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1. 发明专利

JP6593343B2 成膜装置及び成膜方法有权
公开(公告)号：JP6593343B2
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2016563734
申请日：2015-12-10
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：大石清 , 鈴木一生 , 廣瀬達也
IPC分类号： C23C16/54 , B65H20/02 , C23C16/44

2. 发明专利

JP6485455B2 ガスバリアーフィルム及びガスバリアーフィルムの製造方法有权
公开(公告)号：JP6485455B2
公开(公告)日：2019-03-20
申请号：JP2016515210
申请日：2015-04-23
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 大石清
IPC分类号： B32B27/00 , B05D3/10 , B05D7/24 , C23C16/50 , B32B9/00

3. 发明专利

JP2018089976A ガスバリア性フィルム、その製造方法、およびこれを用いた電子デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2018089976A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2018020194
申请日：2018-02-07
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 河村朋紀 , 大石清
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/10 , B05D5/00 , C23C16/42 , C23C16/40 , H05B33/02 , H05B33/04 , H01L51/50 , B32B9/00
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/45555 , C23C28/00 , H01L51/5253
摘要：【課題】高温高湿条件下であっても十分なガスバリア性能を示すガスバリア性フィルムを提供する。【解決手段】基材、第1の層、第2の層、および第3の層をこの順に含み、前記第1の層は、ケイ素、アルミニウムおよびチタンからなる群より選択される少なくとも1種の酸化物、窒化物、酸窒化物または酸炭化物の少なくとも1種を含み、かつ化学蒸着法により形成され、前記第2の層は、無機酸化物を含み、かつ原子層堆積法により形成され、前記第3の層は、ケイ素化合物を含有する液を塗布して形成される塗膜を改質処理して得られる、ガスバリア性フィルム。【選択図】なし

4. 发明专利

JP6222224B2 ガスバリアーフィルムの製造方法有权
公开(公告)号：JP6222224B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2015513653
申请日：2014-04-03
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：有田浩了 , 廣瀬達也
IPC分类号： B05D3/06 , B05D7/04 , B05D7/24
CPC分类号： B05D3/067 , B05D2252/02 , B05D3/0486

5. 发明专利

JP2017095759A ガスバリア性フィルムの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017095759A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2015228887
申请日：2015-11-24
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 属健治 , 河村朋紀
IPC分类号： B32B9/00 , B05D7/24 , C23C14/08 , C23C14/54
摘要：【課題】高温高湿環境下での耐久性に優れ、デバイス封止時の接着性に優れたガスバリア性フィルムを製造する方法の提供。【解決手段】基材1上に非遷移金属(M1)を含む第1の層32を形成する工程1と、第1の層32上に、第1の層と接するように、物理蒸着法により、遷移金属(M2)を含む第2の層33を形成する工程2と、第2の層上33に、物理蒸着法により、遷移金属(M2’)を含む第3の層34を形成する工程3とを含み、第3の層34は最外層であり、工程2および工程3において、第2の層33を形成する蒸着速度をDR2(nm/秒)、第3の層34を形成する蒸着速度をDR3(nm/秒)としたとき、DR3に対するDR2の比であるRが、式1を満たす、ガスバリア性フィルムの製造方法。【選択図】図2

6. 发明专利

JP6287858B2 ガスバリア性フィルム、その製造方法、およびこれを用いた電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6287858B2
公开(公告)日：2018-03-07
申请号：JP2014552051
申请日：2013-12-10
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 河村朋紀 , 大石清
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/40 , B05D3/06 , B05D7/24 , B32B9/00
CPC分类号： C23C16/402 , C23C16/403 , C23C16/45555 , C23C28/00 , H01L51/5253

7. 发明专利

JP5862439B2 有機半導体素子及びその製造方法有权
标题翻译：有机半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP5862439B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2012101751
申请日：2012-04-26
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 鈴木正信
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , H05B33/22

8. 发明专利

JP2016006210A ガスバリアー性フィルムの製造方法、製造装置及び膜厚の測定方法有权
标题翻译：气体阻隔膜制造方法及制造装置及薄膜厚度测量方法
公开(公告)号：JP2016006210A
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：JP2014126857
申请日：2014-06-20
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：門馬千明 , 有田浩了 , 廣瀬達也
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54
摘要：【課題】本発明の課題は、ガスバリアー性及び光学特性の安定性に優れたガスバリアー性フィルムの製造方法及び製造装置と、当該ガスバリアー性フィルムの製造を容易にする膜厚の測定方法とを提供することである。【解決手段】真空チャンバー10内において原料ガスのプラズマ反応によりガスバリアー層を形成するガスバリアー性フィルムの製造方法であって、前記真空チャンバー10の内壁又は内部に配置された複数の部材の少なくとも一部の表面に、拡散透過率が2%以上であるフィルム30を設けた状況下において、前記ガスバリアー層を形成することを特徴とするガスバリアー性フィルムの製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供阻气性和光学性能优异的阻气膜的制造方法和制造装置以及便于制造所述气体阻隔性的膜厚测量方法。解决方案：气体在真空室10中通过原料气体的等离子体反应形成阻气层的阻挡膜制造方法的特征在于，在透光率为2％的膜30为形成在布置在所述真空室10的内壁或内部的多个构件中的至少一些构件的表面上。

9. 发明专利

JP5733214B2 光源装置及び表面処理方法有权
标题翻译：光源装置和表面处理方法
公开(公告)号：JP5733214B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2011536118
申请日：2010-10-08
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：福田和浩 , 鈴木正信 , 廣瀬達也 , 田地和喜
IPC分类号： H01J61/12 , B08B7/00 , H01J65/04
CPC分类号： H01J61/14 , H01J65/044 , H05H1/46 , H01J61/16 , H05H2001/4622

10. 发明专利

JP6504284B2 ガスバリア性フィルム、その製造方法、およびこれを用いた電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6504284B2
公开(公告)日：2019-04-24
申请号：JP2018020194
申请日：2018-02-07
申请人：コニカミノルタ株式会社
发明人：廣瀬達也 , 河村朋紀 , 大石清
IPC分类号： B05D7/24 , B05D3/10 , B32B9/00

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