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1. 发明专利

JP2017195768A 高周波オンパッケージ電圧レギュレータ审中-公开
公开(公告)号：JP2017195768A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2017116618
申请日：2017-06-14
申请人：インテルコーポレイション
发明人：アレクサンドルウアン−ゾ−リ , ドングエン
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/1584 , H02M2001/0009 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
摘要：【課題】高周波オンパッケージ電圧レギュレータを提供する。【解決手段】電圧レギュレータ300は、プラットフォームコントローラハブ(PCH)310と、DRMOS制御ユニット312と、出力ノードへ結合される複数のインダクタ118とを含む。PCHは、出力ノードでの出力電圧に対応する電圧フィードバック信号を受信し、電圧フィードバック信号とリファレンス電圧との間の差に基づき制御信号を出力する。DRMOS制御ユニットは、複数のスイッチトランジスタ114、116及びDRMOSコントローラ314を含む。スイッチトランジスタは、複数のインダクタを通じて出力ノードへ結合される。DRMOSコントローラは、PCHからの制御信号に基づき複数のインダクタを通じた出力電流の分配を決定し、複数のインダクタを通じて出力電流を共有するようスイッチトランジスタを制御する。【選択図】図3A

2. 发明专利

JP2016010312A 高周波オンパッケージ電圧レギュレータ审中-公开
标题翻译：高频封装电压调节器
公开(公告)号：JP2016010312A
公开(公告)日：2016-01-18
申请号：JP2015105114
申请日：2015-05-25
申请人：インテルコーポレイション
发明人：アレクサンドルウアン−ゾ−リ , ドングエン
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/1584 , H02M2001/0009 , H02M3/1588 , Y02B70/1466
摘要：【課題】高周波オンパッケージ電圧レギュレータを提供する。【解決手段】オンパッケージの電圧レギュレーションシステム300は、プラットフォームコントローラハブPCHと、ドライバ金属酸化膜半導体電界効果トランジスタDRMOS制御ユニット312と、出力ノードへ結合される複数のインダクタとを含む。PCHは、出力ノードでの出力電圧に対応する電圧フィードバック信号Vsenseを受信し、電圧フィードバック信号Vsenseとリファレンス電圧との間の差に基づき制御信号を出力する。DRMOS制御ユニット312は、複数のスイッチトランジスタ114,116及びDRMOSコントローラを含む。スイッチトランジスタ114,116は、複数のインダクタを通じて出力ノードへ結合される。DRMOSコントローラは、PCHからの制御信号に基づき出力電流を決定し、複数のインダクタを通じた出力電流の分配を決定するロジックを含む。【選択図】図3A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高频封装电压调节器。解决方案：一个封装上的电压调节系统300包括平台控制器集线器PCH，驱动器金属氧化物半导体场效应晶体管DRMOS控制单元312，以及耦合到输出节点的多个电感器。 PCH接收对应于输出节点处的输出电压的电压反馈信号Vsense，并且基于电压反馈信号Vsense和参考电压之间的差输出控制信号。 DRMOS控制单元312包括多个开关晶体管114,116和DRMOS控制器。开关晶体管114,116通过多个电感器耦合到输出节点。 DRMOS控制器包括基于来自PCH的控制信号确定输出电流并确定通过多个电感器的输出电流的分布的逻辑。

3. 发明专利

JP6374575B2 高周波オンパッケージ電圧レギュレータ审中-公开
公开(公告)号：JP6374575B2
公开(公告)日：2018-08-15
申请号：JP2017116618
申请日：2017-06-14
申请人：インテルコーポレイション
发明人：アレクサンドルウアン−ゾ−リ , ドングエン
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466

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