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1. 发明专利

JP4976764B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4976764B2
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：JP2006185677
申请日：2006-07-05
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：直哉常盤 , 政信白川
IPC分类号： G11C16/02 , G11C16/04 , G11C16/06 , G11C29/00
CPC分类号： G11C8/08 , G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/835

2. 发明专利

JP4956087B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP4956087B2
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：JP2006214951
申请日：2006-08-07
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：寛中村 , 正美増田 , 祐加子服部 , 克巳阿部
IPC分类号： H01L21/8242 , G11C11/401 , H01L27/10 , H01L27/108
CPC分类号： H01L27/105 , G11C7/1042 , G11C7/18 , H01L27/0207 , H01L27/11898

3. 发明专利

JP4791912B2 The nonvolatile semiconductor memory device and a nonvolatile memory system 有权
公开(公告)号：JP4791912B2
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：JP2006234790
申请日：2006-08-31
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：浩典内川 , 充祥本間 , 達之石川
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04
CPC分类号： G11C11/5642 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C29/00

4. 发明专利

JP4664688B2 Method of manufacturing industrial products 有权
公开(公告)号：JP4664688B2
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：JP2005008402
申请日：2005-01-14
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：雄一辰巳
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/3205 , H01L23/52
CPC分类号： H01L22/22 , G01R31/2853 , H01L22/32 , H01L2224/05553
摘要： A method for manufacturing an industrial product encompasses: forming a intermediate product pattern, which implements a part of a intermediate product of the industrial product by a sequence of processes corresponds to a part of a procedure for manufacturing the industrial product; forming an interconnect-changing insulator on the intermediate product pattern; boring sampling contact holes in the interconnect-changing insulator so as to make bare a part of the intermediate product pattern to define sampling sites; delineating evaluation interconnects on the interconnect-changing insulator so that each of the evaluation interconnects can electrically connected to at least one of the sampling sites of intermediate product pattern; and measuring an electrical resistance between subject sampling sites through the evaluation interconnects so as to detect a product defect in the intermediate product pattern.

5. 发明专利

JP4410272B2 Non-volatile memory device and a method for writing data 有权
公开(公告)号：JP4410272B2
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：JP2007127090
申请日：2007-05-11
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：拓也二山 , 成夫大島 , 直哉常盤 , 俊昭枝広 , 和重神田 , 浩司細野
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/72

6. 发明专利

JP4357331B2 Microprocessor boot-up control device, and information processing system 有权
公开(公告)号：JP4357331B2
公开(公告)日：2009-11-04
申请号：JP2004086737
申请日：2004-03-24
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：博助川 , 健二坂上 , 仁角田
IPC分类号： G06F9/445 , G06F11/10 , G06F9/00 , G06F12/00 , G06F12/02
CPC分类号： G11C11/5642 , G06F9/4403 , G11C16/0483 , G11C16/20 , G11C29/74 , G11C2211/5641

7. 发明专利

JP4316159B2 Storage method of the semiconductor memory device and information 有权
公开(公告)号：JP4316159B2
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：JP2001155582
申请日：2001-05-24
申请人：東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人：稔郁南
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/8242 , H01L27/108

8. 发明专利

JP2009158018A Nonvolatile semiconductor memory device 审中-公开
标题翻译：非易失性半导体存储器件
公开(公告)号：JP2009158018A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：JP2007335552
申请日：2007-12-27
申请人： Toshiba Corp , Toshiba Memory Systems Co Ltd , 東芝メモリシステムズ株式会社 , 株式会社東芝
发明人： SHIRAKAWA MASANOBU , TOKIWA NAOYA
IPC分类号： G11C29/04 , G11C16/04 , G11C16/06
CPC分类号： G11C16/20 , G11C16/0483 , G11C29/82
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a nonvolatile semiconductor memory device in which defective address registration capacity is reduced. SOLUTION: The nonvolatile semiconductor memory device includes: a memory cell array consisting of a plurality of blocks in which electrically re-writable nonvolatile memory cells are arranged; a defective block position information registration region which is set in the memory cell array and stores defective block position information; an address decode circuit for performing block selection of the memory cell array; and a defective block flag latch which is provided in the address decode circuit and in which a defective block flag is set based on defective block position information read out from the defective block position information registration region of the memory cell array. In the defective block position information of the defective block position information registration region, a block position in a plurality of blocks and a column position in one page being as cell range in which the memory cell array is accessed simultaneously are corresponded with 1:1 and one bit is allotted for one block. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种其中减少了不良地址注册能力的非易失性半导体存储器件。解决方案：非易失性半导体存储器件包括：由多个块组成的存储单元阵列，其中布置有电可重写的非易失性存储单元; 缺陷块位置信息登记区域，其被设置在存储单元阵列中并存储缺陷块位置信息; 地址解码电路，用于执行存储单元阵列的块选择; 以及设置在地址解码电路中的缺陷块标志锁存器，其中基于从存储单元阵列的缺陷块位置信息登记区域读出的缺陷块位置信息来设置有缺陷块标志。在缺陷块位置信息登记区域的缺陷块位置信息中，多个块中的块位置和作为同时访问存储单元阵列的单元范围的一页中的列位置对应于1：1和一个位被分配一个块。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP5177991B2 Non-volatile semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5177991B2
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：JP2006289974
申请日：2006-10-25
申请人：株式会社東芝 , 東芝メモリシステムズ株式会社
发明人：浩典内川 , 達之石川 , 充祥本間
IPC分类号： G11C16/06 , G11C16/02 , G11C16/04 , G11C29/42
CPC分类号： G06F11/1068 , G11C2029/0411
摘要： A non-volatile semiconductor memory device comprises a memory cell array including a plurality of memory cells arrayed capable of storing information in accordance with variations in threshold voltage. A likelihood calculator has a plurality of likelihood calculation algorithms for deriving a likelihood value about a stored data bit from a threshold value read out of the memory cell. An error correction unit executes error correction through iterative processing using the likelihood value obtained at the likelihood calculator. A likelihood calculator controller changes among the likelihood calculation algorithms in the likelihood calculator based on a certain value of the number of iterations in the iterative processing obtained from the error correction unit.

10. 发明专利

JP5112086B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5112086B2
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：JP2008006688
申请日：2008-01-16
申请人：株式会社東芝 , 東芝メモリシステムズ株式会社
发明人：直哉常盤 , 憲浩藤田
IPC分类号： G11C16/02

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