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1. 发明专利

JP2017502519A エンハンスメント型デバイスの製造方法およびエンハンスメント型デバイス审中-公开
标题翻译：制造方法和增强型器件的增强型器件
公开(公告)号：JP2017502519A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2016542926
申请日：2014-12-24
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：凱程 , 凱程
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0657 , H01L29/0692 , H01L29/1037 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/4236 , H01L29/66462 , H01L29/7786 , H01L29/7789
摘要：エンハンスメント型デバイスの製造方法であって、基板(1)を提供し、ゲート領域、ソース領域、およびドレイン領域が定義され、ゲート領域に少なくとも1つの非平面構造が形成される窒化物チャネル層(4)を基板上に堆積し、少なくとも1つの非平面構造が形成される窒化物バリア層(5)を窒化物チャネル層上に堆積し、前記窒化物バリア層(5)上にゲート(7)、ソース(8)、およびドレイン(9)を形成することを含む。本発明によれば、窒化物バリア層(5)をエッチングする必要がなく、能動領域のダメージによるデバイス性能低下、例えば、低い電流密度または電流コラプスなどの効果が回避される。また、Mg原子を導入してp型窒化物を実現することも必要でなく、MOCVDまたはMBEチャンバーへの汚染が回避される。
摘要翻译：一个增强型器件的制造方法，提供衬底（1），一个栅极区，源极区域和漏极区域被定义，在栅极区域中形成的至少一个非平面结构的氮化物沟道层（4 ）中的溶液沉积在基板上，形成至少一个非平面结构（5）被沉积在氮化物沟道层上的氮化物势垒层，在所述栅极（7）的氮化物阻挡层（5），源（8），并形成漏极（9）。根据本发明，没有必要将氮化物阻挡层（5），该装置性能退化蚀刻由于活性区域的损伤，例如，避免影响，如低电流密度或电流崩塌。此外，并非也有必要通过引入的Mg原子实现的p型氮化物，污染避免了MOCVD或MBE室。

2. 发明专利

JP2016524817A 半導体デバイスおよびその製作方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016524817A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2016517130
申请日：2014-01-06
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：凱程 , 凱程
IPC分类号： H01L29/41 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/402 , H01L21/283 , H01L21/31 , H01L21/31116 , H01L21/32139 , H01L21/76804 , H01L29/2003 , H01L29/401 , H01L29/41 , H01L29/417 , H01L29/41725 , H01L29/42352 , H01L29/42356 , H01L29/66136 , H01L29/66143 , H01L29/66462 , H01L29/66681 , H01L29/7787 , H01L29/7823 , H01L29/8611 , H01L29/868 , H01L29/872
摘要：半導体デバイスおよびその製作方法を提供する。該半導体デバイスは、半導体デバイス能動領域1と電極形状制御層2と電極5とを含む。電極形状制御層2は、半導体デバイス能動領域1上に位置し、アルミニウム元素を含有し、アルミニウム元素の含有量が、半導体デバイス能動領域1から、下から上へ漸次減少し、電極形状制御層2には電極領域が設けられ、電極領域には、半導体デバイス能動領域1に延びて縦方向に前記電極形状制御層2を貫通する溝が設けられ、溝の側面の全部または一部が、斜面、または両側に凹む円弧状のスロープ、または中央に突出する円弧状のスロープである。電極5は、全部または一部が電極領域における溝内に位置し、形状が溝の形状に対応するように設定され、底部が半導体デバイス能動領域1に接触する。電極5の形状を制御することにより、電極5付近の電界強度の分布を変更し、半導体デバイスの破壊電圧および信頼性などの性能を向上させる。
摘要翻译：提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括一半导体器件有源区1和电极形状控制层2和电极5。电极形状控制层2位于半导体器件有源区1包含元素铝上，铝元素的含量逐渐从半导体器件有源区1下降，从底部到顶部，电极形状控制层2 设置在电极区域，电极区域，被设置在垂直方向上贯通槽电极形状控制层2中的半导体装置延伸的有源区1中，所有或凹槽的侧表面的一部分，斜率，或弧形坡道或弧形倾斜突出的中心，凹进在两侧。电极5被定位在槽整体或在电极区域部分，其形状被设置以便对应于槽底部的形状与所述半导体器件有源区1相接触。通过控制电极5的形状，它改变了电场强度的电极5附近的分布，以提高性能，如半导体器件的击穿电压和可靠性。

3. 发明专利

JP2016509756A 窒化物高電圧デバイスおよびその製造方法有权
标题翻译：氮化物的高电压设备及其制造方法
公开(公告)号：JP2016509756A
公开(公告)日：2016-03-31
申请号：JP2015556382
申请日：2014-01-06
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：程凱
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/3065 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78
摘要：窒化物高電圧デバイスおよびその製造方法であって、窒化物高電圧デバイスは、シリコン基板(1)と、シリコン基板上に位置する窒化物核形成層(2)と、窒化物核形成層上に位置する窒化物バッファ層(3)と、窒化物バッファ層上に位置する窒化物チャネル層(4)と、窒化物チャネル層に接触するソース(6)およびドレイン(7)、並びにソースとドレインとの間に位置するゲート(8)と、を含み、ゲートとドレインとの間の領域の下方における窒化物核形成層とシリコン基板との間には、1つまたは複数の局所的な空間分離領域(11)が設けられている。ゲートとドレインとの間の窒化物エピタキシャル層の下方のシリコン基板の一部分を除去することにより、シリコン基板と、高電圧に耐えることが可能な窒化物エピタキシャル層とを分離し、シリコン基板によって引き起こすことが可能な縦方向の破壊を避け、高い破壊電圧に耐えることが可能なデバイスを実現する。
摘要翻译：一种氮化物的高电压设备及其制造方法，氮化物的高电压设备包括硅衬底（1），位于所述硅衬底，（2），氮化物成核层上的氮化物成核层位置氮化物缓冲层（3），氮化物沟道层位于氮化物缓冲层（4），源极（6）和漏极（7）与所述氮化物沟道层接触，并且源极和漏极的栅极（8）位于之间，其中，一个或多个局部空间分离区时的氮化物的成核层与所述栅极和漏极之间的区域的下方的硅基板（11）设置。通过去除栅极和漏极，并且所述硅衬底，并且能够承受高电压隔离的氮化物外延层之间的氮化物外延层下面的硅衬底的一部分，它是由硅衬底引起的避免可能的断裂的垂直方向上实现能够承受高击穿电压的装置。

4. 发明专利

JP2017507478A 半導体基板、半導体デバイス、および半導体基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017507478A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2016544829
申请日：2015-01-07
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：凱程 , 凱程
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/20 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/12 , H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L33/0066 , H01L33/0075 , H01L33/18 , H01L33/26
摘要：本発明は、半導体基板、半導体デバイス、および半導体基板の製造方法を開示している。ここで、半導体基板(1)は、第1半導体層(11)と、第1半導体層上に位置する第2半導体層(12)と、を含み、第1半導体層および第2半導体層、並びに、それぞれをその結晶格子対称性に応じて回転させたものは、全て、垂直方向に異なる劈開面を有する。半導体基板を複合型基板構造にすることにより、同様な基板の厚さの条件で、半導体エピタキシャル層から加えられる応力による半導体基板へのダメージを減少することができ、半導体基板の破砕の確率を減少するとともに、プロセスの難しさを低減し、半導体デバイスの信頼性を強めることができる。

5. 发明专利

JP2016539496A ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法有权
标题翻译： III族氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016539496A
公开(公告)日：2016-12-15
申请号：JP2016522773
申请日：2014-10-14
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：凱程 , 凱程
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0254 , H01L23/3171 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786
摘要： III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法に関する。該III族窒化物半導体デバイスは、基板上に成長した窒化物半導体層およびパッシベーション層を含み、ソースおよびドレイン、並びに、ソースとドレインとの間のゲートも含む。ここで、上記窒化物半導体層は、窒化物核形成層、窒化物バッファ層、窒化物チャネル層、窒化物バリア層を含み、上記パッシベーション層は、ゲート領域において窒化物バリア層を暴露するまでエッチングされ、ゲートに溝が形成されている。窒化物バリア層とゲート金属層との間には、基板の方向から順次に形成された窒化物誘電体層、酸窒化物誘電体層、および酸化物誘電体層の組み合わせ構造を含む複合誘電体層が用いられる。複合誘電体層構造は、界面状態密度の増加を引き起こすことなく、従来の単層の酸化物誘電体層のIII族窒化物半導体デバイスに比べ、半導体デバイスのリークおよび電流コラプス効果を同時に低減させることができる。
摘要翻译： III族氮化物半导体器件及其制造方法。 III族氮化物半导体器件包括：氮化物半导体层和生长在衬底，源极和漏极上的钝化层，并且还包括在源极和漏极之间的栅极。这里，氮化物半导体层，氮化物成核层，氮化物缓冲层，氮化物沟道层，其中所述氮化物阻挡层，该蚀刻直到钝化层，在栅极区域暴露氮化物阻挡层是在栅极沟槽中形成。氮化物阻挡层和栅极金属层，其被顺序地从该衬底电介质层，氮氧化物介电层的方向形成的氮化物，以及包含该氧化物介电层的组合结构的复合电介质之间用于层。复合介电层的结构，而不会导致在界面态密度的增加，相对于传统的单层的氧化物介电层的III族氮化物半导体装置中，在同一时间减少泄漏和半导体器件的电流崩塌效应可以。

6. 发明专利

JP2016510514A 窒化物パワーデバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物功率器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016510514A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：JP2015556386
申请日：2014-01-27
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc. , 蘇州晶湛半導体有限公司Enkris Semiconductor,Inc.
发明人：程凱
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/417 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/812 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/1075 , H01L29/0634 , H01L29/1083 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/42364 , H01L29/66522 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/78 , H01L29/872
摘要：本発明では、窒化物パワーデバイスおよびその製造方法を提供している。この窒化物パワーデバイスでは、従来のデバイスの構成を基にして、シリコン基板において、p型シリコン層およびn型シリコン層を交互に配列した半導体ドーピング複数層構造が製作され、印加電圧が窒化物パワーデバイスに印加される場合、半導体ドーピング複数層構造の各層ごとに、1つの空間電荷空乏領域が形成され、1つまたは複数の空間電荷空乏領域の重ね合わせによって、デバイス全体の破壊電圧を大幅に向上させ、デバイスが電圧により破壊されるリスクを低減させる。これとともに、本発明では、上記窒化物パワーデバイスの製造方法も提供している。
摘要翻译：另外，在本发明中，提供一种氮化物功率器件及其制造方法。该氮化物功率器件，基于传统的装置中，硅衬底，布置在交替的p型硅层和所述n型硅层的半导体掺杂多层结构的构造被制造，施加电压的氮化物功率当施加到器件，半导体的各层掺杂多层结构，是由一个或多个所述空间电荷耗尽区的叠加形成的空间电荷耗尽区中的一个，显著提高整个器件的击穿电压是，降低了装置的风险由电压破坏。伴随于此，本发明还提供制造该氮化物功率器件的方法。

7. 发明专利

JP6588340B2 窒化物パワーデバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6588340B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2015556386
申请日：2014-01-27
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司 , ENKRIS SEMICONDUCTOR,INC.
发明人：程凱
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/417 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/338

9. 发明专利

JP6244019B2 III族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6244019B2
公开(公告)日：2017-12-06
申请号：JP2016522773
申请日：2014-10-14
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司 , ENKRIS SEMICONDUCTOR,INC.
发明人：程凱
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/31 , H01L21/318 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02178 , H01L21/0228 , H01L21/02326 , H01L21/0254 , H01L23/3171 , H01L29/2003 , H01L29/4236 , H01L29/511 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/7786

10. 发明专利

JP6182794B2 窒化物高電圧デバイスおよびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6182794B2
公开(公告)日：2017-08-23
申请号：JP2015556382
申请日：2014-01-06
申请人：蘇州晶湛半導体有限公司 , ENKRIS SEMICONDUCTOR,INC.
发明人：程凱
IPC分类号： H01L29/812 , H01L29/778 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/30612 , H01L21/3065 , H01L29/0649 , H01L29/1083 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78

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