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1. 发明专利

JP2005521263A Field-effect transistor 有权
公开(公告)号：JP2005521263A
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：JP2003579282
申请日：2003-03-17
申请人：キネティックリミテッド
发明人：ティモシージョナサンフィリップス
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/338 , H01L29/10 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/1029
摘要：【課題】電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、特に、「ＭＯＤＦＥＴ（変調ドープ電界効果トランジスタ）」又は「ＨＥＭＴ（高電子移動度トランジスタ）」としても公知の量子井戸電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】量子井戸を有する電界効果トランジスタにおいて、量子井戸は、一次導電チャンネル（２７）と、一次チャンネルの直近にあって接触する少なくとも１つの二次導電チャンネル（２５、２５）とによって形成され、二次導電チャンネルは、一次チャンネルの有効バンドギャップ（１４）よりも大きい有効バンドギャップ（１５）を有し、一次チャンネルの衝撃イオン化閾値「ＩＩＴ」（１７）と一次及び二次チャンネル間の有効導電帯オフセット（ステップの高さ）との間の差の絶対値は、０．５Ｅｇ（実効値）よりも大きくなく、又は（代替的に）、０．４ｅＶよりも大きくない。すなわち、そうでなければ暴走をもたらす衝撃イオン化を生じ得るより高エネルギのキャリヤは、二次チャンネル内に迂回され、装置が増加した電圧でより高速に作動し、及び／又は、暴走に対して遥かに大きな抵抗を示すことを可能にする。一次チャンネルは、好ましくは、低バンドギャップ材料、例えば、ＩｎＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＡｓ
1-y Ｓｂ
y 、Ｉｎ
1-x Ｇａ
x Ｓｂ、又はＩｎ
1-x Ｇａ
x Ａｓである。

2. 发明专利

JP4913324B2 Field-effect transistor 有权
公开(公告)号：JP4913324B2
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：JP2003579282
申请日：2003-03-17
申请人：キネティックリミテッド
发明人：ティモシージョナサンフィリップス
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L29/1029

3. 发明专利

JP4864202B2 How to hold the charge carriers to a single charge-carrier transistor, in the quantum dot, and detection method 有权
公开(公告)号：JP4864202B2
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：JP2000555299
申请日：1999-06-18
申请人：キネティックリミテッド
发明人：ジョンヘンリージェファーソン , ティモシージョナサンフィリップス
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/66 , H01L29/76 , H01L29/775 , H01L29/80
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/66469 , H01L29/7613 , H01L29/775 , Y10S977/937
摘要： A quantum wire field-effect transistor having at least one, one-dimensional, elongate conducting means (14) provided by at least a first semiconductor layer surrounded by a wider bandgap, second semiconductor layer (12, 13) and extending between source (24) and drain (26) electrodes, and in which there is provided a backgate structure (8, 23) to control conduction in the elongate conducting means. The transistor can be a Single Electron Transistor (SET) wherein two adjacent gate electrode (16, 18) are disposed over the elongate conducting means to induce a quantum dot (17) therein, and it can be made with the first semiconductor layer material as GaAs and the second semiconductor layer material as AlGaAs. A method of making the transistor involves preferentially growing the elongate conducting means at the bottom of a groove (6) lined with second semiconductor layer (12).

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