专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

61. 发明专利

JP2007126713A Detoxification apparatus and semi-conductor device manufacturing method 审中-公开
标题翻译：脱氧设备和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2007126713A
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：JP2005320128
申请日：2005-11-02
申请人： Seiko Epson Corp , セイコーエプソン株式会社
发明人： NUKUI TOSHIO
IPC分类号： C23C16/44 , B01D53/34 , B01D53/68 , C23C16/14 , H01L21/3065
CPC分类号： Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a detoxification apparatus capable of reducing the environmental load by considerably reducing the amount of industrial wastes, and a semi-conductor device manufacturing method. SOLUTION: The detoxification apparatus 100 mainly consists of a heating reaction unit 101, a cooling unit 102, and a storage unit 103. The heating reaction unit 101 takes in mixed gas G1 containing exhaust gas from a dry etching device with SF 6 gas as an etching gas. Metal particles of W are placed in the heating reaction unit 101 to promote the reaction with F-based gas. Thus, WF 6 useful for forming CVD metal is re-produced from the mixed gas G1. Mixed gas G2 fed from the heating reaction unit 101 is introduced in the cooling unit 102, WF 6 is recovered in the cooling step, and collected in the storage unit 103 such as a recovery tank and a WF 6 cylinder. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供能够通过显着减少工业废弃物的量来降低环境负荷的解毒装置，以及半导体装置的制造方法。解毒装置100主要由加热反应单元101，冷却单元102和存储单元103组成。加热反应单元101从具有SF的干蚀刻装置吸入含有废气的混合气体G1， SB> 6气体作为蚀刻气体。 W的金属颗粒被放置在加热反应单元101中以促进与F基气体的反应。因此，从混合气体G1重新生成用于形成CVD金属的WF 6 。从加热反应单元101供给的混合气体G2被引入冷却单元102中，在冷却步骤中回收WF SB，并将其收集在诸如回收罐和WF < SB> 6 筒。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

62. 发明专利

JP2007016295A Vacuum processing apparatus and vacuum processing method, and thin film manufacturing method 有权
标题翻译：真空加工设备和真空处理方法以及薄膜制造方法
公开(公告)号：JP2007016295A
公开(公告)日：2007-01-25
申请号：JP2005201369
申请日：2005-07-11
申请人： Angstrom Technologies:Kk , 株式会社オングストロームテクノロジーズ
发明人： SATAKE KOJI , SAKAMOTO HITOSHI
IPC分类号： C23C16/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To enhance unification and the utilization efficiency of a fed gas without increasing the size of a vacuum processing apparatus.
SOLUTION: A gas nozzle 14 extends to a center of a chamber 1. A gas ejection port 15 opening in a top plate 7 is formed in a tip of the gas nozzle 14. A conical projection 18 projecting inside the chamber 1 is provided on the inner side of the top plate 7 while a top of the conical projection is substantially matched with the position of the gas ejection port 15. The gas ejected from the gas ejection port 15 is rectified by the conical projection 18 and promoted in the horizontal direction. Accumulation of the gas is eliminated by unifying the gas within the chamber 1, and unification and the utilization efficiency of the gas are enhanced.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提高进料气体的统一性和利用效率，而不增加真空处理装置的尺寸。解决方案：气体喷嘴14延伸到腔室1的中心。在气体喷嘴14的尖端中形成有在顶板7中开口的气体喷射口15.在腔室1内突出的锥形突起18是设置在顶板7的内侧，同时锥形突起的顶部与气体喷出口15的位置基本一致。从气体喷出口15排出的气体被锥形突起18整流，并在水平方向。通过统一室1内的气体来消除气体的积聚，提高气体的一致性和利用效率。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

63. 发明专利

JP3872787B2 Metal film production apparatus and a method for manufacturing 有权
公开(公告)号：JP3872787B2
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：JP2003434004
申请日：2003-12-26
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：直樹八幡 , 仁志坂本 , 義行大庭 , 謙小椋
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/08 , C23C16/507 , H01L21/28 , H01L21/285

64. 发明专利

JP2006526709A 审中-公开
公开(公告)号：JP2006526709A
公开(公告)日：2006-11-24
申请号：JP2006515023
申请日：2004-06-01
IPC分类号： C23C14/16 , C23F13/00 , B32B20060101 , B32B15/00 , B32B15/01 , C22C5/04 , C22C14/00 , C23C20060101 , C23C16/14 , C23C26/00 , C23C26/02 , C23C28/00 , C23C30/00 , C23F13/02 , C23F13/04

65. 发明专利

JP2006257554A Thin film deposition system 审中-公开
标题翻译：薄膜沉积系统
公开(公告)号：JP2006257554A
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：JP2006072716
申请日：2006-03-16
申请人： Ips Ltd , アイピーエスリミテッドIPS Ltd.
发明人： PARK YOUNG HOON , LEE SAHNG KYU , LEE KI HOON , SEO TAE WOOK
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/18 , C23C16/34
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/45523
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thin film deposition system where a thin film is swiftly vapor-deposited on a substrate, and further, the purity of the thin film can be improved using the conventional ALD (Atomic Layer Deposition) system. SOLUTION: During a second reaction gas continuous feeding process S12 of continuously feeding a second reaction gas into a chamber, a process cycle including a first reaction gas feeding process S13a of feeding a first reaction gas into the chamber and a first reaction gas purge process S13b of purging the first reaction gas that is not adhered onto a substrate in the chamber is repeatedly performed. The second reaction gas continuous feeding process S12 includes a second reaction gas impulse feeding process S12a of feeding the second reaction gas at an impulse flow rate greater than a basic flow rate during the first reaction gas purge process S 13b. COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种薄膜沉积系统，其中薄膜迅速气相沉积在基底上，此外，可以使用常规的ALD（原子层沉积）系统来提高薄膜的纯度。解决方案：在将第二反应气体连续地进料到室中的第二反应气体连续进料步骤S12期间，包括将第一反应气体进料到室中的第一反应气体进料步骤S13a和第一反应气体反复进行清洗未附着在室内的基板上的第一反应气体的吹扫工序S13b。第二反应气体连续进料步骤S12包括在第一反应气体净化过程S 13b期间以大于基本流速的脉冲流量供给第二反应气体的第二反应气体脉冲进料步骤S12a。版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

66. 发明专利

JP3801548B2 Cleaning method of the metal film production apparatus 有权
公开(公告)号：JP3801548B2
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：JP2002240340
申请日：2002-08-21
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：直樹八幡 , 仁志坂本 , 義行大庭 , 謙小椋 , 年彦西森
IPC分类号： C23C16/14 , C23C16/44 , H01L21/28 , H01L21/285

68. 发明专利

JP3744554B2 Thin film forming method 失效
公开(公告)号：JP3744554B2
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：JP24220194
申请日：1994-09-09
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：茂水野 , 昭彦高良
IPC分类号： H01L21/285 , C23C16/02 , C23C16/14
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/0281 , C23C16/14

70. 发明专利

JP3727878B2 Metal film production apparatus 有权
公开(公告)号：JP3727878B2
公开(公告)日：2005-12-21
申请号：JP2001348315
申请日：2001-11-14
申请人：三菱重工業株式会社
发明人：直樹八幡 , 仁志坂本 , 竜一松田
IPC分类号： C23C16/507 , C23C16/06 , C23C16/08 , C23C16/14 , C23C16/448 , C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/321 , C23C16/14 , C23C16/4488 , C23C16/455 , H01J2237/2001

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式