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    • 72. 发明专利
    • ピロールノボラック樹脂を含むレジスト下層膜形成組成物
    • 抗蚀剂下层膜形成用组合物,其包括吡咯酚醛清漆树脂
    • JPWO2014208499A1
    • 2017-02-23
    • JP2015524037
    • 2014-06-23
    • 日産化学工業株式会社
    • 徹也 新城安信 染谷涼 柄澤裕和 西巻貴文 遠藤圭祐 橋本
    • G03F7/11C08G12/26G03F7/26H01L21/027
    • G03F7/11C08G12/26C08G16/0268C09D161/00C09D161/26C09D179/04G03F7/091G03F7/16G03F7/20G03F7/32H01L21/02271H01L21/0276H01L21/0332H01L21/3081
    • 【課題】レジストに近いドライエッチング速度の選択比、レジストに比べて小さいドライエッチング速度の選択比や半導体基板に比べて小さいドライエッチング速度の選択比を持つ、優れたレジスト下層膜を提供することができる。【解決手段】下記式(1):【化1】(式(1)中、R3は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、カルボニル基、炭素数6〜40のアリール基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数6〜40のアリール基、又は複素環基であり、R4は水素原子、又はハロゲン基、ニトロ基、アミノ基、若しくはヒドロキシ基で置換されていても良い炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜40のアリール基、又は複素環基であり、R3とR4はそれらが結合する炭素原子と一緒になって環を形成していても良い。nは0乃至2の整数を示す。)の単位構造を含むポリマーを含むレジスト下層膜形成組成物。式(1)のR3がベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環又はピレン環であり、R4が水素原子である。【選択図】なし
    • 阿与所选择比的小干蚀刻速度和半导体基板的抗蚀剂附近的选定比的干蚀刻速度,在比较与抗蚀剂具有小的干蚀刻速度的选择比进行比较,以提供优异的抗蚀剂下层膜 它可以是。 下式(1):(在式(1)中,R3是氢原子,或卤素基团,硝基,氨基,羰基,碳原子数为6〜40的芳基,或羟基 任选取代的具有基团,或杂环基中有6〜40个碳原子的芳基,R 4是氢原子,或卤素基团,硝基,氨基,或可被羟基取代的碳原子数 C 1 -C 10烷基,具有6至40个碳原子,或杂环基芳基,R3和R4可以一起也与碳原子​​形成环它们所连接.N是 0以指示2点的整数。)的抗蚀剂下层膜形成用组合物包含含有的单元结构的聚合物。 R3是式(1),萘环,蒽环或芘环的苯环,R 4为氢原子。 系统技术领域