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81. 发明专利

JP2017041909A 固体撮像装置及びスイッチング回路有权
标题翻译：固态成像装置和所述开关电路
公开(公告)号：JP2017041909A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2016223553
申请日：2016-11-16
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：石井基範 , 春日繁孝
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/374 , H01L27/146 , H04N5/357
CPC分类号： H01L27/14601 , H01L27/14665 , H01L27/14692 , H04N5/363
摘要：【課題】kTCノイズを低減できる固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置200は、光を信号電荷に変換する光電変換部120と、信号電荷を蓄積する蓄積部230と、光電変換部120と蓄積部230との間に接続されており、光電変換部120で変換された信号電荷を蓄積部230へ転送する転送トランジスタ101と、蓄積部230にゲートが接続されており、蓄積部230に蓄積されている信号電荷を増幅することで電圧信号を生成する増幅トランジスタ105と、蓄積部230の電圧をリセットするリセットトランジスタ116と、増幅トランジスタ105により生成された電圧信号をリセットトランジスタ116に負帰還する第1の増幅回路108と、増幅トランジスタ105により生成された電圧信号を増幅トランジスタ105に正帰還する第2の増幅回路206とを備える。【選択図】図5
摘要翻译：提供一种能够减少对kTC噪声的固态成像装置。一种固态成像装置200包括将光转换为信号电荷，用于存储的信号电荷，其被连接在所述光电转换单元120和存储单元230之间的存储单元230的光电转换单元120，在光电转换单元120传送所转换的信号电荷到存储部230中的传输晶体管101，栅极连接到存储单元230中，通过放大存储在存储单元230中的信号电荷的电压信号放大晶体管105，用于产生一个复位晶体管116用于重置存储单元230，用于通过放大晶体管105产生的复位晶体管116，放大晶体管负反馈电压信号的第一放大器电路108的电压105 和第二放大电路206，以正反馈所产生的电压信号输出到放大晶体管105。点域5

82. 发明专利

JPWO2014112279A1 固体撮像素子および電子機器有权
标题翻译：一种固态成像装置和电子设备
公开(公告)号：JPWO2014112279A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2014557368
申请日：2013-12-19
申请人：ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
发明人：山口　哲司 , 哲司山口
IPC分类号： H01L27/146 , H01L21/336 , H01L27/14 , H01L29/786 , H04N5/369 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14612 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14636 , H01L27/14645 , H01L27/14665 , H01L27/286 , H01L27/307 , H01L29/16 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H04N5/361 , H04N5/369 , H04N5/374
摘要：固体撮像素子は、第1の半導体からなる基板と、基板上に設けられると共に、基板側から順に第1電極、光電変換層および第2電極を有する光電変換素子と、光電変換素子から信号読み出しを行うための電界効果型の複数のトランジスタとを備える。複数のトランジスタは、転送トランジスタおよび増幅トランジスタを含み、転送トランジスタは、第1の半導体よりもバンドギャップの大きな第2の半導体を含む活性層を有し、ソースおよびドレインのうちの一方の端子が、光電変換素子の第1電極または第2電極を兼ねると共に、他方の端子が、増幅トランジスタのゲートに接続されているものである。
摘要翻译：固态成像装置包括：由第一半导体形成的基板，所述基板上设置从基板侧依次在第一电极，具有光电转换层和第二电极，从光电转换元件读出的信号的光电转换装置和多个所述场效应型用于执行晶体管。多个晶体管包括转移晶体管和放大晶体管，所述转移晶体管具有包含比第一半导体大的第二半导体的带隙的有源层，源极和漏极中的一个终端，一起用作第一电极或光电转换元件的第二电极和另一个端子被连接到放大晶体管的栅极。

84. 发明专利

JP2016219800A 光電変換素子、撮像装置审中-公开
标题翻译：光电转换元件，成像设备
公开(公告)号：JP2016219800A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016096943
申请日：2016-05-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：大力浩二 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L31/0232 , H01L27/146 , H01L31/107
CPC分类号： H01L27/14607 , H01L27/14609 , H01L27/14665 , H01L27/14692 , H01L29/04 , H01L29/7869 , H01L31/0224 , H01L31/0272 , H01L27/14627 , H01L27/14636
摘要：【課題】撮像性能の優れた撮像装置を提供する。または、低照度下での撮像が容易な撮像装置を提供する。または、低消費電力の撮像装置を提供する。または、画素間の特性ばらつきの小さい撮像装置を提供する。または、集積度の高い撮像装置を提供する。【解決手段】第1の電極と、第2の電極と、第1の層と、第2の層と、を有し、第1の層は、第1の電極と第2の電極との間に設けられ、第2の層は、第1の層と第2の電極との間に設けられ、第1の層は、セレンを有し、第2の層は、Inと、Gaと、Znと、Oと、を有する、光電変換素子である。なお、第2の層は、In−Ga−Zn酸化物を有する層としてもよい。セレンは、結晶セレンとしてもよい。第1の層は、光電変換層としての機能を有し、第2の層は、正孔注入阻止層としての機能を有する、光電変換素子としてもよい。なお、In−Ga−Zn酸化物は、c軸配向した結晶を有する酸化物としてもよい。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种优良的成像设备的成像性能。或者，低照明度下的成像提供容易成像装置。或者，以提供具有低功耗的成像设备。或在像素之间的特性提供一种小型摄像装置的变化。或者提供一种高度集成的成像装置。和第一电极，具有第一层，第二层的第二电极，所述第一层是在第一电极和第二电极之间提供，在第一层和所述第二电极之间的第二层，所述第一层具有硒，第二层，和在和Ga，锌当具有O，和光电转换元件。顺便提及，第二层可以是具有的In-Ga-Zn氧化物的层。硒可以是晶体硒。所述第一层具有作为光电转换层，所述第二层具有以下功能：作为空穴注入阻挡层可以是一个光电转换元件。顺便提及，使用In-Ga-Zn氧化物可以是具有取向的晶体c轴的氧化物。点域1

85. 发明专利

JP6047108B2 光電変換素子、撮像素子、光センサ有权
公开(公告)号：JP6047108B2
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：JP2014016882
申请日：2014-01-31
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：吉岡知昭 , 澤木大悟 , 山本陽介
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14665 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L51/0072 , H01L51/0073 , H01L27/307 , H01L51/0068

86. 发明专利

JP2016208515A 撮像装置、撮像装置の駆動方法および電子機器审中-公开
标题翻译：成像装置，驱动方法和成像装置的电子设备
公开(公告)号：JP2016208515A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2016085290
申请日：2016-04-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：米田誠一
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/357 , H04N5/374 , H04N5/369
CPC分类号： H04N5/3698 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14665 , H01L27/14692 , H01L29/24 , H01L29/7869 , H04N5/374
摘要：【課題】高品質な撮像データを得ることのできる撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第4のトランジスタと、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、第1の容量素子と、を有する撮像装置であり、増幅トランジスタのしきい値電圧のばらつきの補正を行うことができる。また、初期フレームの撮像データと現フレームの撮像データとの差分データを保持し、当該差分データに応じた信号を出力する差分検出機能を有することができる。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种能够获得高质量的成像数据的成像装置。和光电转换元件，第一晶体管，第二晶体管，第三晶体管，第四晶体管，第五晶体管，第六晶体管，第一电容器当成像装置具有，能够校正在放大晶体管的阈值电压的变化。此外，可能有一个差检测功能以保持当前帧的图像拾取数据和初始帧的图像数据之间的差数据，并且输出对应于该差分数据的信号。点域1

87. 发明专利

JP2016146626A 撮像装置および電子機器审中-公开
标题翻译：成像设备和电子设备
公开(公告)号：JP2016146626A
公开(公告)日：2016-08-12
申请号：JP2016014184
申请日：2016-01-28
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：黒川義元
IPC分类号： H01L27/146 , H01L29/786 , H04N5/374
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14663 , H01L27/14665 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L29/7869 , H01L27/14627 , H01L27/14641
摘要：【課題】低照度下でも撮像が可能な高感度の撮像装置を提供する。【解決手段】光電変換素子60の一方の電極は、第1のトランジスタ51のソース電極またはドレイン電極の一方および第3のトランジスタ53のソース電極またはドレイン電極の一方と電気的に接続され、第1のトランジスタ51のソース電極またはドレイン電極の他方は、第2のトランジスタ52のゲート電極と電気的に接続され、光電変換素子60の他方の電極は、第1の配線72と電気的に接続され、第1のトランジスタ51のゲート電極は、第2の配線75と電気的に接続され、第1の配線に供給される電位がHVDDであるとき、第2の配線に供給される電位の最大値は、HVDDよりも小さい構成とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高灵敏度的成像装置，即使在低光强度下也能够进行成像。解决方案：光电转换元件60的一个电极电连接到第一晶体管51的源极和漏极之一，第三晶体管53的源极和漏极之一，第一晶体管51的另一个源极或漏极电连接到第二晶体管52的栅电极。光电转换元件60的另一个电极电连接到第一晶体管布线72，第一晶体管51的栅极电连接到第二布线75.当提供给第一布线的电位为HVDD时，提供给第二布线的电位的最大值被构成为小于HVDD。选择的绘图：图1

88. 发明专利

JPWO2014002390A1 固体撮像装置及びその製造方法有权
标题翻译：它们的固态成像装置及其制造方法
公开(公告)号：JPWO2014002390A1
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014522395
申请日：2013-06-03
申请人：パナソニックIpマネジメント株式会社
发明人：守山　善也 , 善也守山 , 藤本　裕雅 , 裕雅藤本 , 幸作佐伯 , 幸作佐伯 , 高橋　信義 , 信義高橋
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/307 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L27/14612 , H01L27/14636 , H01L27/14665 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L29/0847 , H01L29/42376
摘要：固体撮像装置は、半導体基板(201)と、半導体基板(201)に形成された画素部(250)と、半導体基板(201)の画素部(250)の周辺に形成された周辺回路部(260)とを備え、画素部(250)は、入射光を光電変換することで電荷を生成する光電変換膜(217)と、前記電荷を保持するためのn型拡散層(205)とを備え、周辺回路部(260)は、ゲート電極(204D)と2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)とを備えるNchMOSトランジスタ(225)を備え、2つのn型ソース・ドレイン拡散層(236)の不純物濃度は、n型拡散層(205)の不純物濃度よりも高い。
摘要翻译：该固态成像器件包括：半导体衬底（201），形成在所述半导体衬底（201）和（250）的像素部分，形成在所述半导体衬底（201）的像素部（250）的周边的周边电路部（260 ）和像素部分（250）设置有通过入射光的光电转换，并且（217生成电荷的光电转换层），n型扩散层用于保持电荷和（205），外围电路部分（260），栅电极（204D）和两个n型源极和漏极扩散层（236），并配有NchMOS晶体管（225），其包括，两个n源极 - 漏极扩散层的类型（236）杂质浓度比n型扩散层（205）的杂质浓度高。

89. 发明专利

JP2016033982A 固体撮像素子および撮像システム审中-公开
标题翻译：固态成像传感器和成像系统
公开(公告)号：JP2016033982A
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：JP2014156790
申请日：2014-07-31
申请人：キヤノン株式会社
发明人：板橋政次 , 小野俊明 , 高橋秀和 , 稲谷直樹 , 前橋雄
IPC分类号： H04N5/369 , G02B7/34 , G03B13/36 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14643 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1463 , H01L27/14665 , H01L27/307 , H01L31/028 , H01L31/095 , H04N5/3765 , H04N5/378
摘要：【課題】位相差検出用画素と撮像用画素とで、光電変換膜の上に設けられる層を均一に形成することが困難であった。【解決手段】二次元状に配列された複数の画素のそれぞれが、画素電極と、画素電極の上に設けられた光電変換層と、光電変換層を画素電極とで挟むように設けられた対向電極とを含む光電変換部および光電変換部上に配置されたマイクロレンズを備え、前数の画素は第1の画素と複数の第2の画素を含み、複数の第2の画素は、第1の画素よりも画素電極および対向電極の少なくとも一方が小さく、さらに、対向電極とマイクロレンズとの間の構造が、第1の画素と複数の第2の画素で同じである。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：解决难以均匀地形成设置在光电转换膜上的用于相位不同检测的像素和用于成像的像素的问题。解决方案：二维排列的多个像素每个包括具有像素电极的光电转换部分，设置在像素电极上的光电转换层，以及设置成将光电转换层与像素电极夹在中间的对电极，以及布置在光电转换部分上的微透镜。多个像素包括第一像素和多个第二像素，并且多个第二像素使得像素电极和对电极中的至少一个小于第一像素，并且在对电极和对置电极之间的结构微透镜在第一像素和多个第二像素中是相同的。选择图：图3

90. 发明专利

JP5848586B2 入出力装置有权
标题翻译：输入输出设备
公开(公告)号：JP5848586B2
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：JP2011244309
申请日：2011-11-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：黒川義元 , 池田隆之
IPC分类号： G09G3/20 , G06F3/041 , G09G3/30
CPC分类号： H01L27/14609 , H04N5/374 , H01L27/14665

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