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1. 发明专利

JP2012121776A Caf2-mgf2 binary sintered compact and method for producing plasma-proof fluoride sintered compact 有权
标题翻译： CAF2-MGF2二次烧结复合材料及其制备方法
公开(公告)号：JP2012121776A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：JP2010275063
申请日：2010-12-09
申请人： Daiko Seisakusho:Kk , 株式会社大興製作所
发明人： NAKAMURA TETSUYUKI , SHIGEOKA TAKUJI , IKEDA TAKESHI
IPC分类号： C04B35/553 , H01L21/3065 , H01L21/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide CaF-MgFbinary sintered compact suitable for components required of high plasma resistance, high mechanical strength and impact resistance in an apparatus for producing a silicon semiconductor and compound semiconductor, etc.SOLUTION: This binary sintered compact comprises CaF-MgFsintered compact including 1.5-10 wt.% of MgF, and has a dense structure that the bulk density of the sintered compact is 3.00 g/cmor more.
摘要翻译：要解决的问题：提供适合于需要高等离子体电阻的部件的CaF 2 -MgF 2 二元烧结体，在用于制造硅半导体和化合物半导体的装置中的高机械强度和耐冲击性等。解决方案：该二元烧结体包括CaF 2 -MgF 2 烧结体，其包含1.5-10重量％的MgF 2 ，并且具有致密结构，烧结体的堆积密度为3.00 g / cm 3 或更多。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

2. 发明专利

JP2021079344A 紫外線照射装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021079344A
公开(公告)日：2021-05-27
申请号：JP2019209841
申请日：2019-11-20
申请人：株式会社大興製作所
发明人：三上仁 , 菊池亮
IPC分类号： B01J19/12
摘要：【課題】LEDモジュールから発光された紫外線をガラス管の略全面、全周から均質に外部へ照射することができる紫外線照射装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によれば、内面及び/又は外面に紫外線を散乱させる微細な凹凸が形成された、紫外線を透過するガラス管と、前記ガラス管の一の端部に設けられた紫外線発光LEDモジュールと、そして前記ガラス管の他の端部に設けられた反射板とからなる紫外線照射装置が提供される。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2021067860A 位置合わせ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021067860A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：JP2019193978
申请日：2019-10-25
申请人：国立大学法人秋田大学 , 株式会社大日本科研 , 株式会社大興製作所 , 株式会社武藤電子工業
发明人：河村希典 , 下村一郎 , 米谷匡弘 , 須田真通 , 武藤聖英
IPC分类号： G01B11/00 , G03F9/00
摘要：【課題】高倍率のレンズを用いた小型の位置合わせ装置を提供する。【解決手段】位置合わせ装置1は、撮影部11と、フォトマスク2及び基板3からなる撮影部11の撮影対象4と撮影部11との間に配置される液晶レンズ12と、液晶レンズ12に駆動電圧を印加する液晶レンズ駆動部73と、液晶レンズ駆動部73に駆動電圧を変更させることによって撮影部11の焦点距離を変更し、撮影部11に各焦点距離における第1アライメントマーク41又は第2アライメントマーク42を含む画像を撮影させる制御部6と、を備える。【選択図】図1

4. 发明专利

JPWO2015005006A1 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法有权
标题翻译：氟化物的烧结体和用于中子减速器及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2015005006A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2014561664
申请日：2014-05-27
申请人：国立大学法人筑波大学 , 株式会社大興製作所
发明人：博明熊田 , 哲之中村 , 卓二重岡 , 毅池田
IPC分类号： C04B35/553
CPC分类号： C04B35/64 , C01F5/28 , C04B35/553 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , C04B2235/3206 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , G21C5/12 , G21K1/00
摘要：高エネルギーの中性子線を減速して身体深部の患部に照射して腫瘍を消滅させる治療用中性子線などを生ぜしめる減速材に適したフッ化物焼結体であって、緻密な多結晶構造のMgF2からなり、嵩密度が2.90g/cm3以上、曲げ強度が10MPa以上、ビッカース硬度が71以上の機械的強度を有する中性子線減速材用フッ化物焼結体を提供する。
摘要翻译：适于主持人氟化物烧结体引起该减速用高能中子照射到身体深歼肿瘤患部，致密的多晶结构氟化镁这样的治疗中子束由堆密度为2.90克/厘米3或以上，弯曲大于10MPa的强度，维氏硬度提供了具有71或更多个机械强度氟化物烧结体中子慢。

5. 发明专利

JP5578507B2 CaF2-MgF2 method of manufacturing a binary system sintered body, and plasma resistance fluoride sintered body 有权
公开(公告)号：JP5578507B2
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：JP2009254436
申请日：2009-11-05
申请人：株式会社大興製作所
发明人：哲之中村 , 卓二重岡
IPC分类号： C04B35/553 , H01L21/205 , H01L21/3065

6. 发明专利

JP5185213B2 Method of manufacturing the plasma resistance fluoride sintered body 有权
公开(公告)号：JP5185213B2
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：JP2009142911
申请日：2009-06-16
申请人：株式会社大興製作所
发明人：哲之中村 , 卓二重岡
IPC分类号： C04B35/553 , C04B35/64 , H01L21/31

8. 发明专利

JP2016064978A 放射線減速材用MgF2−CaF2二元系焼結体及びその製造方法审中-公开
标题翻译： MgF2-CaF2二元系统用于辐射调制器的烧结体及其制造方法
公开(公告)号：JP2016064978A
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：JP2015185053
申请日：2015-09-18
申请人：国立大学法人筑波大学 , 株式会社テクノアイ , 株式会社大興製作所
发明人：熊田博明 , 中村哲之 , 池田毅 , 重岡卓二
IPC分类号： G21F1/08 , C04B35/553
CPC分类号： A61N5/10 , C04B35/553 , C04B35/6261 , C04B35/62685 , C04B35/64 , G21F1/00 , G21K1/00 , A61N2005/109 , A61N2005/1098 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/449 , C04B2235/5436 , C04B2235/5481 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/96
摘要：【課題】放射線減速性能、特に中性子線減速性能に優れた緻密な多結晶構造の放射線減速材用MgF 2 −CaF 2 二元系焼結体の提供。【解決手段】MgF 2 にCaF 2 を0.2wt.%以上90wt.%以下含み、その嵩密度が2.96g/cm 3 以上であり、曲げ強度が15MPa以上、ビッカース硬度が90以上の機械的強度を有する放射線減速性能、特に中性子線減速性能に優れた緻密な多結晶構造のMgF 2 −CaF 2 二元系焼結体。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有致密多晶结构的放射线调节剂的MgF-CaFbinary系烧结体，其辐射调节性能优异，特别是中子调节性能。解决方案：提供一种MgF-CaFb系统烧结体相对于MgF含有0.2〜90重量％的CaFin的致密多晶体结构体的堆积密度为2.96g / cm 3以上，弯曲强度的机械强度为15MPa以上，维氏硬度为90以上并且辐射节制性能优异，特别是在中子调节性能方面。选择图：图3

9. 发明专利

JP5813258B2 中性子線減速材用フッ化物焼結体及びその製造方法有权
标题翻译：氟化物的烧结体和用于中子减速器及其制造方法
公开(公告)号：JP5813258B2
公开(公告)日：2015-11-17
申请号：JP2014561664
申请日：2014-05-27
申请人：国立大学法人筑波大学 , 株式会社大興製作所
发明人：熊田博明 , 中村哲之 , 重岡卓二 , 池田毅
IPC分类号： C04B35/553
CPC分类号： C04B35/64 , C01F5/28 , C04B35/553 , C04B35/6261 , C04B35/62695 , G21K1/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6583 , C04B2235/661 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , C04B2235/9615 , G21C5/12

10. 发明专利

JP2011001198A Method for producing plasma-proof fluoride sintered compact 有权
标题翻译：生产等离子体氟化物烧结的方法
公开(公告)号：JP2011001198A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：JP2009142911
申请日：2009-06-16
申请人： Daiko Seisakusho:Kk , 株式会社大興製作所
发明人： NAKAMURA TETSUYUKI , SHIGEOKA TAKUJI
IPC分类号： C04B35/553 , C04B35/64 , H01L21/31
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a fluoride sintered compact suitable for a component required for high plasma-proof characteristics in an apparatus for producing a silicon semiconductor, a compound semiconductor and the like.SOLUTION: The method for producing the fluoride sintered compact includes: a step to mix 1-5 wt.% of a high purity MgFpowder with a high purity CaFpowder and further add and mix 0.1-1 wt.% of a sintering auxiliary agent; a molding step at a press pressure of 0.2 MPa/cmor more using a mold and a press-molding machine; a step to temporarily sinter the molded material by heating at 600-700°C in the atmosphere; and a step to form a CaF-MgFbinary sintered compact having a dense structure by heating at 1,250-1,370°C for 6-12 hours in the atmosphere.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适用于制造硅半导体，化合物半导体等的高等离子体特性所需的成分的氟化物烧结体的制造方法。烧结体包括：将1-5重量％的高纯度MgF粉末与高纯度CaFfder混合的步骤，并进一步加入和混合0.1-1重量％的烧结助剂; 使用模具和压力成型机进行压力压力为0.2MPa / cm 2以上的成型工序; 通过在大气中在600-700℃下加热来临时烧结成型材料的步骤; 以及通过在大气中在1,250-137℃加热6-12小时形成具有致密结构的CaF-MgFbinary烧结体的步骤。

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