专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

71. 发明专利

JP2014219350A 磁気センサ及び磁場成分演算方法有权
标题翻译：磁传感器和磁场分量计算方法
公开(公告)号：JP2014219350A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013100261
申请日：2013-05-10
申请人：旭化成エレクトロニクス株式会社 , Asahi Kasei Electronics Co Ltd
发明人： SHIKAMA TAKAHISA , KATAGIRI YOJI
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/08
CPC分类号： G01R33/06 , H01L43/08
摘要：【課題】周囲の温度の影響を最小限に抑え、かつ、感磁軸方向の磁場を検知できる単軸の磁気センサ及び磁場成分演算方法を提供すること。【解決手段】磁気センサの感磁部20は、基板に設けられた第1の感磁部21と、この第1の感磁部21に併設された第2の感磁部22とを備えている。第1及び第2の感磁部21,22は、無磁場下での電気抵抗が等しく、かつ感磁軸方向が一致しており、外部磁場に対する磁気抵抗感度が異なっている。そして、第1及び第2の感磁部21,22からの出力信号の差分により、差動演算部23を介して感磁軸方向の磁場成分に応じた信号を出力するように構成されている。つまり、第1及び第2の感磁部21,22の出力の差分に基づく信号を出力する差分演算部23を備えている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供可以最小化环境温度的影响并且检测磁敏轴方向的磁场的单轴磁传感器和磁场分量计算方法。解决方案：磁传感器具有磁敏部20 包括设置在基板上的第一磁敏部21和与第一磁性部21并列的第二磁敏部22.第一和第二感光部21,22在非磁场下具有相同的电阻，相同的磁敏感轴方向和相对于外部磁场的不同的磁阻敏感性。磁传感器通过差动计算部23根据来自第一和第二感应部件21,22的输出信号的差异，根据磁敏感轴方向的磁场分量输出信号。这意味着，磁传感器包括差分计算部23基于第一和第二感光部21,22的输出的差输出信号。

72. 发明专利

JP2014219206A 磁気センサモジュール有权
标题翻译：磁传感器模块
公开(公告)号：JP2014219206A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2013096253
申请日：2013-05-01
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： NAGATA HIDEO , KAWANO YUJI , HARA CHIKAFUMI
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/06
摘要：【課題】被検出体に取り付けられた永久磁石(200)の磁界を検出する複数個の磁気センサを、配線基板(330)に実装する場合であっても、従来と比べて、配線基板のサイズが大型化することなく、製造コストを低減させることのできる磁気センサモジュール(300)を得る。【解決手段】複数個の磁気センサを、配線基板の表面(永久磁石と対向する面に相当)および配線基板の裏面(表面の反対側の面に相当)に実装することで、表面に実装する磁気センサの数を減少させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了获得即使在安装用于检测永久磁铁的磁场的多个磁传感器（200）的情况下，也可以在不增加布线基板的尺寸的情况下，制造成本降低的磁传感器模块（300））安装在接线板（330）上的检测对象上。解决方案：多个磁传感器安装在布线板的前表面（面向永磁体的表面）上，并且在后表面前表面），使得安装在前表面上的磁传感器的数量减少。

73. 发明专利

JP2014211387A 磁界検出装置および電流センサ有权
标题翻译：磁场检测装置和电流传感器
公开(公告)号：JP2014211387A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2013088454
申请日：2013-04-19
申请人： Tdk株式会社 , Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： OKUNO REIJI , DAIKO TAKUYA , TANABE KEI , IMAI KOICHI
IPC分类号： G01R33/09 , G01R15/20
CPC分类号： G01R33/06
摘要：【課題】常に出力を温度補償し続ける必要がない安定した出力温度特性を得ることを目的とする。【解決手段】第1の磁界および第1の磁界発生部が発生する第1の磁界を打ち消す第2の磁界に応じた第1の出力信号および第1の出力信号とは異なる第2の出力信号の少なくとも一方を調整する第1の調整部を有する第1の磁界検出部と、差動演算部と、第2の調整部とを有し、第1の調整部は、第1の信号および第2の信号の少なくとも一方を調整して、第1の磁界が0における温度による第6の出力信号の変動を調整する磁界検出装置とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了获得稳定的输出温度特性，使得不必总是保持实现输出的温度补偿。磁场检测装置包括：第一磁场检测部分，具有第一调节部分，用于至少调节对应于第一磁场和第二磁场的第一输出信号中的一个，以偏移由第一磁场产生部分产生的第一磁场和与第一输出信号不同的第二输出信号; 差分算术部分; 和第二调整部。第一调整部分调节第一信号和第二信号中的至少一个，并且当第一磁场为0时，调节由于温度引起的第六输出信号的波动。

74. 发明专利

JP2014132269A Arrangements for integrated sensor 有权
标题翻译：集成传感器安装
公开(公告)号：JP2014132269A
公开(公告)日：2014-07-17
申请号：JP2014028213
申请日：2014-02-18
申请人： Allegro Microsystems Llc , アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー
发明人： DOOGUE MICHAEL C , TAYLOR WILLIAM P , MANGTANI VIJAY
IPC分类号： G01R15/20 , G01R33/07 , G01R33/09 , H01L23/50 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L43/02 , H01L43/04
CPC分类号： H01L43/04 , B82Y25/00 , G01R15/08 , G01R15/207 , G01R33/02 , G01R33/06 , G01R33/07 , G01R33/09 , G01R33/093 , H01L23/49541 , H01L25/162 , H01L43/02 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a current sensor realizing a reduced size and having high accuracy and a wide dynamic range.SOLUTION: An integrated circuit 10 includes a lead frame 12 and a first substrate 14 having a first surface 14a and an opposing second surface 14b. The first substrate is coupled to the lead frame. The integrated circuit also includes a second substrate 26 having a first surface 26a and an opposing second surface 26b. The first substrate and the second substrate are coupled such that the first surface of the second substrate is proximate to the first surface of the first substrate and such that the second surface of the second substrate is distal from the first surface of the first substrate. The integrated circuit also includes an electronic component disposed on the first surface of the first substrate and a magnetic field sensing element 30 disposed on the first surface of the second substrate.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种实现减小尺寸并具有高精度和宽动态范围的电流传感器。解决方案：集成电路10包括引线框架12和第一基板14，第一基板14具有第一表面14a和相对的第二表面 14B。第一衬底耦合到引线框架。集成电路还包括具有第一表面26a和相对的第二表面26b的第二基板26。第一基板和第二基板被联接成使得第二基板的第一表面靠近第一基板的第一表面，并且使得第二基板的第二表面远离第一基板的第一表面。集成电路还包括设置在第一基板的第一表面上的电子部件和设置在第二基板的第一表面上的磁场感测元件30。

75. 发明专利

JP5544501B2 Current sensor 有权
公开(公告)号：JP5544501B2
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：JP2013502230
申请日：2012-02-14
申请人：アルプス・グリーンデバイス株式会社
发明人：広行蛇口 , 功佐藤 , 隆支藤崎 , 充生荒殿 , 高橋　　彰 , 将人中村
IPC分类号： G01R15/20
CPC分类号： G01R33/0005 , G01R15/205 , G01R33/06 , H01L43/08 , H01L2924/30107

76. 发明专利

JPWO2007077865A1 ＩｎＳｂ薄膜磁気センサ並びにその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007077865A1
公开(公告)日：2009-06-11
申请号：JP2007552955
申请日：2006-12-27
申请人：旭化成株式会社
发明人：柴崎　一郎 , 一郎柴崎 , 寛崇外賀 , 寛崇外賀 , 岡本　敦 , 岡本　　敦
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： G01R33/06 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
摘要：本発明は、高感度で磁束密度が直接検出でき、消費電力や消費電流の少ない微小なInSb薄膜磁気センサに用いられる薄膜積層体及びInSb薄膜磁気センサに関する。InSb薄膜を磁気センサ部、若しくは磁界検出部としたInSb薄膜磁気センサである。基板(1)上に形成されたInSb薄膜であるInSb動作層(3)と、このInSb動作層(3)より高抵抗又は絶縁性若しくはp型の伝導性を示し、バンドギャップがInSbより大きい層であるAlxGayIn1−x−ySb混晶層(0≦x、y≦1)(2)とを備えている。混晶層(2)は、基板(1)とInSb動作層(3)との間に設けられ、AlとGaの原子の含有率(x+y)が5.0%から17%の範囲(0.05≦x+y≦0.17)である。

77. 发明专利

JP4146202B2 Spin tunnel transistor, magnetic reproducing head, the magnetic information reproducing system, and a magnetic storage device 有权
公开(公告)号：JP4146202B2
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：JP2002276636
申请日：2002-09-24
申请人：株式会社東芝
发明人：利江佐藤 , 公一水島
IPC分类号： G11B5/39 , H01L29/82 , G01R33/06 , G11B5/33 , G11C11/15 , H01F10/32 , H01L29/66 , H01L43/08
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G11B5/332 , G11B5/3919 , G11B2005/3996 , H01F10/3268 , H01L29/66984 , H01L43/08

78. 发明专利

JP2007531278A Method of manufacturing a spintronic device and the device with a spacer layer to the carbon nanotube array with the base 审中-公开
公开(公告)号：JP2007531278A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：JP2007505086
申请日：2005-03-22
申请人：ジ・オハイオ・ステート・ユニバーシティ
发明人：ジェイ．エツコーン，スティーブン， , ジェイ．エプスタイン，アーサー，
IPC分类号： H01L43/10 , B82B1/00 , B82B3/00 , C01B31/02 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L33/00 , H01L43/08 , H01L43/12
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/06 , H01F10/005 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L43/10 , H01L51/0048
摘要：本発明は、配向されたカーボンナノチューブアレイから形成される層を利用するスピントロニックデバイスと、該デバイスを含むエレクトロニックデバイス（スピンバルブやスピントンネルジャンクション、スピントランジスタ等）とに関する。スピントロニックデバイスは、底部電極と、第一の強磁性層と、ＣＮＴアレイと、第二の強磁性層と、上部電極とを含む。
【選択図】図１

79. 发明专利

JP2006134931A Magnetoresistance effect element, thin film magnetic head, head gimbal assembly, head arm assembly and magnetic disk unit 有权
标题翻译：磁阻效应元件，薄膜磁头，头部组件，头臂组件和磁盘单元
公开(公告)号：JP2006134931A
公开(公告)日：2006-05-25
申请号：JP2004319254
申请日：2004-11-02
申请人： Tdk Corp , Tdk株式会社
发明人： MIURA SATOSHI , UESUGI TAKUMI , TAKAHASHI NORIO
IPC分类号： H01L43/08 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/06 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/30 , H01F10/3272 , H01L43/08
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enlarge an MR ratio and to reduce the coercive force of a free layer in an MR element using a tunnel magnetoresistance effect.
SOLUTION: The MR element 5 includes a tunnel barrier layer 24 having two surfaces directed toward opposite side to one another, the free layer 25 arranged to be located adjacently to the one surface of the tunnel barrier layer 24 to change the direction of magnetization in response to an external magnetic field, and the fixed layer 23 of a ferromagnetic layer arranged to be located adjacently to the other surface of the tunnel barrier layer 24 and fixed in the direction of the magnetization. The free layer 25 has a first soft magnetic layer 41 arranged to be located adjacently to the one surface of the tunnel barrier layer 24, a high polarizability layer 42 arranged at the opposite side in the tunnel barrier layer 24 in the first soft magnetic layer 41, and a second soft magnetic layer 43 arranged at the opposite side to the first soft magnetic layer 41 in this high polarizability layer 42.
COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：使用隧道磁阻效应来扩大MR比并降低MR元件中的自由层的矫顽力。解决方案：MR元件5包括具有指向彼此相对侧的两个表面的隧道势垒层24，自由层25布置成与隧道势垒层24的一个表面相邻以改变方向响应于外部磁场的磁化，以及布置成与隧道势垒层24的另一个表面相邻并且沿磁化方向固定的铁磁层的固定层23。自由层25具有布置成与隧道势垒层24的一个表面相邻的第一软磁层41，布置在第一软磁层41中的隧道势垒层24的相对侧的高极化性层42 ，以及布置在该高极化性层42中与第一软磁性层41相反一侧的第二软磁性层43.（C）2006年，JPO＆NCIPI

80. 发明专利

JPWO2002093661A1 磁気抵抗素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2002093661A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：JP2002590430
申请日：2002-05-13
申请人：松下電器産業株式会社
发明人：平本　雅祥 , 雅祥平本 , 松川　望 , 望松川 , 小田川　明弘 , 明弘小田川 , 飯島　賢二 , 賢二飯島 , 榊間　博 , 博榊間
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/06 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L27/105 , H01L43/10
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/06 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01F10/3254 , H01F10/3295 , H01L43/08
摘要：トンネル磁気抵抗(TMR)素子におけるMR比の向上、抵抗のバラツクの抑制を図る。本発明のTMR素子の一形態では、基板とトンネル層との間に、例えばアモルファスである導電体である表面性制御層が配置される。また、本発明の別の形態では、トンネル層を挟持する一対の磁性層の少なくとも一方が、細密面以外に制御された結晶配向面を有する多結晶構造を有する。さらに別の形態では、一対の磁性層の少なくとも一方が、少なくとも1種の磁性元素と、磁性元素以外の元素とを含み、組成比から算出される平均電子数が、23.5以上25.5以下または26.5以上36以下に調整される。またさらに別の形態では、余剰元素を含有する合金または化合物を含む余剰元素捕獲層がさらに形成され、余剰元素の含有率が、一対の磁性層のいずれよりも、余剰元素捕獲層において高くなっている。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式