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1. 发明专利

JP6025750B2 撮像装置有权
公开(公告)号：JP6025750B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2013551094
申请日：2011-12-27
申请人：キヤノン株式会社
发明人：田代和昭 , 菊池伸
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/1463 , H01L29/66 , H01L31/02

2. 发明专利

JP2016111378A 固体撮像装置审中-公开
标题翻译：固态图像传感器
公开(公告)号：JP2016111378A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014243744
申请日：2014-12-02
申请人：キヤノン株式会社
发明人：菊池伸
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/357
摘要：【課題】画素の増幅部から垂直信号線への信号読み出しを高速化しうる固体撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換素子と、光電変換素子が生成する電荷に基づく信号を増幅して出力する増幅部とをそれぞれ有する複数の画素と、複数の画素に接続された垂直信号線と、垂直信号線に近接して配置されたガード線と、垂直信号線に接続され、垂直信号線に読み出された信号をバッファし、信号と同位相の信号をガード線に出力するバッファアンプ部とを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够加速从像素的放大部分到垂直信号线的信号读取的固态图像传感器。解决方案：固态图像传感器包括：多个像素，每个像素具有光电转换元件和放大部分，用于基于由光电转换元件产生的电荷放大信号并输出; 连接到所述多个像素的垂直信号线; 靠近垂直线设置的保护线; 以及连接到垂直信号线的缓冲放大器，用于缓冲由垂直信号线读取的信号，并将与该信号相同相位的信号输出到保护线。选择图：图1

3. 发明专利

JP2017041804A 撮像装置、撮像システム审中-公开
标题翻译：成像装置，成像系统
公开(公告)号：JP2017041804A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163160
申请日：2015-08-20
申请人：キヤノン株式会社
发明人：落合慧 , 菊池伸
IPC分类号： H04N5/374 , H04N101/00 , H04N5/378
摘要：【課題】全差動増幅回路が出力する信号の精度を向上する撮像装置、撮像システムを提供する。【解決手段】フォトダイオードを有する有効画素100と、フォトダイオードの代わりに容量素子を有するリファレンス画素101とに接続され、ノイズ信号を増幅した増幅ノイズ信号と、光信号を増幅した増幅光信号を出力する全差動増幅回路180と、増幅ノイズ信号の振幅範囲と増幅光信号の振幅範囲とをそれぞれ制限する出力制限部400とを有する。【選択図】図3
摘要翻译：一种成像设备，以改善从所述全差动放大电路输出的信号的精度，以提供一个成像系统。和具有光电二极管的有效像素100，被连接到包括电容器，而不是光电二极管，通过放大的噪声信号，通过放大的光信号输出所获得的放大的光信号获得的放大器噪声信号的基准像素101 具有全差动放大器电路180，和输出限制部分400，并用放大的光信号放大的噪声信号，以限制每个的幅度范围的幅度范围。点域

4. 发明专利

JP2016076647A 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：JP2016076647A
公开(公告)日：2016-05-12
申请号：JP2014207170
申请日：2014-10-08
申请人：キヤノン株式会社
发明人：飯田聡子 , 菊池伸 , 市川武史 , 鈴木達也 , 伊庭潤 , 小泉徹
IPC分类号： H04N5/357 , H04N5/369 , H01L31/10 , H01L27/146
摘要：【課題】より高感度且つ残像が抑制された光電変換装置を提供する。【解決手段】P型の第1の半導体領域と、第1の半導体領域との間にPN接合を形成するN型の第2の半導体領域とを有する光電変換素子と、光電変換素子により生成された電荷を読み出すための読み出し回路とを有し、第1の半導体領域と、第1の半導体領域から最も離間した第2の半導体領域内の一点との間の、半導体基板の表面に垂直な方向に沿った距離をL1、半導体基板の表面に平行な方向に沿った距離をL2として、L1≦L2の関係を有し、第2の半導体領域の不純物濃度をN D 、第2の半導体領域内におけるホールの拡散係数をD h として、N D ≦7.1×10 12 (D h /L2 2 ×3.5×10 −4 −1)の関係を有する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现更高灵敏度和残留图像抑制的光电转换装置。解决方案：一种光电转换装置，包括：具有P型第一半导体区域和N型第二半导体区域的光电转换元件其与第一半导体区域形成PN结; 以及用于读取由光电转换元件产生的电荷的读取电路。当假设第一半导体区域和第二半导体区域中距离第一半导体区域最远并且沿着与半导体衬底的表面垂直的方向的第二半导体区域中的一个点之间的距离为L1，并且沿着与半导体衬底的表面是其中L1和L2具有表示为L1≤L2的关系的L2，并且当假定第二半导体区域的杂质浓度为N并且空穴的扩散系数为D时，存在表示为N ≤7.1×10（D / L2×3.5×10-1）。选择图：图2

5. 发明专利

JP5885401B2 固体撮像装置および撮像システム有权
公开(公告)号：JP5885401B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2011119712
申请日：2011-05-27
申请人：キヤノン株式会社
发明人：有嶋優 , 山下雄一郎 , 藤村大 , 菊池伸 , 河野祥士 , 清水伸一郎
IPC分类号： H04N5/376 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/32 , H04N5/3415 , H04N5/3575 , H04N5/3745 , H04N5/37452 , H04N5/376

6. 发明专利

JP6555980B2 撮像装置、撮像システム有权
公开(公告)号：JP6555980B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2015163160
申请日：2015-08-20
申请人：キヤノン株式会社
发明人：落合慧 , 菊池伸
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/378

7. 发明专利

JP6555979B2 撮像装置、撮像システム有权
公开(公告)号：JP6555979B2
公开(公告)日：2019-08-07
申请号：JP2015163159
申请日：2015-08-20
申请人：キヤノン株式会社
发明人：菊池伸 , 落合慧
IPC分类号： H04N5/378

8. 发明专利

JP6385192B2 撮像装置、撮像システム及び撮像システムの駆動方法审中-公开
公开(公告)号：JP6385192B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2014165216
申请日：2014-08-14
申请人：キヤノン株式会社
发明人：大西智也 , 菊池伸
IPC分类号： H04N5/347 , H04N5/374 , H04N5/378 , H04N5/355
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/355

9. 发明专利

JP6174902B2 固体撮像装置及びカメラ有权
公开(公告)号：JP6174902B2
公开(公告)日：2017-08-02
申请号：JP2013101712
申请日：2013-05-13
申请人：キヤノン株式会社
发明人：豊口銀二郎 , 菊池伸
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/365 , H01L27/146 , H04N5/374
CPC分类号： H04N5/374 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H04N5/3575 , H04N5/361 , H04N5/3658 , H04N5/3696 , H01L27/14609 , H04N5/359

10. 发明专利

JP6077786B2 撮像装置有权
公开(公告)号：JP6077786B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2012183583
申请日：2012-08-22
申请人：キヤノン株式会社
发明人：菊池伸
IPC分类号： H04N5/374 , H01L27/146 , H04N5/355
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/146 , H01L27/14636 , H04N5/3559 , H04N5/37452

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