会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 68. 发明专利
    • 半導体装置の製造方法
    • 制造半导体器件的方法
    • JP2015103581A
    • 2015-06-04
    • JP2013241307
    • 2013-11-21
    • 日東電工株式会社
    • 木村 雄大三隅 貞仁大西 謙司菅生 悠樹宍戸 雄一郎
    • H01L23/373H01L21/52
    • H01L24/27H01L24/83H01L2224/45144H01L2224/45147H01L2224/48091H01L2224/73265H01L2924/181
    • 【課題】 ダイボンドフィルムと被着体との間にボイドが生じたとしても、ボイドによる影響を低減させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 【解決手段】 熱伝導率が12W/m・K以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して75重量%以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が1W/m・K以上である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、熱硬化型ダイボンドフィルムを介して、半導体チップを被着体上にダイボンドするダイボンド工程と、熱硬化型ダイボンドフィルムを、圧力1〜20kg/cm 2 の条件下において、加熱温度80〜200℃、加熱時間0.1〜24時間の範囲内で加熱することにより熱硬化させる熱硬化工程とを含む半導体装置の製造方法。 【選択図】 図1
    • 要解决的问题:提供一种半导体器件的制造方法,即使在芯片接合薄膜和被粘接物体之间产生空隙也能够减小空隙的影响。半导体装置的制造方法 装置包括:制备热固性芯片接合膜的步骤,其包括热导率为12W / m K以上的导热性颗粒,占热固性型芯接合膜的总重量的75重量%以上, 其具有1W / m K以上的后热固化导热率; 将半导体芯片的芯片接合进行物体粘合的芯片接合工序; 以及热固化步骤,通过在加热温度为80-200℃的1-20kg / cm 2的压力下加热固化热固性模片接合薄膜,加热时间在0.1-24小时的范围内。