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1. 发明专利

JP6271235B2 フィンFETの製造方法およびデバイスの製造方法有权
公开(公告)号：JP6271235B2
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：JP2013251146
申请日：2013-12-04
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：中川隆史 , 池田真義 , 中川行人 , 神谷保志 , 小平吉三
IPC分类号： H01L21/302 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32357 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32458 , H01J37/32715 , H01L29/66795 , H01L29/66803

2. 发明专利

JP5824189B2 磁気抵抗効果素子の製造システム有权
标题翻译：磁阻元件的制造系统
公开(公告)号：JP5824189B2
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：JP2015531192
申请日：2014-04-18
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：林真里恵 , 坂本清尚 , 池田真義
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10

3. 发明专利

JP6082165B2 金属膜および金属膜の成膜方法有权
标题翻译：形成金属膜和金属膜的方法
公开(公告)号：JP6082165B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2016520906
申请日：2015-01-09
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：山中和人 , 池田真義 , 中川隆史 , 深石翼
IPC分类号： C23C14/34 , B41J2/16 , B41J2/14 , H01L21/285 , H01L21/28 , C23C14/14
CPC分类号： B41J2/14 , B41J2/16 , C23C14/14 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/285

4. 发明专利

JP6078610B2 磁気抵抗効果素子の製造方法有权
标题翻译：一种用于制造磁阻效应元件的方法
公开(公告)号：JP6078610B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2015199639
申请日：2015-10-07
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：林真里恵 , 坂本清尚 , 池田真義
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L21/3065 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10

5. 发明专利

JP6028110B2 基板加工方法及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：制造的基板处理方法的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP6028110B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2015554499
申请日：2014-08-27
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：赤坂洋 , 池田真義 , 木村和弘 , 神谷保志 , 豊里智彦
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/76865 , C23C14/046 , C23C14/5833 , H01L21/2855 , H01L21/28556 , H01L21/76802 , H01L21/76843 , H01L21/76862 , H01L21/76877 , H01L29/66545 , H01L29/7843 , C23C14/5873 , C23C16/56

6. 发明专利

JP2016012738A 磁気抵抗効果素子の製造方法有权
标题翻译：磁阻效应元件的制造方法
公开(公告)号：JP2016012738A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2015199639
申请日：2015-10-07
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：林真里恵 , 坂本清尚 , 池田真義
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L21/3065 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/12 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要：【課題】磁気抵抗効果素子のさらなる微細化、即ち、集積度のさらなる増大を実現するとともに、高い磁気特性を有する磁気抵抗効果素子を製造することができる磁気抵抗効果素子の製造方法および製造システムを提供する。【解決手段】基板上に、前記二つの磁性層の一方の層と、前記トンネル障壁層を構成する層と、前記二つの磁性層の他方の層と、を備えた積層体を用意する工程と、前記積層体をエッチングにより複数に分離し、前記基板上に分離した複数の積層体を形成する工程と、前記分離した複数の積層体の側部に減圧可能な処理チャンバー内でイオンビームを照射する工程と、前記イオンビームの照射後、前記処理チャンバー内に酸化性ガスまたは窒化性ガスを導入し、前記複数の積層体の表面に酸化層または窒化層を形成する工程と、を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种磁阻效应元件的制造方法，通过该方法可以使磁阻效应元件进一步微细化，即集成度进一步提高，并且可以制造具有高磁特性的磁阻效应元件，并且制造系统。解决方案：磁阻效应元件的制造方法包括以下步骤：制备包括两个磁性层之一的层压体，形成隧道势垒层的层和两个磁性层中的另一个在基板上; 通过蚀刻将层压体分离成多个片以在基底上形成多个分离的层压体; 在可以降低压力的处理室内用离子束照射多个分离的层压体的侧面部分; 以及在用离子束照射之后将氧化物气体或氮化物气体引入到处理室中，以在多个层压体的表面上形成氧化物层或氮化物层。

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