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1. 发明专利

JP5878957B2 めっき用バレル有权
标题翻译：电镀桶
公开(公告)号：JP5878957B2
公开(公告)日：2016-03-08
申请号：JP2014148916
申请日：2014-07-22
申请人：株式会社ベイテックジャパン
发明人：大湾峻
IPC分类号： C25D17/20

2. 发明专利

JP2017122251A めっき用バレル有权
公开(公告)号：JP2017122251A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016000559
申请日：2016-01-05
申请人：株式会社ベイテックジャパン
发明人：大湾峻
IPC分类号： C25D17/20
摘要：【課題】バレルめっき装置に使用するめっき用バレルに関し、開口率が大で、めっき液の流通が良好で、被めっき物が挟まり難い半円のスリットを形成しためっき用バレルを提供する。【解決手段】めっき用バレルの側壁部における第一側壁板22に形成した多数の孔4は、円弧状の方向が180度異なる第一スリット41、41aと第二スリット42、42aの2種類からなり、第一スリット41、41aの半円の中間点M1は、第一仮想碁盤の目E1にそれぞれ位置するように配置しており、第二スリット42、42aの半円の中間点M2は、第二仮想碁盤の目E2にそれぞれ位置するように配置し、各スリット41、41a、42、42aの周縁に、所定角度の面取り部を形成したものである。【選択図】図4

3. 发明专利

JP5948514B1 めっき用バレル有权
标题翻译：电镀桶
公开(公告)号：JP5948514B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2016000559
申请日：2016-01-05
申请人：株式会社ベイテックジャパン
发明人：大湾峻
IPC分类号： C25D17/20
摘要：【課題】バレルめっき装置に使用するめっき用バレルに関し、開口率が大で、めっき液の流通が良好で、被めっき物が挟まり難い半円のスリットを形成しためっき用バレルを提供する。【解決手段】めっき用バレルの側壁部における第一側壁板22に形成した多数の孔4は、円弧状の方向が180度異なる第一スリット41、41aと第二スリット42、42aの2種類からなり、第一スリット41、41aの半円の中間点M1は、第一仮想碁盤の目E1にそれぞれ位置するように配置しており、第二スリット42、42aの半円の中間点M2は、第二仮想碁盤の目E2にそれぞれ位置するように配置し、各スリット41、41a、42、42aの周縁に、所定角度の面取り部を形成したものである。【選択図】図4
摘要翻译：甲关乎镀桶在滚镀装置中使用，该开口率大时，电镀液的良好分布，以提供其中在要电镀落入半圆的硬物上形成缝隙的电镀用滚筒。大量从两个第一狭缝41,41a和第二狭缝42,42a弧形方向形成于所述第一侧壁板22在电镀筒的侧壁孔4是180度不同的成为第一狭缝41,41a的半圆的中点M1被布置成以位于分别在第一虚拟网格图案E1，第二狭缝42,42a是半圆的中点M2，和布置，以便被分别位于第二虚拟栅格图案E2，狭缝41，41A，42，42a的外周，通过形成预定角度的倒角部获得。点域4

4. 发明专利

JP2016023339A めっき用バレル有权
标题翻译：玻璃棒
公开(公告)号：JP2016023339A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014148916
申请日：2014-07-22
申请人：株式会社ベイテックジャパン
发明人：大湾峻
IPC分类号： C25D17/20
摘要：【課題】バレルめっき装置に使用するめっき用バレルに関し、開口率を大きくできながら、被めっき物が挟まり難い連通孔を形成しためっき用バレルを提供する。【解決手段】めっき用バレルの側壁部における第一側壁板22に形成した多数の連通孔4は、円弧状の方向が180度異なる第一スリット41と第二スリット42の2種類からなり、第一仮想碁盤の目E1を第一側壁板22に仮想したときに、第一スリット41の円弧状の中間点M1は、第一仮想碁盤の目E1にそれぞれ位置するように配置しており、第二仮想碁盤の目E2を第一側壁板22に仮想したときに、第二スリット42の円弧状の中間点M2は、第二仮想碁盤の目E2にそれぞれ位置するように配置したものである。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：为了提供用于滚镀装置中的电镀用的滚筒，其中形成的连续孔是能够以开口面积比扩大的电镀物难以被卡住的结构。解决方案：许多连续的孔4形成为用于镀覆的筒的侧壁的第一侧壁板22包括其中这些弧形方向与180度不同的两种第一狭缝41和第二狭缝42。当第一虚拟网格E1被应用于第一侧壁板22时，第一狭缝41的弧的中间点M1分别位于第一虚拟网格E1上。当假设第二虚拟网格E2为第一侧壁板22时，第二狭缝42的圆弧的中间点M2分别位于第二虚拟网格E2上。图4

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