会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 71. 发明专利
    • 研磨用組成物および研磨方法
    • 抛光组合物和抛光方法
    • JP2015115360A
    • 2015-06-22
    • JP2013254340
    • 2013-12-09
    • 旭硝子株式会社
    • 吉田 伊織
    • B24B37/00C09K3/14H01L21/304
    • C09G1/02C09K3/1463H01L21/31053H01L29/66545
    • 【課題】半導体デバイス製造工程に対して、高い研磨速度でかつ好適な研磨速度比で窒化ケイ素または酸化窒化ケイ素を研磨し平坦化を行う。 【解決手段】酸化セリウム粒子と、メトニウム化合物およびアルカノールアミン化合物からなる群より選択される少なくとも一種と、0.005質量%以上0.1質量%未満の環状オリゴ糖、および/または0.0007質量%以上1.7質量%以下の主鎖にアセチレン基を有しエチレンオキサイドを付加した非イオン性界面活性剤とを含有し、前記アルカノールアミン化合物が、一級または二級アルカノールアミン化合物であり、pHが3.5以上6未満であることを特徴とする研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种可以在半导体器件制造工艺中以优选的抛光速度比以高抛光速度进行氮化硅或氮氧化硅的抛光和平坦化的抛光组合物。解决方案:抛光组合物包括: 氧化铈颗粒; 选自由次甲基化合物和链烷醇胺化合物组成的组中的至少一种化合物; 和0.005〜0.1质量%的环状低聚糖(0.1质量%以下)和/或0.0007〜1.7质量%的主链中具有炔属基的非离子表面活性剂和环氧乙烷。 链烷醇胺化合物是主要或仲烷醇胺化合物,其pH为3.5至小于6.通过使用抛光组合物布置抛光方法。
    • 73. 发明专利
    • 研磨液組成物の製造方法
    • 生产抛光液体组合物的方法
    • JP2015108135A
    • 2015-06-11
    • JP2014216081
    • 2014-10-23
    • 花王株式会社
    • 佐藤 寛司
    • B24B37/00H01L21/304C09G1/02G11B5/84C09K3/14
    • G11B5/8404C09K3/1409C09K3/1463
    • 【課題】本発明は、研磨後の基板表面のスクラッチを低減できる研磨液組成物の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の研磨液組成物の製造方法は、コロイダルシリカを含有する被処理シリカ分散液を、濾過助剤を含むフィルタで濾過処理する工程含み、前記コロイダルシリカの滴定法によって求められる一次粒子の平均粒子径が1nm以上50nm以下であり、前記濾過助剤の水酸基密度が0.40×10 -5 mol/m 2 以上である。前記コロイダルシ リカの滴定法によって求められる一次粒子の平均粒子径と前記濾過助剤のレーザ式粒度分布測定装置により測定される平均粒子径の比は、1.20×10 -3 以上4.20×10 -3 以下であると好ましい。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供一种能够减少基材的后抛光表面上的划痕的抛光液组合物的制造方法。解决方案:一种抛光液组合物的制造方法,其特征在于,包括将二氧化硅分散液过滤成为 使用含有过滤助剂的过滤器处理,其中含有胶体二氧化硅。 通过滴定法测定,胶体二氧化硅的一次粒子的平均粒径为1nm〜50nm,过滤助剂的羟基密度为0.40×10mol / mol以上。 优选的是,通过滴定法测定的胶体二氧化硅的一次粒子的平均粒径与由激光粒度分布测定装置测定的过滤助剂的平均粒径的比例为1.20×10〜4.20× 10。
    • 74. 发明专利
    • 研磨用組成物
    • 抛光组合物
    • JP2015067752A
    • 2015-04-13
    • JP2013204170
    • 2013-09-30
    • 株式会社フジミインコーポレーテッド
    • 玉田 修一
    • H01L21/304B24B37/00C09G1/02C09K3/14
    • C09G1/02C09K3/1409C09K3/1463H01L21/30625
    • 【課題】LSI製造工程のIV族材料を含む層などの研磨対象物を研磨する化学機械研磨(CMP)法において、保管安定性に優れた研磨用組成物を提供する。 【解決手段】砥粒とハロゲン原子を含有する酸化剤と、を含み、研磨用組成物中の前記砥粒が有するシラノール基数の総和(A)(単位:個)を研磨用組成物中の前記酸化剤の濃度(B)(単位:質量%)で除した値(A/B)が、8×10 23 以下である、研磨用組成物とそれを用いた研磨方法である。研磨対象物がIV族材料を含む層であり、前記酸化剤が0.0001〜0.5質量%である、研磨用組成物。 【選択図】なし
    • 要解决的问题:提供在LSI制造工艺中在用于抛光对象的化学机械抛光(CMP)中具有优异的保存稳定性的抛光组合物,例如含有IV族材料的层。解决方案:提供抛光组合物 含有磨粒和氧化剂,其含有卤素原子,并且在抛光组合物(A)中的具有磨粒的硅烷醇基团的数量(单位:数)除以抛光中的氧化剂的浓度之和的值 组成(B)(单位:质量%),(A / B)为8质量×10以下,及其研磨方法。 提供了抛光组合物,其中待抛光的靶是含有IV族材料的层,氧化剂为0.0001至0.5质量%。