基材上に、第1のガスバリアー層と第2のガスバリアー層とが、この順に形成されたガスバリアー性フィルムであって、前記第2のガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であり、かつ、前記第2のガスバリアー層の表面のナノインデンテーション法で測定した弾性率と硬度が、下記条件[A]及び[B]を満たす。 [A]弾性率:8〜17GPaの範囲内 [B]硬度:硬度≦0.18×弾性率+2.1GPa

10. 发明专利

JP6578689B2 ガスバリア性フィルムおよび該ガスバリア性フィルムを用いた電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6578689B2
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：JP2015056832
申请日：2015-03-19
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：高木宏司
IPC分类号： B32B27/00 , B32B9/00

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