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81. 发明专利

JP6358615B2 表示装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6358615B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2014130814
申请日：2014-06-25
申请人：株式会社JOLED
发明人：根来靖典 , 沖川昌史
IPC分类号： G09G3/20 , G09G3/3225

82. 发明专利

JP6358446B2 蒸着装置及びその制御方法、蒸着装置を用いた蒸着方法、及びデバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6358446B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2016507300
申请日：2015-02-23
申请人：株式会社JOLED
发明人：瀧口明
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/10 , C23C14/24
CPC分类号： C23C14/542 , C23C14/12 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/564 , H01L51/5215 , H01L51/56

83. 发明专利

JP6358434B2 薄膜トランジスタ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP6358434B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2014195490
申请日：2014-09-25
申请人：株式会社JOLED
发明人：林宏
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336 , H05B33/08 , H01L51/50 , H05B33/10 , H01L29/786
CPC分类号： Y02B20/36

84. 发明专利

JP2018101532A 有機EL表示パネルの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018101532A
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：JP2016246614
申请日：2016-12-20
申请人：株式会社JOLED
发明人：鬼丸俊昭
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/22 , H05B33/10
摘要：【課題】有機EL表示パネルの製造において、バンクに付着した異物による混色の拡大を抑制すると共に、バンクの補修に起因する滅点の数を削減する。【解決手段】有機EL表示パネルの製造方法は、基板上に列方向に延伸するバンクを形成する工程と、基板を平面視した場合にバンクと重なった状態で存する異物を検出する工程と、検出した異物周辺におけるバンクに対して、補修が必要であるか否かを判定する工程と、判定結果に応じてバンクを補修する工程と、を含む。判定する工程において、検出した異物の下方にバンクが存在する場合、バンクの幅に対する異物の幅の割合がα1より大きいときに補修が必要であると判定し、検出した異物の上方にバンクが存在する場合、バンクの幅に対する異物の幅の割合がα1より大きいα2以上のときに補修が必要であると判定する。【選択図】図4

85. 发明专利

JP2018098216A 表示装置および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018098216A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2018018448
申请日：2018-02-05
申请人：株式会社JOLED
发明人：齊藤高寿 , 和泉健一 , 寺口晋一 , 中平忠克 , 横関弥樹博 , 西正太 , 古立学
IPC分类号： H01L51/50 , H01L27/32 , H05B33/02 , G09F9/30 , H05B33/04
摘要：【課題】信頼性に優れた表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、第1の基板と、その第1の基板上における表示領域に配列され発光層を各々含む複数の発光素子と、第1の基板と発光層との間の階層に位置する第1の無機層と、複数の発光層を覆う第2の無機層と、第1の無機層と第2の無機層との間の階層に位置する第3の無機層と、第1の基板上における表示領域を取り囲む周辺領域において第2の無機層と第3の無機層との間の階層に位置する第1の有機層と、周辺領域において第1の無機層と第3の無機層との間の階層に位置する第2の有機層とを有する。周辺領域において、第1の有機層の外縁および第2の有機層の外縁は、いずれも第2の無機層により封止されるように覆われている。【選択図】図7

86. 发明专利

JP2018093082A 半導体装置、半導体装置の製造方法および表示装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018093082A
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：JP2016235981
申请日：2016-12-05
申请人：株式会社JOLED
发明人：村井淳人
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/06 , H01L21/822 , H01L27/04 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1296 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/78675 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L51/50
摘要：【課題】特性を均一化するとともに、信頼性を向上させることが可能な半導体装置、半導体装置の製造方法、および表示装置を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に多結晶シリコンを含む第1半導体層と、前記第1半導体層に対向する第1ゲート電極とをこの順に有する第1トランジスタと、前記基板上に酸化物半導体を含む第2半導体層と、前記第2半導体層に対向する第2ゲート電極とをこの順に有する第2トランジスタとを備えた半導体装置。【選択図】図2

87. 发明专利

JP2018087921A フレキシブルデバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018087921A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2016231491
申请日：2016-11-29
申请人：株式会社JOLED
发明人：藤森隆成 , 加藤祐一 , 木下智豊
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10 , G02F1/13 , G02F1/1333 , G09F9/00
摘要：【課題】製造の際の歩留りを向上させることが可能なフレキシブルデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】支持基板9の第1面S1に可撓性基板11の裏面を貼り合わせ、可撓性基板の表面に素子層12,13を形成し、第1面に対向する支持基板の第2面S2を流動性部材31に接触させ、支持基板の第2面側からレーザ光を照射して、支持基板を可撓性基板から剥離する。【選択図】図11

88. 发明专利

JP6333377B2 トランジスタ、表示装置および電子機器有权
公开(公告)号：JP6333377B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2016534309
申请日：2015-05-19
申请人：株式会社JOLED
发明人：大島宜浩
IPC分类号： H01L29/786 , G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L51/50 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78621 , G02F1/1368 , G02F2001/13606 , G09F9/30 , H01L21/28 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L2029/42388

89. 发明专利

JP6331052B2 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法及び有機EL表示装置有权
公开(公告)号：JP6331052B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2016529053
申请日：2015-06-17
申请人：株式会社JOLED
发明人：松本光正
IPC分类号： H01L21/363 , H01L51/50 , G09F9/30 , G09F9/00 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L27/3262 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869

90. 发明专利

JP2018067371A 表示装置および電子機器审中-公开
公开(公告)号：JP2018067371A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016203303
申请日：2016-10-17
申请人：株式会社JOLED
发明人：木下智豊
IPC分类号： H05B33/02 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/5225 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/0097 , H01L51/5234 , H01L2251/5338
摘要：【課題】湾曲部にかかる負荷を軽減させた表示装置および電子機器を提供する。【解決手段】複数の画素を含む表示領域が設けられるとともに、前記表示領域に湾曲部および平面部を有する基板と、前記基板上の、前記表示領域に設けられた第1電極と、前記第1電極に対向するとともに、前記複数の画素に共通に設けられ、前記湾曲部に対向する位置に少なくとも1つの開口を有する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間の有機層とを備えた表示装置。【選択図】図4

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