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4. 发明专利

JP2015228497A 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2015228497A
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：JP2015103630
申请日：2015-05-21
申请人：エルジーイノテックカンパニーリミテッド
发明人：ムン・ジヒョン , イ・サンヨル , パク・バンドゥー , キム・チョンソン , パク・サンロク , チョン・ビョンハク , イ・テヨン
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46
摘要：【課題】電気的特性と光抽出効率が改善された発光素子を提供する。【解決手段】第1導電型半導体層11、活性層12、第2導電型半導体層13を含む発光構造物10、発光構造物の下に配置されたミラー層21、ミラー層と発光構造物との間に配置されたウィンドウ半導体層15、ミラー層の下に配置された反射層30、反射層とウィンドウ半導体層との間に配置され、第2導電型半導体層に接触した伝導性接触層23、及び反射層の下に配置された伝導性の支持基板50を含み、ウィンドウ半導体層はカーボンがドーピングされたリン(P)系半導体を含み、ウィンドウ半導体層は第2導電型半導体層のドーパント濃度より高いドーパント濃度を有し、伝導性接触層はミラー層の材質と異なる材質を含み、ウィンドウ半導体層の厚さより薄い厚さを含む発光素子。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有改善的电特性和光提取效率的发光元件。解决方案：发光元件包括：发光结构10，包括第一导电类型的半导体层11，有源层 12和第二导电类型的半导体层13; 布置在发光结构下方的镜层21; 布置在镜层和发光结构之间的窗口半导体层15; 布置在镜层下方的反射层30; 布置在反射层和窗半导体层之间并与第二导电类型的半导体层接触的导电接触层23; 以及布置在反射层下方的导电支撑基板50。该窗半导体层包括掺杂有碳的磷基半导体，并且具有比第二导电类型的半导体层更高的掺杂剂浓度。导电接触层包括与镜层的材料不同的材料，并且具有比窗半导体层的厚度更薄的厚度。

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