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72. 发明专利

JP2015177159A 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2015177159A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054701
申请日：2014-03-18
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：林将司
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/36
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L21/56 , H01L21/565 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/36 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L2224/26152 , H01L2224/27013 , H01L2224/32245 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L23/4334 , H01L2924/181
摘要：【課題】放熱板に半導体基板がはんだ接合されている半導体装置において、放熱性を向上させる技術を提供する。【解決手段】半導体基板20と、半導体基板20に接合されているろう材64と、ろう材64を介して半導体基板20に接続されている放熱板50であって、ろう材64に接触する突起部54を有する放熱板50と、半導体基板20と、ろう材64と、突起部54を封止する樹脂70を有する半導体装置10。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种技术，其提高半导体衬底通过焊料与散热器接合的半导体器件中的散热性能。解决方案：半导体器件10包括：半导体衬底20; 连接到半导体衬底20的钎料64; 散热器50，其通过钎料64与半导体基板20连接，散热器50具有与钎焊材料64接触的突出部54; 以及密封半导体基板20，钎焊材料64和突出部54的树脂70。

73. 发明专利

JP5736130B2 パワー半導体素子を持つサンドイッチ構造を有するパワー半導体モジュール有权
标题翻译：具有与功率半导体元件的夹层结构的功率半导体模块
公开(公告)号：JP5736130B2
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2010153790
申请日：2010-07-06
申请人：ゼミクロンエレクトローニクゲーエムベーハーウントコンパニーカーゲー
发明人：クリスチアンゲープル , トーマスシュトックマイアー
IPC分类号： H01L21/52 , H01L23/40
CPC分类号： H01L23/295 , H01L23/051 , H01L23/492 , H01L25/072 , H01L2924/0002

74. 发明专利

JPWO2013061392A1 半導体モジュール有权
标题翻译：半导体模块
公开(公告)号：JPWO2013061392A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2012518684
申请日：2011-10-24
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：青島　正貴 , 正貴青島
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/48 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/051 , H01L23/3675 , H01L2224/73269 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要：半導体モジュールであって、半導体装置と、第1導電部材と、第2導電部材と、筒体と、カバーを有している。半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の一方の表面に形成されている第1電極と、前記一方の表面と反対の半導体基板の表面に形成されている第2電極を有する。第1導電部材は、第1電極と接している。第2導電部材は、第2電極と接している。筒体は、半導体装置を取り囲んでおり、第1導電部材に固定されており、外周面または内周面に第1ネジ溝が形成されている。カバーには、第2ネジ溝が形成されている。カバーは、第2ネジ溝が第1ネジ溝に係合していることによって筒体に固定されている。半導体装置と第2導電部材が、第1導電部材とカバーに挟まれることによって固定されている。第2導電部材が、カバーよりも第1導電部材側に存在する筒体の外周壁を貫通して筒体の内側から外側に引き出されている延出部を有している。
摘要翻译：一种半导体模块，半导体器件，第一导电构件，第二导电构件，和圆筒体，和盖。该半导体器件包括半导体衬底，形成在半导体衬底，形成在所述表面相对的半导体基板和所述一个表面上的第二电极的一个表面上的第一电极。所述第一导电部件是在与第一电极接触。第二导电部件与所述第二电极接触。圆柱形本体围绕被固定到所述第一导电构件的半导体装置，在所述外周面或内周表面上形成的第一螺旋槽。盖，形成第二螺旋槽。盖，所述第二螺纹槽通过使所述第一螺旋槽固定到所述圆柱形构件。的半导体器件和第二导电构件通过被夹在所述第一导电部件和所述盖之间固定。第二导电构件，并且经过存在于所述第一导电部件侧比从该圆柱形本体的内部的盖圆筒体的外周壁延伸的延伸部被吸入到外部。

75. 发明专利

JP5621908B2 冷却器有权
标题翻译：散热器
公开(公告)号：JP5621908B2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：JP2013503297
申请日：2011-03-10
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：高人村田 , 高人村田
IPC分类号： H01L23/473 , H01L23/29 , H05K7/20
CPC分类号： H05K7/20236 , H01L23/051 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L25/112 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2924/00014 , H01L2924/181 , H05K7/20636 , H05K7/2089 , H05K7/20927 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/37099

76. 发明专利

JP2014179443A Semiconductor device and manufacturing method of the same 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2014179443A
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：JP2013052117
申请日：2013-03-14
申请人： Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： OKUMURA TOMOMI , KADOGUCHI TAKUYA
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/29 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/3672 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/492 , H01L23/49562 , H01L2224/49175 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce deformation more than in the past against pressing forces from both sides in a lining direction in a composition which includes at least one pair of an upper arm and a lower arm.SOLUTION: A semiconductor device comprises relay parts (46, 56) for electrically relaying a second heat sink (44) and a third heat sink (50) via solder (60), in which the solder is arranged in a direction perpendicular to one surfaces (11, 21a) and on connection surfaces (47c, 57c) at bases of the relay parts, which are orthogonal to a through-thickness direction of the relay parts. The relay parts have ribs (48, 58) which project from the bases in the direction perpendicular to the one surfaces, respectively, and a thickness of a part where each rib is provided is not exceeding a thickness of the corresponding heat sink. The ribs are encapsulated by an encapsulation resin body (70) and provided along a whole length and in a lining direction of a first region (71) between the second heat sink and the third heat sink.
摘要翻译：要解决的问题：在包括至少一对上臂和下臂的组合物中，相对于过去的冲击力沿着衬里方向的两侧减小变形。解决方案：半导体器件包括中继部件（ 46，56），用于经由焊料（60）电连接第二散热器（44）和第三散热器（50），其中焊料沿垂直于一个表面（11,21a）的方向和连接表面（47c，57c），与继电器部件的贯通厚度方向正交。继电器部分具有分别从垂直于一个表面的方向从基座突出的肋（48,58），并且每个肋设置的部分的厚度不超过相应的散热器的厚度。所述肋被密封树脂体（70）包封，并且沿第一散热器和第三散热器之间的第一区域（71）的整个长度和沿着衬里方向设置。

77. 发明专利

JPWO2012132709A1 パワーモジュール半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2012132709A1
公开(公告)日：2014-07-24
申请号：JP2013507288
申请日：2012-02-28
申请人：ローム株式会社
发明人：将笹川 , 将笹川
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号： H01L23/3735 , H01L23/051 , H01L23/291 , H01L23/3107 , H01L23/5385 , H01L24/24 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/48091 , H01L2224/48464 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要：放熱特性に優れたパワーモジュール半導体装置を提供する。パワーモジュール半導体装置は、第1銅プレート層16と、第1銅プレート層16上に配置された半導体デバイス24と、半導体デバイス24上に配置された第1セラミック基板18と、第1セラミック基板18に開口された第1開口部を介して半導体デバイス24表面に接続された第1端子電極10と、第1セラミック基板18に開口された第2開口部を介して第1銅プレート層16に接続された第2端子電極12とを備え、半導体デバイス24の裏面と表面の両面から放熱を行う。

78. 发明专利

JP5327233B2 Semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5327233B2
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：JP2010547888
申请日：2009-07-08
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：圭佑木村
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L29/456 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L29/41741 , H01L29/7397 , H01L2224/04026 , H01L2224/0508 , H01L2224/05111 , H01L2224/05124 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05566 , H01L2224/05567 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： A semiconductor device has: a semiconductor substrate; and an upper surface electrode laminated on an upper surface of the semiconductor substrate, wherein at least one portion of the upper surface electrode includes a first layer formed on an upper surface side of the semiconductor substrate, a second layer formed on an upper surface side of the first layer, a third layer in contact with the upper surface of the second layer, and a fourth layer formed on an upper surface side of the third layer. The first layer is a barrier metal layer. The second layer is an Al (aluminum) layer. The third layer is one of an Al-Si (aluminum-silicon alloy) layer, an Al-Cu (aluminum-copper alloy) layer and an Al-Si-Cu (aluminum-silicon-copper alloy) layer. The fourth layer is a solder joint layer.

79. 发明专利

JP5321601B2 Semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP5321601B2
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：JP2010544107
申请日：2010-05-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：裕孝大野
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： C23C24/04 , C23C28/00 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： Disclosed is a semiconductor device wherein the adhesion of resin to a substrate is improved at a low cost. A semiconductor element (11) and one or two substrates (12, 13) opposing one or both of the surfaces of the semiconductor element (11) are sealed by a resin (10), a resin bonding coat (18) which is formed by spraying a metal powder by a cold spray method is formed on one or both of the substrates (12, 13), and recess portions (181) which are widened from a film surface in a depth direction are formed on the resin bonding coat (18).

80. 发明专利

JPWO2011145202A1 半導体装置有权
公开(公告)号：JPWO2011145202A1
公开(公告)日：2013-07-22
申请号：JP2010544107
申请日：2010-05-21
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：裕孝大野 , 裕孝大野
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： C23C24/04 , C23C28/00 , H01L23/051 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4334 , H01L23/49517 , H01L23/49562 , H01L23/49582 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/291 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73215 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/181 , H01L2924/18301 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：基板に対する樹脂の密着性を安価に向上させた半導体装置であって、半導体素子(11)と、その半導体素子(11)の一方の面又は両方の面に対向して配置された一枚又は二枚の基板(12,13)とが、樹脂(10)によって封止されたものであり、基板(12,13)の一方又は両方に、コールドスプレー法によって金属の粉末を吹き付けて成膜した樹脂接合膜(18)が形成され、その樹脂接合膜(18)には、膜表面から深さ方向に空間が広がるようにした凹部(181)が形成されている。

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