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61. 发明专利

JP2021134380A スパッタリングターゲット审中-公开
公开(公告)号：JP2021134380A
公开(公告)日：2021-09-13
申请号：JP2020030240
申请日：2020-02-26
申请人：三菱マテリアル株式会社
发明人：林雄二郎 , 堀内敬三
IPC分类号： G11B7/26 , G11B7/2433 , G11B7/243 , C23C14/34
摘要：【課題】Siを含有するGe−Sb−Te合金膜をスパッタ成膜する場合であっても、スパッタ時におけるノジュール及びパーティクルの発生を抑制でき、安定してスパッタ成膜を行うことが可能なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】GeとSbとTeを含有するスパッタリングターゲットであって、さらにSiを含有し、Siの含有量が60原子%以下とされており、Ge−Sb−Te相11のマトリックス内に、Si粒子12が島状に分散した構造とされていることを特徴とする。【選択図】図1

62. 发明专利

JP6781679B2 記録層、光情報記録媒体及びスパッタリングターゲット有权
公开(公告)号：JP6781679B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2017174285
申请日：2017-09-11
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：田内裕基
IPC分类号： G11B7/26 , C23C14/08 , G11B7/2433

63. 发明专利

JP2019050072A 記録層及び光情報記録媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2019050072A
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：JP2017174285
申请日：2017-09-11
申请人：株式会社神戸製鋼所
发明人：田内裕基
IPC分类号： G11B7/26 , C23C14/08 , G11B7/2433
摘要：【課題】本発明は、層数の増加を抑制しつつ種々の要求特性を満たすことができる記録層及び光情報記録媒体を提供することを課題とする。【解決手段】本発明に係る記録層は、レーザー光の照射によって記録が行われる光情報記録媒体用記録層であって、タングステン酸化物及びコバルト酸化物を含有し、全金属原子に対するコバルト原子の含有量が10原子%超70原子%以下である。当該記録層は、インジウム酸化物及び銅酸化物のうち少なくとも1種をさらに含有するとよい。当該記録層は、銀酸化物をさらに含有することが好ましく、全金属原子に対する銀原子の含有量としては20原子%以下が好ましい。当該記録層は、レーザー光の照射によって気泡を生成するとよい。当該記録層の平均厚さとしては5nm以上60nm以下が好ましい。本発明に係る光情報記録媒体は当該記録層を備える。【選択図】図1

64. 发明专利

JPWO2012117671A1 情報記録媒体およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2012117671A1
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：JP2013502168
申请日：2012-02-06
申请人：パナソニック株式会社
发明人：晴比古土生田 , 晴比古土生田 , 久田　和也 , 和也久田 , 照弘塩野 , 照弘塩野 , 古宮　成 , 成古宮
IPC分类号： G11B7/24035 , B41M5/26 , G11B7/24 , G11B7/24065 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/24035 , G11B7/24065 , G11B7/24085 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/26 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , Y10T428/21
摘要：本発明の情報記録媒体(100)は、基板(1)と、基板(1)上に設けられた、レーザビームの照射によって光学的特性が変化し得る記録層と、を含む。前記記録層は、微小の記録領域(例えば、相変化微粒子(2))が複数配列されることによって形成されている。前記記録領域の一部または全ては、TeおよびOを含有する記録材料からなる。前記記録領域の情報記録方向に沿った長さは、30nm以下である。前記記録材料は、元素M(Mは、Pd、AuおよびPtから成る群より選択される少なくとも1つの元素)をさらに含有することが好ましい。

65. 发明专利

JP5441902B2 The information recording medium and the recording and reproducing method using the same 有权
公开(公告)号：JP5441902B2
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：JP2010516769
申请日：2009-06-12
申请人：パナソニック株式会社
发明人：理恵児島 , 正博尾留川 , 建治鳴海 , 昇山田
IPC分类号： G11B7/24 , B41M5/26 , G11B7/135 , G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/254 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/258
CPC分类号： G11B7/1387 , G11B7/00454 , G11B7/006 , G11B7/08511 , G11B7/24 , G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25715
摘要： The information recording medium (100) of the present invention includes: an information layer (110) including a recording layer (115) capable of changing its phase containing at least one selected from Ge-Te, Sb-Te and Ge-Sb, and two or more dielectric layers (117, 118) disposed on the optical beam incident side with respect to the recording layer (115); and a transparent layer (102) disposed on the optical beam incident side with respect to the information layer (110) adjacent to the information layer, made of a transparent material with respect to the optical beam, and having a refractive index n of 1.75 or more. When two dielectric layers (117, 118) from the near side to the transparent layer (102) each are referred to as a dielectric layer b (118) and a dielectric layer a (117) from the optical beam incident side among the two or more dielectric layers (117, 118), a relationship of the refractive index n of the transparent layer 102, a refractive index nb of the dielectric layer b (118) and a refractive index na of the dielectric layer a satisfies nb 1 by irradiation with optical beam.

67. 发明专利

JP5390629B2 Optical information recording medium and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP5390629B2
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：JP2011537113
申请日：2010-09-27
申请人：パナソニック株式会社
发明人：晴比古土生田 , 昇山田 , 伸也阿部 , 克幸高橋
IPC分类号： G11B7/258 , G11B7/24035 , G11B7/24038 , G11B7/24062 , G11B7/24094 , G11B7/243 , G11B7/2433
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/00736 , G11B7/24038 , G11B7/24062 , G11B7/24094 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , Y10T428/21 , Y10T428/24521 , Y10T428/24612
摘要： The information recording medium 3 comprises an information layer having a metal layer 5 on a substrate 4, wherein concavo-convex portion is formed in the substrate to give main information such as image and voice, and the metal layer contains Al, Si and M (wherein M is at least one element selected from a group consisting of Cr and Ni) and enables sub-information to be additionally recorded therein at low cost by laser-beam 7 irradiation.

68. 发明专利

JP2010120382A Optical recording medium with write-once and rewritable property 有权
标题翻译：光记录介质，具有写入和可恢复性能
公开(公告)号：JP2010120382A
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：JP2009259928
申请日：2009-11-13
申请人： Thomson Licensing , トムソンライセンシングThomson Licensing
发明人： KNAPPMANN STEPHAN
IPC分类号： B41M5/26 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/125 , G11B7/24 , G11B7/24035 , G11B7/24067 , G11B7/24094 , G11B7/2433 , G11B20/10
CPC分类号： G11B7/006 , G11B7/00736 , G11B7/24035 , G11B7/24067 , G11B7/2433 , G11B20/00086 , G11B20/0021 , G11B20/00253 , G11B20/00376 , G11B20/00586 , G11B2220/211 , G11B2220/216 , G11B2220/218 , G11B2220/235 , G11B2220/2537
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a write-once optical recording medium, which has rewritable properties in addition to the write-once properties.
SOLUTION: The optical recording medium has a recording layer with at least a first recording sublayer (R1) and a second recording sublayer (R2) for recording information marks by alloying the material of at least the first and second recording layers (R1 and R2). The material of at least the first and second recording layers (R1 and R2) is chosen such that the alloyed material is a phase-change material adapted for recording additional data as phase change of the alloyed material.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

70. 发明专利

JP2010003402A Sputtering target for phase change memory, film for phase change memory formed by using the target, and method for producing the target 有权
标题翻译：用于相变记忆的飞溅目标，使用目标形成的相位变化记忆片，以及用于制作目标的方法
公开(公告)号：JP2010003402A
公开(公告)日：2010-01-07
申请号：JP2009165544
申请日：2009-07-14
申请人： Nippon Mining & Metals Co Ltd , 日鉱金属株式会社
发明人： YAHAGI MASATAKA , SHINDO YUICHIRO , TAKAMI HIDEO
IPC分类号： G11B7/26 , B41M5/26 , C22C12/00 , C23C14/06 , C23C14/34 , G11B7/2433 , H01L45/00
CPC分类号： G11B7/243 , C23C14/06 , C23C14/3414 , G11B7/266 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a sputtering target for a phase change memory, which is capable of reducing, as much as possible, impurities that cause the reduction in the number of times of rewriting and an erasing rate as a result of such impurities segregating and condensing in the vicinity of the boundary face of the memory point and non-memory point, in particular, impurity elements that affect the crystallization speed, reducing the compositional deviation and component segregation of the target in relation to the intended composition, and improving the rewriting properties and crystallization speed of a phase change memory, and the manufacturing method thereof.
SOLUTION: The sputtering target for the phase change memory is characterized in that it is composed from elements of not less than a three component system and consists essentially of one or more components selected from stibium, tellurium or selenium, and the compositional deviation in relation to the intended composition is ±1.0 atom% or less. In addition, a film for the phase change memory is formed by using the target.
COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种相变存储器的溅射靶，其能够尽可能地减少导致重写次数减少的杂质和由于这样的杂质在记忆点和非记忆点的边界面附近分离和凝结，特别是影响结晶速度的杂质元素，降低靶的组成偏差和组分偏析相对于预期组成，并提高相变存储器的重写性能和结晶速度及其制造方法。解决方案：相变存储器的溅射靶的特征在于其由不小于三组分系统的元素组成，并且基本上由选自锑，碲或硒的一种或多种组分组成，并且组成偏差相对于目标组成为±1.0原子％以下。此外，通过使用目标来形成用于相变存储器的胶片。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

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