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1. 发明专利

JP2021007141A パッチ式で単粒小サイズ、及び配列型のチップ半導体ユニットに用いる封入方法有权
公开(公告)号：JP2021007141A
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：JP2019132350
申请日：2019-07-18
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 邱承賢 , 黄興材 , 黄興祥
IPC分类号： H01L21/56
摘要：【課題】パッチ式で単粒小サイズ、及び配列型のチップ半導体ユニットに用いる封入方法の提供【解決手段】本発明はパッチ式で単粒小サイズ、及び配列型のチップ半導体に用いる封入方法である。この方法は、回路板両面連通設計の方法を通じて、両面回路板の内外層に二個または複数個の接続端点を予め残し、且つ穴あけ及び電気めっきの製造過程を通じて内外層の回路を連結し、内層の二個または複数個の接続端点を内部電極として半導体ダイスとの連結に使用し、外層の二個または複数個の接続端点を外部電極としてSMTはんだ付けの際に使用する。【選択図】図2A

3. 发明专利

JP5261511B2 High-temperature operation zinc oxide surge prevention element 有权
公开(公告)号：JP5261511B2
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：JP2011013358
申请日：2011-01-25
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 朱頡安 , 徐至賢 , 黄興祥 , 方廷毅
IPC分类号： H01C7/04 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/10 , H01C7/12
摘要： A ZnO surge arrester for high-temperature operation is characterized in that a grain boundary layer between ZnO grains thereof contains a BaTiO 3 -based positive temperature coefficient thermistor material, which takes 10-85 mol% in the overall grain boundary layer, and when operating temperature raises, the positive temperature coefficient thermistor material in the grain boundary layer has its resistance sharply increasing with the raising temperature, so as to compensate or partially compensate decrease in resistance of components in the grain boundary layer caused by the raising temperature, thereby making the resistance of the grain boundary layer in the ZnO surge arrester more independent of temperature. The ZnO surge arrester thus is suitable for operation where a maximum operating temperature is higher than 125°C, or even higher than 150°C.

4. 发明专利

JP2012060099A High-temperature operation zinc oxide surge prevention element 有权
标题翻译：高温操作氧化锌防护元素
公开(公告)号：JP2012060099A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：JP2011013358
申请日：2011-01-25
申请人： Leader Well Technology Co Ltd , 立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人： LIEN CHING-HOHN , ZHU JIE-AN , XU ZHI-XIAN , HUANG XING-XIANG , FANG TING-YI
IPC分类号： H01C7/12 , H01C7/02
CPC分类号： H01C7/112 , H01C7/10 , H01C7/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ZnO surge prevention element for high-temperature operation.SOLUTION: A particle boundary layer between ZnO particles of a ZnO surge prevention element contains a BaTiObased positive temperature coefficient thermistor material occupying 10-85 mol% of all the particle boundary layers, and when an operating temperature rises, a resistance of the positive temperature coefficient thermistor material of the particle boundary layer increases rapidly and compensates or partially compensates a resistance decrease due to a temperature rise of an another component in the particle boundary layer, and thereby, the resistance of the particle boundary layer of the ZnO surge prevention element is made not dependent on a temperature. Therefore, the ZnO surge prevention element is suitable for an operation where the maximum operating temperature is higher than 125°C, or exceeds 150°C.
摘要翻译：要解决的问题：提供用于高温操作的ZnO浪涌防止元件。解决方案：ZnO浪涌防止元件的ZnO颗粒之间的颗粒边界层包含占据所有颗粒的10-85mol％的基于正温度系数的热敏电阻材料的BaTiO 3 并且当工作温度上升时，粒子边界层的正温度系数热敏电阻材料的电阻迅速增加，并补偿或部分地补偿由于粒子边界层中的另一成分的温度上升引起的电阻降低，因此，防止ZnO浪涌元件的粒子边界层的电阻不依赖于温度。因此，ZnO防浪涌元件适用于最高工作温度高于125℃或超过150℃的操作。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

5. 发明专利

JP4571164B2 Ceramic material that is used for protection against electrical overstress, and low capacitance multilayer chip varistor to use it 有权
公开(公告)号：JP4571164B2
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：JP2007085883
申请日：2007-03-28
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：朱頡安 , 林居南 , 章麗雲 , 連偉成 , 連清宏 , 郭政宗 , 黄興光
IPC分类号： H01C7/10

6. 实用新型

JP3167399U 多層セラミック素子の構造失效
标题翻译：的多层陶瓷元件的结构
公开(公告)号：JP3167399U
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2011000609
申请日：2011-02-07
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 許鴻宗
IPC分类号： H01G4/30 , H01F27/29 , H01G4/12
摘要：【課題】めっき工程がなく、従って環境を汚染することなく製造される多層セラミック素子を提供する。【解決手段】本多層セラミック素子50は、千鳥状になった複数の内部電極65を内部に含み両端に該千鳥状の内部電極に電気的に接続された導電電極70が設けられたセラミック本体60を備える。該各導電電極はハンダペースト層72で覆われている。従って、この多層セラミック素子は、めっき工程なしで製造されるので、めっき液による環境汚染を防ぎ、ニッケル廃液またはスズ廃液を処理するための時間と費用を省くことが出来、製造コストが低減され処理時間が短縮される。【選択図】図4
摘要翻译：无电镀处理，从而提供不污染环境的制造的多层陶瓷器件。阿本多层陶瓷元件50，陶瓷体60，其电连接到导电电极70的多个内部电极65成为交错到两端的交错内部电极的在其中包括提供配备了。相应的导电电极覆盖有焊料膏层72。因此，多层陶瓷器件，因为它们是没有电镀工艺，以防止环境污染，由于电镀溶液中产生，所以能够节省时间和成本用于处理废镍或锡废物，生产成本降低处理时间缩短。点域4

7. 发明专利

JP2018056559A 多層バリスタ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018056559A
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：JP2017177987
申请日：2017-09-15
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 朱頡安 , 徐志賢 , 方廷毅 , 許鴻宗
IPC分类号： H01C7/18 , H01C7/112
CPC分类号： H01C17/06 , H01C1/14 , H01C7/1006 , H01C7/102 , H01C7/112 , H01C7/18 , H01C17/065 , H01C17/06546 , H01C17/281
摘要：【課題】内部電極から上方および下方キャップを通って外部電極に流れる電流を抑制し、より広い通電面積を有する多層バリスタの製造方法を提供する。【解決手段】下方キャップ24、および上方キャップ26にアルカリ金属イオンを拡散することにより高インピーダンス材料とする。これにより、下方キャップ24、および上方キャップ26の厚さtを内部電極ギャップgより小さく、0.1倍以上の厚さとしても下方キャップ24、および上方キャップ26のインピーダンスを内部電極ギャップgのインピーダンスよりも高くする。【選択図】図4

8. 发明专利

JP2016152416A 多機能小型表面実装部品、及び、これを製造する方法审中-公开
标题翻译：多功能微型表面安装装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2016152416A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2016021801
申请日：2016-02-08
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 黄興祥 , 黄興材 , 朱頡安 , 許鴻宗 , 陳逸偉 , 江榮峻
IPC分类号： H05K5/00 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L23/3121 , H01L23/49805 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L21/561 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32145 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L2225/06551 , H01L23/49833 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2924/186
摘要：【課題】リードフレームを使用せず、多機能化を実現した多機能小型表面実装部品、及び、これを製造する方法を提供する。【解決手段】表面実装部品(SMD)10は、リードフレームを用いず、単一のダイ、又は、直列、並列若しくは直列及び並列の任意の組み合わせで電気的に接続される2つ以上のダイから形成される多機能ダイモジュールを含み、多機能ダイモジュールが搭載される下側回路基板50、上側回路基板60、2つの回路電極、封入材75、並びに、2つの外側電極80a及び80bを備える。【効果】より少ない構成要素から形成され、作製がより簡単であり、レイアウトワイヤ長さ及びノイズをより効果的に低減する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种多功能的小型化的表面贴装装置，而不使用引线框架实现多功能性，以及制造这种多功能小型化表面贴装器件的方法。解决方案：表面贴装器件（SMD） 10不使用引线框架，并且包括由单个管芯或两个或更多个串联，并联或串联和并联的任何组合电连接的模具形成的多功能模具模块。 SMD还包括：安装多功能模块模块的下电路板50; 上电路板60; 两个电路电极; 密封剂75; 和两个外部电极80a和80b.EFFECT：SMD由较少的部件形成，制造更简单，更有效地减少布线长度和噪声。选择图：图1

9. 发明专利

JP2015133487A 小型SMDダイオードパッケージおよびその製造プロセス有权
标题翻译：微型贴片二极管封装及其制造方法
公开(公告)号：JP2015133487A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：JP2014260789
申请日：2014-12-24
申请人：立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人：連清宏 , 黄興祥 , 黄興材 , 許鴻宗 , 陳逸偉
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/28 , H01L23/48 , H05K3/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4853 , H01L21/4867 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/78 , H01L23/02 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/49805 , H01L23/49833 , H01L24/96 , H01L29/861 , H05K1/117 , H05K1/144 , H05K1/145 , H05K3/403 , H01L2224/06181 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/29294 , H01L2224/29311 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29369 , H01L2224/32168 , H01L2224/32227 , H01L2224/33181 , H01L2224/83101 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83801 , H01L2224/83851 , H01L2224/92 , H01L2224/97 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L25/0652 , H01L2924/1203 , H01L2924/12032 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/15787 , H01L2924/1579 , H01L2924/15798 , H01L2924/181 , H01L2924/186
摘要：【課題】小型SMDダイオードパッケージを提供すること。【解決手段】小型SMDダイオードパッケージは、底面が正電極および負電極を有するダイオードチップを使用すること、パッケージング中に従来のリードフレームの代わりに回路基板を使用すること、ならびに、チップボンディングを行うために電荷結合デバイス(CCD)画像登録技術を使用することを含む。同小型SMDダイオードパッケージを製造するためのプロセスによってもたらされる有益な利点は、製造プロセスを簡略化し、製作費を低減すること、従来使用されているリードフレームの代わりに回路基板を使用することによって、小型SMDダイオードパッケージを製造する際の精度および精密度を改良すること、ならびに、製造された小型SMDダイオードパッケージが、歪みまたは欠陥なく、確実に優れたダイオード特性を備えるようにすることを含む。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种小型化的SMD二极管封装。解决方案：小型化SMD二极管封装包括：使用底表面具有正极和负极的二极管芯片; 在包装期间使用电路板代替传统的引线框架; 并使用电荷耦合器件（CCD）图像配准技术来执行芯片接合。微型SMD二极管封装生产过程带来的有益优势包括：简化生产工艺，降低生产成本; 通过使用电路板代替常规使用的引线框来提高制造小型化SMD二极管封装的精度和精度; 并确保生产的小型化SMD二极管封装具有优异的二极管特性，无失真或缺陷。

10. 发明专利

JP2011040734A Process which produces zinc oxide varistor through two independent procedures for producing zinc oxide varistor 有权
标题翻译：通过生产氧化锌变体的两个独立程序生产氧化锌变性体的方法
公开(公告)号：JP2011040734A
公开(公告)日：2011-02-24
申请号：JP2010161820
申请日：2010-07-16
申请人： Leader Well Technology Co Ltd , 立昌先進科技股▲分▼有限公司
发明人： LIEN CHING-HOHN , ZHU JIE-AN , KUO CHENG-TSUNG , LIN JIU-NUN , XU ZHI-XIAN , XU HONG-ZONG , FANG TING-YI , HUANG XING-XIANG
IPC分类号： H01C7/10 , C01G9/02 , C04B35/453
CPC分类号： H01C7/112
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a process for producing zinc oxide varistor. SOLUTION: Doped zinc oxide and sintering material of high impedance are mixed together at a predetermined ratio. Then, doping of zinc oxide and sintering of zinc oxide particles with high impedance sintering material are performed by two independent procedures so that zinc oxide varistor is produced with conventional technology using the mixture by sintering at a low temperature (less than 900°C). The resulting zinc oxide varistor can use pure silver as an internal electrode. It has at least one of varistor characteristics, thermistor characteristics, capacitor characteristics, inductor characteristics, piezoelectric properties, and magnetic properties. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种生产氧化锌压敏电阻的方法。解决方案：掺杂的氧化锌和高阻抗的烧结材料以预定的比例混合在一起。然后，通过两个独立的方法进行氧化锌的掺杂和氧化锌颗粒的烧结，通过两个独立的方法，以常规技术制备氧化锌变阻器，使用混合物在低温（低于900℃）下烧结。所得到的氧化锌变阻器可以使用纯银作为内部电极。它具有压敏电阻特性，热敏电阻特性，电容特性，电感特性，压电特性和磁特性中的至少一个。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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