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2. 发明专利

JP2016514323A マルチダイＮＡＮＤメモリメモリデバイスのための自動中断動作および自動再開動作有权
标题翻译：自动停止操作和自动恢复操作的多芯片NAND存储器存储设备
公开(公告)号：JP2016514323A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2016500250
申请日：2014-02-13
申请人：インテル・コーポレーション
发明人：ガラム、アリ , ノブナガ、ディーン , グオ、ジェイソン
IPC分类号： G06F12/00 , G11C5/00
CPC分类号： G11C16/30 , G06F1/3275 , G11C5/148 , G11C8/12 , G11C16/225 , Y02B60/1228 , Y02D10/14
摘要：ソリッドステートドライブ等のマルチダイメモリにおけるピーク電流条件を、後のメモリ動作が高電流メモリ動作であるかどうかをマルチダイメモリの少なくとも1つのダイによって判断することにより、制御する方法と装置である。このような動作としては、ダイのチャージポンプを有効にするための動作、ダイのビットラインをチャージするための動作、またはプログラム/消去のループ動作、あるいはそれらの組み合わせなどである。後のメモリ動作が高電流メモリ動作であると判断される場合、ダイは、一時中断動作モードに入る。再開動作イベントに応答して、ダイにより動作が再開される。そのようなものとして、限定はされないが、ダイに特定して宛てられたコマンド、高電流メモリ動作が完了したという別のダイからの指示が挙げられる。いったん動作が再開されると、ダイは高電流メモリ動作を実行する。
摘要翻译：通过确定的至少一个管芯的多管芯是否多芯片存储器中或存储器中的峰值电流的条件下，所述存储器操作后是一高电流存储器操作，诸如固态驱动器是用于控制的装置和方法。这样的操作，该操作以使模具的电荷泵，用于管芯的位线充电的操作，或编程/擦除循环操作，或它们的组合等。如果它后存储器操作中确定高电流的存储器操作，所述模具进入操作的挂起模式。在响应恢复操作事件，由模具动作恢复。这样，但不限于，命令寻址到识别模包括从高电流存储器操作的另一管芯指令完成。一旦操作被恢复时，在模具进行高电流内存操作。

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