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81. 发明专利

JP5968931B2 電子デバイス又は他の部品上のコーティングに使用するハイブリッド層有权
标题翻译：用于涂层的电子器件或其它部件上的混合层
公开(公告)号：JP5968931B2
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：JP2014036437
申请日：2014-02-27
申请人：ザ、トラスティーズオブプリンストンユニバーシティ
发明人：シーグルド・ワグナー , プラシャント・マンドリク
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/04 , C23C16/50 , C23C16/30 , H05B33/10
CPC分类号： C23C16/401 , C23C16/0272 , C23C16/509 , H01L51/0094 , H01L51/5253

82. 发明专利

JP5962862B2 被覆切削工具有权
公开(公告)号：JP5962862B2
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：JP2015532886
申请日：2014-08-21
申请人：株式会社タンガロイ
发明人：佐藤博之
IPC分类号： B23C5/16 , B23B51/00 , C23C16/30 , C23C16/40 , B23B27/14
CPC分类号： C23C16/34 , B23B27/148 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/403 , B23B2222/16 , B23B2224/04 , B23B2224/32 , B23B2224/36 , B23B2226/125 , B23B2226/18 , B23B2228/105

83. 发明专利

JP2016124123A 積層体有权
标题翻译：层压板
公开(公告)号：JP2016124123A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014264349
申请日：2014-12-26
申请人：東レ株式会社
发明人：上林浩行 , 森健太郎
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/10 , C23C16/30 , C23C16/40 , C23C16/42 , B65D81/24 , B65D65/40 , B32B9/00
摘要：【課題】高度なガスバリア性及び優れた光学特性を有する積層体の提供。【解決手段】ガスバリアフィルムは、高分子基材1の少なくとも片面に、以下の[A1]層2a、[B1]2b層、[A2]層2c、[B2]層2dを高分子基材1側からこの順に有する積層体。[A1]層2a:酸化亜鉛と二酸化ケイ素とを含み、厚みが10〜50nmである層、[B1]層2b:ケイ素化合物を含み、厚みが10〜50nmである層、[A2]層2c:酸化亜鉛と二酸化ケイ素とを含み、厚みが50〜500nmである層、[B2]層2d:ケイ素化合物を含み、厚みが50〜500nmである層【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高阻气性和优异光学特性的层压体。解决方案：提供一种阻气膜，它是具有以下[A1]层2a，[B1]层2b，[A2 ]层2c和[B2]层2d在聚合物基材1的至少一个表面上从该聚合物基材1的侧面开始。[A1]层2a：含有氧化锌和二氧化硅的层， [B1]层2b：含有硅化合物的层，厚度为10-50nm，[A2]层2c：含有氧化锌和二氧化硅的层，厚度为50〜 500nm，[B2]层2d：含有硅化合物的层，厚度为50-500nm。选择的图：图1

84. 发明专利

JP2016115801A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016115801A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014253215
申请日：2014-12-15
申请人：株式会社東芝
发明人：鈴木真理子 , 酒井忠司
IPC分类号： H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/15 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/28 , H01L21/205 , C23C16/27 , C23C16/30 , C23C16/34 , C30B29/04 , C01G15/00 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/1602 , H01L29/155 , H01L29/167 , H01L29/2003 , H01L29/267 , H01L29/6603 , H01L29/66219 , H01L29/7371 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/452
摘要：【課題】オン電圧の低い半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、n形半導体層と、第1電極と、窒化物半導体層と、を含む半導体装置が提供される。前記n形半導体層は、ダイヤモンドを含む。前記窒化物半導体層は、前記n形半導体層と前記第1電極との間に設けられる。前記窒化物半導体層は、Al x Ga 1−x N(0≦x≦1)を含み、n形である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低导通电压的半导体器件。解决方案：根据实施例，提供了包括n型半导体层，第一电极和氮化物半导体层的半导体器件。 n型半导体层含有金刚石。氮化物半导体层设置在n型半导体层和第一电极之间。氮化物半导体层含有AlGaN（0≤x≤1），为n型。选择图1：

85. 发明专利

JP5935562B2 硬質被覆層がすぐれた初期なじみ性、耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具有权
标题翻译：硬涂层的初始贴合性具有优异的表面被覆切削工具表现出耐崩裂性
公开(公告)号：JP5935562B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2012157630
申请日：2012-07-13
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：龍岡翔 , 岩崎直之 , 山口健志 , 長田晃
IPC分类号： C23C16/30 , B23B27/14

86. 发明专利

JP5934015B2 積層構造体の製造方法有权
标题翻译：用于制造层叠结构的方法
公开(公告)号：JP5934015B2
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：JP2012093173
申请日：2012-04-16
申请人：株式会社アルバック
发明人：小田島暢洋 , 増田健 , 宮口有典 , 鄒弘綱
IPC分类号： C23C16/30 , B32B7/02 , B32B9/00 , C23C16/52

87. 发明专利

JP5918457B1 被覆工具有权
标题翻译：涂层刀具
公开(公告)号：JP5918457B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2015559058
申请日：2015-09-24
申请人：京セラ株式会社
发明人：児玉芳和 , 渡邉賢作 , 谷渕栄仁
IPC分类号： C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40 , B23B27/14
CPC分类号： B23B27/14 , C23C16/30 , C23C16/36 , C23C16/40
摘要：酸化アルミニウム層の耐摩耗性を改善した被覆工具を提供する。基体(5)と、基体(5)の表面に設けられた被覆層(6)とを備え、被覆層(6)上に切刃(4)と逃げ面(3)とを有し、被覆層(6)は、少なくとも炭窒化チタン層(8)とα型結晶構造の酸化アルミニウム層(10)とを順に積層した部位を含み、X線回折分析にて分析される酸化アルミニウム層(10)のピークを基に算出される配向係数Tc(hkl)について、逃げ面(3)における酸化アルミニウム層(10)の表面側から測定される配向係数Tc1(4_0_10)が0.6以上の切削工具(1)等の被覆工具である。
摘要翻译：提供具有氧化铝层的改进的耐磨损性的涂覆工具。的基板（5），和提供（5）（6），以及一个切削刃（4）和后刀面（3）的涂布层（6）上，覆盖层的表面上形成底涂层（6）包括通过层压至少碳氮化钛层形成的部分（8）和α型结晶结构的氧化铝层和以该顺序（10），其通过X射线衍射分析法分析的氧化铝层（10）对于取向系数TC的（hkl），它是基于峰计算，在从第（4_0_10）的表面侧测定（10）取向系数Tc1的侧面（3）的氧化铝层为0.6或更高的切削工具（1）或类似物的它是一种涂覆工具。

88. 发明专利

JP2016513617A 複合皮膜及びその方法审中-公开
标题翻译：复合涂层和方法
公开(公告)号：JP2016513617A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：JP2016501207
申请日：2014-03-11
申请人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
发明人：ワン，ジューリン , ブルン，ミリヴォイ・コンスタンティン , メシュター，ピーター・ジョエル , サラフィ−ヌール，レーザ , リプキン，ドン・マーク
IPC分类号： C04B41/89 , C23C16/30 , F01D5/28 , F02C7/00
CPC分类号： C09D5/084 , B05D7/52 , C04B41/009 , C04B41/5066 , C04B41/52 , C04B41/87 , C04B41/89 , C23C28/044 , C23C28/048 , C23C28/42 , F01D5/288 , F05D2230/90 , F05D2300/177 , Y10T428/2495 , C04B35/565 , C04B35/806 , C04B35/584 , C04B35/58085 , C04B41/4529 , C04B41/5071
摘要：物品は、基板と、基板の表面に設けられた皮膜とを含む。皮膜は、MoSi2又はWSi2又は(Mo,W)Si2又は白金族金属ケイ化物から基本的になる1以上の金属ケイ化物層と、Si3N4から基本的になる1以上の層とを含む。【選択図】図1
摘要翻译：该制品包括基板和设置在基板的表面上的涂层。涂层包括二硅化钼或WSi2，或（钼，钨）Si2的，或一种或多种金属硅化物层基本上由铂族的金属硅化物，和基本上由Si3的N4的一个或多个层。点域1

90. 发明专利

JP5898247B2 有機又は有機−無機ポリマーを製造するための分子層堆積法有权
标题翻译：有机或有机 - 用于生产无机聚合物分子层沉积工艺
公开(公告)号：JP5898247B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2014020366
申请日：2014-02-05
申请人：ザ・リージエンツ・オブ・ザ・ユニバーシティ・オブ・コロラド
发明人：ジョージスティーブンエム , ダメロンアーレラインアレン , アダムツィクニコルマリー , ヨーンビュンホーン
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/30
CPC分类号： B05D1/60 , B05D7/52

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