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61. 发明专利

JP2016092424A 太陽電池有权
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：JP2016092424A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2015216904
申请日：2015-11-04
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：リユジン , チョンチンウォン
IPC分类号： H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/0328 , H01L31/035272 , H01L31/03682 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/186 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：【課題】キャリアが再結合され消滅するリーク電流(leakage current)を遮断する太陽電池を提供する。【解決手段】第1導電型の不純物を含有する半導体基板110と、半導体基板110の上に位置する金属酸化膜TMOと、金属酸化膜TMOの上に位置し、第1導電型と反対である第2導電型を有するエミッタ部121と、エミッタ部121に接続される第1電極141、及び半導体基板110に接続される第2電極142とを含む。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种太阳能电池，其中导致载流子复合和消失的漏电流被阻挡。解决方案：太阳能电池包括：含有第一导电类型的杂质的半导体衬底110; 位于半导体衬底110上的金属氧化物膜TMO; 位于金属氧化物膜TMO上并具有与第一导电类型相反的第二导电类型的发射极部分121; 连接到发射极部分121的第一电极141和连接到半导体衬底110的第二电极142.图2

62. 发明专利

JP5695283B1 太陽電池およびその製造方法、ならびに太陽電池モジュール有权
标题翻译：太阳能电池及其制造方法和太阳能电池模块，
公开(公告)号：JP5695283B1
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2014556861
申请日：2014-05-17
申请人：株式会社カネカ
发明人：日野将志 , 足立大輔
IPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/0747 , H01L31/1884 , Y02E10/50
摘要：本発明の太陽電池は、光電変換部(50)の第一主面上に集電極(70)を備える。集電極(70)は、光電変換部(50)側から順に、第一導電層(71)と第二導電層(72)とを含む。光電変換部(50)の第一主面上において、第一導電層(70)が形成されていない第一導電層非形成領域には、絶縁層(90)が形成されている。絶縁層(90)は、光電変換部(50)の第一主面上において、第一導電層(71)に接する第一絶縁層(91)と、第一絶縁層(91)上の少なくとも一部を覆うように形成された第二絶縁層(92)とを備える。
摘要翻译：本发明的太阳能电池包括光电转换单元（50）的第一主表面上的集电极电极（70）。集电极电极（70），以便包括从所述光电转换单元（50）侧，第一导电层（71）的第二导电层（72）。在第一光电转换单元（50），在其上没有形成所述第一导电层（70）的第一导电层非形成区域的主表面上，绝缘层（90）形成。绝缘层（90）是在至少一个光电转换单元（50），在与第一导电层（71）（91），一个第一绝缘层（91）接触的第一绝缘层的主表面上的第一包括形成为覆盖部分和（92）的第二绝缘层。

63. 发明专利

JP2014527725A 光起電デバイス有权
标题翻译：光伏设备
公开(公告)号：JP2014527725A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：JP2014527730
申请日：2012-08-14
申请人：アイキューイーパブリックリミテッドカンパニーIqe Plc. , アイキューイーパブリックリミテッドカンパニーIqe Plc.
发明人：アンドリュージョンソン， , アンドリュージョンソン， , アンドリュー，ウィリアムネルソン， , アンドリュー，ウィリアムネルソン， , ロバートキャメロンハーパー， , ロバートキャメロンハーパー，
IPC分类号： H01L31/074
CPC分类号： H01L31/0328 , H01L29/16 , H01L29/20 , H01L29/267 , H01L31/02167 , H01L31/03044 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/06875 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/074 , H01L31/1812 , H01L31/1844 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要：本発明による光起電デバイスは、III−V族半導体材料層とIV族半導体材料層との間に界面を備え、このIV族半導体材料の層にはこの界面の近傍に薄いシリコン拡散バリヤが設けられている。このシリコン拡散バリヤは、V族原子のIV族半導体材料層への拡散を制御し、これによりこのIV族半導体材料層はn型にドープされる。このn型にドープされた領域は、上記のIV族半導体材料層において、優れた太陽電池の特性を有する、太陽電池セルのp−n接合部となる。また、このIII−V族半導体材料層のp型領域とコンタクトしているトンネルダイオードを設けることができ、このトンネルダイオードは太陽電池に有効である。【選択図】図2および図11
摘要翻译：根据本发明的光伏装置，包括III-V族半导体材料层和IV族半导体材料层，设置有在界面附近的薄的硅扩散阻挡IV族半导体材料的层之间的界面是的。硅扩散阻挡控制第Ⅴ族原子，由此将IV族半导体材料层掺杂n型的IV族半导体材料层中的扩散。在n型掺杂区，在上述IV族半导体材料层，它具有优异的太阳能电池，太阳能电池的p-n结的特性。另外，也可以提供一种p型区和接触到III-V族半导体材料层的隧道二极管，隧道二极管有效地用于太阳能电池。背景技术图2和图11

64. 发明专利

JP5213134B2 Solar cell 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5213134B2
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：JP2009509552
申请日：2007-02-09
申请人：サンパワーコーポレイション
发明人：カズンズ，ピーター，ジョン
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/062
CPC分类号： H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/068 , H01L31/074 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要： A silicon solar cell has doped amorphous silicon contacts formed on a tunnel silicon oxide layer on a surface of a silicon substrate. High temperature processing is unnecessary in fabricating the solar cell.
摘要翻译：硅太阳能电池已经在硅衬底的表面上形成在隧道氧化硅层上的掺杂非晶硅接触。制造太阳能电池时不需要高温处理。

65. 发明专利

JP2012191186A Photoelectric conversion device 有权
标题翻译：光电转换器件
公开(公告)号：JP2012191186A
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：JP2012034641
申请日：2012-02-21
申请人： Semiconductor Energy Lab Co Ltd , 株式会社半導体エネルギー研究所
发明人： YAMAZAKI SHUNPEI , ISAKA FUMITO , NISHIDA JIRO
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1868 , H01L31/022466 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02E10/548 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photoelectric conversion device with high conversion efficiency whose light absorption loss at a window layer is small.SOLUTION: A photoelectric conversion device including a light-transmitting semiconductor layer having p-type conductivity as a window layer is formed by forming a p-n junction between the light-transmitting semiconductor layer and a crystalline silicon substrate having n-type conductivity between a pair of electrodes. The light-transmitting semiconductor layer includes an organic compound and an inorganic compound. The organic compound includes a material with high hole-transporting property. The inorganic compound includes a transition metal oxide having electron-accepting property.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有高窗口层的光吸收损耗小的高转换效率的光电转换装置。解决方案：通过在透光半导体层和具有n型导电性的晶体硅衬底之间形成pn结，形成包括具有p型导电性的透光半导体层作为窗口层的光电转换装置一对电极。透光半导体层包括有机化合物和无机化合物。有机化合物包括具有高空穴传输性的材料。无机化合物包括具有电子接受性的过渡金属氧化物。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

66. 发明专利

JP2012054424A Solar battery, and method of manufacturing the same 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：JP2012054424A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：JP2010196087
申请日：2010-09-01
申请人： Koji Tomita , 富田孝司
发明人： TOMITA KOJI
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/0725 , H01L31/1804 , H01L31/1852 , Y02E10/544 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a solar battery with a high conversion efficiency by increasing an open circuit voltage.SOLUTION: In a hetero junction type solar battery, a semiconductor A, and a semiconductor B having a conductor different from the semiconductor A and having an electron affinity alarger than the electron affinity aof the semiconductor A are bonded, and the semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched within 1% respectively. In a method of manufacturing a hetero junction type solar battery in which a semiconductor A, and a semiconductor B having a conductor different from the semiconductor A and having an electron affinity alarger than the electron affinity aof the semiconductor A are bonded, and in which the semiconductor A and the semiconductor B are lattice-matched within 1% respectively, the semiconductor A is a p-type silicon. A p-type germanium layer is formed on a surface of the semiconductor A. An oxide film is removed by removing the germanium layer, and then, an n-type GaP is formed. An open circuit voltage in the obtained solar battery is 2 V. Thus, a high open circuit voltage can be obtained.
摘要翻译：要解决的问题：通过增加开路电压来获得具有高转换效率的太阳能电池。解决方案：在异质结型太阳能电池，半导体A和具有不同于半导体A的导体且具有大于电子亲和力的电子亲和力的半导体B 半导体A的电子亲和力a 1 键合，半导体A和半导体B分别在1％以内格子匹配。在制造异质结型太阳能电池的方法中，其中半导体A和半导体B具有不同于半导体A的导体，并且具有比电子亲和力a 2 大于半导体A的电子亲和力a 1 分别结合，半导体A和半导体B分别在1％以内格子匹配，型硅。在半导体A的表面上形成p型锗层。通过除去锗层除去氧化膜，然后形成n型GaP。所获得的太阳能电池中的开路电压为2V。因此，可以获得高开路电压。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

67. 发明专利

JP2010531064A Single p-n junction tandem photovoltaic device 审中-公开
公开(公告)号：JP2010531064A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：JP2010513389
申请日：2008-06-18
申请人：ローズストリートラブズエナジー, インコーポレイテッド
发明人：レディースローウォルキーウィッツ， , ジョエルダブリュ．ザサードエージャー， , キンマンユー，
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/074 , H01L31/0725 , Y02E10/50
摘要： A single P-N junction solar cell is provided having two depletion regions for charge separation while allowing the electrons and holes to recombine such that the voltages associated with both depletion regions of the solar cell will add together. The single p-n junction solar cell includes an alloy of either InGaN or InAlN formed on one side of the P-N junction with Si formed on the other side in order to produce characteristics of a two junction (2J) tandem solar cell through only a single P-N junction. A single P-N junction solar cell having tandem solar cell characteristics will achieve power conversion efficiencies exceeding 30%.

68. 发明专利

JP2009535845A Solar cell with doped semiconductor heterojunction electrode 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP2009535845A
公开(公告)日：2009-10-01
申请号：JP2009509552
申请日：2007-02-09
申请人：サンパワーコーポレイション
发明人：カズンズ，ピーター，ジョン
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/062
CPC分类号： H01L31/02008 , H01L31/02167 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02366 , H01L31/03682 , H01L31/03762 , H01L31/03921 , H01L31/068 , H01L31/074 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , Y02E10/50 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：シリコン太陽電池は、シリコン基板の表面におけるトンネルシリコン酸化物層上に形成されたドープドアモルファスシリコン電極を有する。太陽電池の製造において、高温処理が不要である。
【選択図】図１
摘要翻译：硅太阳能电池已经在硅衬底的表面上形成在隧道氧化硅层上的掺杂非晶硅接触。制造太阳能电池时不需要高温处理。

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