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61. 发明专利

JP6826063B2 演算装置有权
公开(公告)号：JP6826063B2
公开(公告)日：2021-02-03
申请号：JP2018044541
申请日：2018-03-12
申请人：株式会社東芝
发明人：佐藤利江 , 後藤隼人 , 水島公一
IPC分类号： H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , G06N3/063

62. 发明专利

JP6820432B2 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置有权
公开(公告)号：JP6820432B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2019545540
申请日：2018-09-26
申请人：アルプスアルパイン株式会社
发明人：齋藤正路 , 小池文人 , 遠藤広明
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , G01R33/09 , H01F10/16 , H01F10/14 , H01L43/10

63. 发明专利

JP6819817B2 スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP6819817B2
公开(公告)日：2021-01-27
申请号：JP2020511392
申请日：2019-05-10
申请人： TDK株式会社
发明人：塩川陽平
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82

64. 发明专利

JP2021002694A スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ有权
公开(公告)号：JP2021002694A
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2020170783
申请日：2020-10-08
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木智生 , 及川亨
IPC分类号： H01L43/08 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82
摘要：【課題】強磁性金属層(自由層)からスピン軌道トルク配線への純スピン流の逆流が低減された状態で純スピン流による磁化反転を利用する磁気抵抗効果素子及び磁気メモリを提供する。【解決手段】このスピン流磁化反転素子では、磁化の向きが可変な第2強磁性金属層1と、前記第2強磁性金属層1の面直方向に対して交差する方向に延在し、前記第2強磁性金属層1に接合するスピン軌道トルク配線2と、を備え、前記スピン軌道トルク配線は、前記第2強磁性金属層の側壁の一部に接する側壁接合部を有する。【選択図】図1

66. 发明专利

JP2020201127A 位置検出装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020201127A
公开(公告)日：2020-12-17
申请号：JP2019108115
申请日：2019-06-10
申请人： TDK株式会社
发明人：蔡永福 , 平林啓
IPC分类号： G01R33/09 , G01R33/02 , H01L43/08 , G01D5/245
摘要：【課題】磁気センサが、所定の平面内で方向が変化する磁界を検出するのに適したMR素子を含み、検出対象磁界が、所定の平面外の方向を含む可変範囲内で方向が変化するものであっても、検出精度の低下を抑制できるようにする。【解決手段】位置検出装置1は、検出対象磁界を発生する磁石2と、磁気センサ3を備えている。磁気センサ3は、検出対象磁界を検出して、磁石2の位置に対応する検出値を生成する。磁気センサ3は、MR素子と基板を含んでいる。基板は、主面を含んでいる。MR素子が受ける検出対象磁界は、第1の平面PL1内で変化する第1の方向D1を有している。MR素子は、主面に平行な第2の平面PL2内において変化可能な方向の第1の磁化を有する磁性層を含んでいる。第1の平面PL1と第2の平面PL2は、90°以外の二面角αをなして交差している。検出値は、第1の磁化の方向に依存する。【選択図】図1

67. 发明专利

JP2020198449A トンネル層审中-公开
公开(公告)号：JP2020198449A
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：JP2020144267
申请日：2020-08-28
申请人： TDK株式会社
发明人：佐々木智生 , 及川亨 , 小池勇人 , 石田洋一
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/12 , G01R33/09 , H01L29/82
摘要：【課題】半導体チャンネル層とトンネル層との間の格子定数、及びトンネル層と強磁性層との間の格子定数のずれによって生じる界面でのスピン散乱を抑制するスピン注入電極構造、およびスピン伝導素子を提供する。【解決手段】半導体チャンネル層に接する側のトンネル層の格子定数と、強磁性層に接する側のトンネル層の格子定数が異なり、半導体チャンネル層に接するトンネル層と強磁性層に接するトンネル層が、単一の結晶構造であるようにする。【選択図】図4

68. 发明专利

JPWO2019142635A1 磁気検出装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019142635A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2018047858
申请日：2018-12-26
申请人：アルプスアルパイン株式会社
发明人：齋藤正路
IPC分类号： H01L43/08 , G01R33/09
摘要：固定磁化方向Pとバイアス印加方向Fとの関係が互いに異なる2種類の磁気抵抗効果膜MR1,MR2を備える磁気検出素子M1,R2が同一基板SB上に設けられたフルブリッジ回路HBを備える磁気検出装置100は、ブロッキング温度Tbが異なる反強磁性層を備える3種類以上の交換結合膜511,512,521,522によって固定磁化方向Pおよびバイアス印加方向Fが設定されているため、強磁場耐性を有し、製造も容易であって製造自由度が高い。

69. 发明专利

JPWO2019131142A1 積和演算器、ニューロモーフィックデバイスおよび積和演算器の使用方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019131142A1
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2018045726
申请日：2018-12-12
申请人： TDK株式会社
发明人：柴田竜雄
IPC分类号： H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , G06N3/063 , G06G7/60
摘要：ニューラルネットワークに適用される場合に、ニューラルネットワークの性能が大きく損なわれるおそれを抑制することができる積和演算器、ニューロモルフィックデバイスおよび積和演算器の使用方法を提供する。積和演算器(1)は、積演算部(10)と、和演算部(11)とを備え、積演算部(10)は、複数の積演算素子(10AA)〜(10AC)を備え、複数の積演算素子(10AA)〜(10AC)のそれぞれは、抵抗変化素子である。和演算部(11)は、複数の積演算素子(10AA)〜(10AC)からの出力の合計値を検出する出力検出器(11A)を備え、上記抵抗変化素子はフューズ部(AC1)を備え、フューズ部(AC1)は、上記抵抗変化素子からの出力電流が増加する故障が当該抵抗変化素子に発生した場合に断線する。

70. 发明专利

JP2020187085A 磁気センサ审中-公开
公开(公告)号：JP2020187085A
公开(公告)日：2020-11-19
申请号：JP2019093488
申请日：2019-05-17
申请人： TDK株式会社
发明人：亀野誠 , 小野寺郁人 , 笠島多聞
IPC分类号： G01R33/09 , H01L43/02 , H01L43/08 , G01R33/02
摘要：【課題】高温プロセスが必要なMEMS構造を用いることなく、磁路を機械的に変位させることによって1/fノイズを低減することが可能な磁気センサを提供する。【解決手段】本発明による磁気センサは、外部磁性体21,22との間の磁気ギャップG1によって形成される磁路上に設けられた感磁素子Rを含むセンサチップ10と、圧電体層32とバイパス磁性体層31を有する機械的駆動部30とを備える。機械的駆動部30は、外部磁性体22に固定された固定領域30Aと、外部磁性体22に固定されていない変位領域30Bとを有し、変位領域30Bは、磁気ギャップG1と重なりを有している本発明によれば、MEMS構造とは異なり、機械的駆動部を第2の外部磁性体に固定した構造を有していることから、感磁素子を形成した後に高温プロセスを行う必要がない。【選択図】図7

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