会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 9. 发明专利
    • High density flash memory cell string, cell element, and manufacturing method thereof
    • 高密度闪存存储器单元,单元及其制造方法
    • JP2013008995A
    • 2013-01-10
    • JP2012195079
    • 2012-09-05
    • Snu R & Db Foundationエスエヌユー アール アンド ディービー ファウンデーション
    • LEE JONG HO
    • H01L21/336H01L21/8247H01L27/115H01L29/788H01L29/792
    • H01L27/115H01L27/11568
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flash memory cell string and a method of manufacturing the same which has excellent miniaturization characteristics and can reduce dispersion of threshold voltage.SOLUTION: This invention is related to a flash memory cell string and a method of manufacturing the same. The flash memory cell string comprises: a plurality of cell elements; and switching elements connected to ends of the cell elements. The cell elements comprise: a semiconductor substrate; a penetration insulator film, a charge storage node, a control insulating layer, and a control electrode which are sequentially laminated on the semiconductor substrate. In each cell element, a source/drain region is not formed. The switching elements do not comprises a source or drain region in a side connected to the cell elements. The switching elements comprise the source or drain region in the other side that is not connected to the cell elements. The source or drain region does or does not overlap the control electrode.
    • 要解决的问题:提供一种具有优异的小型化特性并可以降低阈值电压的偏差的闪存单元串及其制造方法。 解决方案:本发明涉及闪存单元串及其制造方法。 闪存单元串包括:多个单元元件; 以及连接到电池元件的端部的开关元件。 电池元件包括:半导体衬底; 依次层压在半导体衬底上的穿透绝缘膜,电荷存储节点,控制绝缘层和控制电极。 在每个单元元件中,不形成源极/漏极区域。 开关元件不包括连接到电池元件的一侧中的源极或漏极区域。 开关元件包括不连接到电池元件的另一侧中的源极或漏极区域。 源极或漏极区域与控制电极重叠或不重叠。 版权所有(C)2013,JPO&INPIT