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1. 发明专利

JP6366251B2 撮像装置および撮像装置の制御方法有权
公开(公告)号：JP6366251B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2013224217
申请日：2013-10-29
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： G02B7/34 , G03B13/36 , H04N9/07 , G02B7/28
CPC分类号： H04N5/23212 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N9/045

2. 发明专利

JP6355773B2 撮像素子及び撮像装置有权
公开(公告)号：JP6355773B2
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：JP2017021967
申请日：2017-02-09
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146 , H04N5/378

3. 发明专利

JP2017135423A 光電変換装置有权
公开(公告)号：JP2017135423A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2017088512
申请日：2017-04-27
申请人：キヤノン株式会社
发明人：小林昌弘 , 岸隆史 , 山下雄一郎
IPC分类号： H01L21/761 , H04N5/369 , H04N5/347 , H04N5/3745 , H01L27/146
摘要：【課題】光電変換素子間の分離構造を適切なものとすることにより、複数の光電変換素子の信号を用いて1つの信号とする場合に所望の信号を得ることを目的とする。【解決手段】光電変換ユニットに含まれる光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第1導電型の第1半導体領域を含み、光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の間には第2導電型の第2半導体領域が配され、隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の間には第2導電型の第3半導体領域が配され、第2半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも低い。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2016225774A 撮像素子および撮像装置审中-公开
标题翻译：成像装置和成像设备
公开(公告)号：JP2016225774A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015109422
申请日：2015-05-29
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： G02B7/34 , G03B13/36 , H04N5/369 , H04N5/3745
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3696 , H04N5/37457 , H04N9/045
摘要：【課題】撮像信号に縞状のノイズを増やすことなく、位相差検出用の画素と撮像用の画素の読み出しを高速化する。【解決手段】位相差検出と撮像の両方を行う第1の画素201は、2つの光電変換部であるフォトダイオードPD203、204、PD203、204の各々の電荷をフローティングディフュージョンFD207に転送する転送部である転送スイッチ205、206を備えている。撮像のみを行う第2の画素208は、1つのPD209、PD209の電荷をFDフローティングディフュージョン207に転送する転送スイッチ210を備える。第1の画素201と、第2の画素208を、行方向と列方向に交互に配置する。【選択図】図3
摘要翻译：甲而不增加带状于所感测信号的噪声，加快像素和成像用于相位差检测的像素的读出。两者的相位差检测和成像的第一像素201，两个光电二极管作为光电转换单元的PD 203和204，用于将PD 203和204的各自的电荷转移到所述浮动扩散FD207转印部它具有一定的转换开关205和206。第二像素208，用于成像仅包括一个转换开关210用于将一个PD209，PD209充电FD浮动扩散207。的第一像素201，设置第二像素208，交替地以行方向和列方向。点域

5. 发明专利

JP5979849B2 撮像素子及び撮像装置有权
标题翻译：成像装置和成像设备
公开(公告)号：JP5979849B2
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：JP2011254457
申请日：2011-11-21
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： G02B7/34 , G03B13/36 , H04N5/232 , H04N5/347 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/378 , G03B13/36 , H04N5/23212 , H04N5/369

6. 发明专利

JP2015216625A 撮像素子及び撮像装置审中-公开
标题翻译：成像元件和成像设备
公开(公告)号：JP2015216625A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2015041779
申请日：2015-03-03
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/369 , H04N5/378
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3575 , H04N5/37457
摘要：【課題】フローティングディフュージョンを共通にする複数のフォトダイオードからの信号をAD変換して出力する撮像素子の、出力に要する時間を短縮する撮像装置を提供する。【解決手段】複数の光電変換部202、203に共通に設けられたフローティングディフュージョン部206の信号をデジタル信号に変換するAD変換器(列回路103)が列毎に設けられる。AD変換器はフローティングディフュージョン部のリセット信号をデジタル信号に変換する第1の動作と、複数の光電変換部の一部から得られるアナログ信号をデジタル信号に変換する第2の動作と、複数の光電変換部の全てから得られるアナログ信号をデジタル信号に変換する第3の動作とを行う。第1の動作では、カウンタ213は第1の方向にカウント値を増加又は減少させ、第2及び第3の動作では、カウンタは第1の方向とは逆方向にカウント値を増加又は減少させる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种成像装置，用于缩短在将浮动扩散常数的多个光电二极管进行AD转换的成像元件中输出所需的时间，并输出它们。解决方案：AD转换器（列电路103）用于转换在多个光电转换部分202和203中共同设置的浮动扩散部分206的信号被布置在每一列处。 AD转换器执行用于将浮动扩散部分的复位信号转换为数字信号的第一操作，将从多个光电转换部分的一部分获得的模拟信号转换为数字信号的第二操作，以及用于将模拟将从所有多个光电转换部分获得的信号转换为数字信号。在第一操作中，计数器213增加或减少第一方向上的计数值，并且计数器在第二和第三操作中沿与第一方向相反的方向增加或减少计数值。

7. 发明专利

JP2015146465A 光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：JP2015146465A
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：JP2015093567
申请日：2015-04-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：小林昌弘 , 岸隆史 , 山下雄一郎
IPC分类号： H01L21/761 , H04N5/347 , H04N5/369 , H01L27/146
摘要：【課題】光電変換素子間の分離構造を適切なものとすることにより、複数の光電変換素子の信号を用いて1つの信号とする場合に所望の信号を得ることを目的とする。【解決手段】光電変換ユニットに含まれる光電変換素子の信号を加算する光電変換装置において、光電変換素子のそれぞれは信号電荷を収集する第1導電型の第1半導体領域を含み、光電変換ユニットに含まれ、互いに隣接して配置された光電変換素子の間には第2導電型の第2半導体領域が配され、隣接して配置された異なる光電変換ユニットに含まれる複数の光電変換素子のうち互いに隣接して配された光電変換素子の間には第2導電型の第3半導体領域が配され、第2半導体領域の不純物濃度は、前記第3半導体領域の不純物濃度よりも低い。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：通过在光电转换元件之间形成适当的隔离结构，通过使用多个光电转换元件的信号形成一个信号来获得预期信号。解决方案：在将光电转换信号包括在光电转换单元中的元件，每个光电转换元件包括用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域; 每个第二导电类型的第二半导体区域被布置在包括在光电转换单元中并彼此相邻布置的光电转换元件之间; 每个第二导电类型的第三半导体区域被布置在包括在不同的光电转换单元中并彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度低于第三半导体区域的杂质浓度。

8. 发明专利

JP2021013147A 撮像素子および撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021013147A
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2019127887
申请日：2019-07-09
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： H04N5/347 , H04N5/3745
摘要：【課題】1つの画素に複数の光電変換素子を含む撮像素子において、画素の微細化と読み出し速度の向上を両立する。【解決手段】撮像素子100は、半導体チップ101に複数の単位画素103が行列状に配置された画素部を有する。単位画素は、撮影レンズの異なる射出瞳を通過する光を光電変換する2つの光電変換素子を有する。単位画素に対して、1つのAD変換器が設けられる。半導体チップ102の画素制御部105は、複数のAD変換器を用いて単位画素からの読み出しを制御する。画素制御部は、フレームの画素信号を読み出すために、フレームを複数のサブフレームに時分割してサブフレームごとに単位画素からの読み出し動作を行う。第1サブフレームの読み出し動作においては、1つの光電変換素子からの信号に基づく第1信号を取得し、第2サブフレームの読み出し動作においては、全部の光電変換素子からの信号に基づく第2信号を取得する。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6776416B2 撮像ユニット、及び撮像装置有权
公开(公告)号：JP6776416B2
公开(公告)日：2020-10-28
申请号：JP2019142807
申请日：2019-08-02
申请人：キヤノン株式会社
发明人：葉文穎 , 佐野泰彦 , 西村晋一 , 岸隆史
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369

10. 发明专利

JP2020108152A 撮像素子及び撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020108152A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2020023422
申请日：2020-02-14
申请人：キヤノン株式会社
发明人：岸隆史
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要：【課題】画素部の性能を損なわず、かつ周辺回路のチップ面積増大によるコストの増大を抑制する撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子は、互いに積層されている第1及び第2の半導体基板と、複数の画素201が行列状に配列された画素部101と、画素部101を駆動する駆動回路と、画素部101における所定単位の複数の画素毎に設けられ、所定単位の複数の画素から出力された信号に所定の信号処理を施す複数の信号処理回路と、複数の信号処理回路により所定の信号処理を施された信号を外部に出力する出力回路107と、を有し、画素部および少なくとも一部の駆動回路が第1の半導体基板の領域に形成されるとともに、複数の信号処理回路および出力回路107が第2の半導体基板の領域に形成され、出力回路107は、複数の信号処理回路により所定の信号処理を施された信号を画素配列の行方向に出力するように構成されている。【選択図】図9

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