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1. 发明专利

JP6815132B2 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート有权
公开(公告)号：JP6815132B2
公开(公告)日：2021-01-20
申请号：JP2016170115
申请日：2016-08-31
申请人：日東電工株式会社
发明人：本田哲士 , 菅生悠樹 , 下田麻由
IPC分类号： C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/52

2. 发明专利

JP6366228B2 接着シート、及びダイシング・ダイボンディングフィルム有权
公开(公告)号：JP6366228B2
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：JP2013118065
申请日：2013-06-04
申请人：日東電工株式会社
发明人：木村雄大 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 宍戸雄一郎 , 菅生悠樹
IPC分类号： C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J163/00 , C09J201/00 , C09J7/00

3. 发明专利

JP2018006735A 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート审中-公开
公开(公告)号：JP2018006735A
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：JP2017046481
申请日：2017-03-10
申请人：日東電工株式会社
发明人：本田哲士 , 菅生悠樹 , 鎌倉菜穂
IPC分类号： B22F7/08 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/32 , C08K3/08 , C08K3/10 , C09J1/00 , C09J7/10 , C09J7/385 , C09J9/00 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2400/16 , H01J37/28 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014
摘要：【課題】有機成分による焼結性金属粒子の焼結の阻害を抑制してパワー半導体装置に十分な接合信頼性を付与可能な加熱接合シート、及び当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供すること。【解決手段】加熱により焼結層となる前駆層を有する加熱接合用シートであって、前記前駆層は、焼結性金属粒子と有機成分とを含み、前記前駆層は、海島構造又は共連続構造である相分離構造を有し、前記前駆層の少なくとも一方の表面のSEM表面観察像において、前記相分離構造の各相が占める領域についての最大内接円の直径のうちの最大値が1μm以上50μm以下である加熱接合用シート。【選択図】図3A

4. 发明专利

JP2017164782A 接合体の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017164782A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016052619
申请日：2016-03-16
申请人：日東電工株式会社
发明人：鎌倉菜穂 , 菅生悠樹 , 本田哲士
IPC分类号： B22F7/08 , B23K20/00
CPC分类号： B22F7/08 , B23K20/00
摘要：【課題】揮発物によって生じる接合材と被接合物との間の剥離を抑制することができ、高温での接合信頼性の高い接合体を得ることが可能な接合体の製造方法を提供すること。【解決手段】焼結前層を有する加熱接合用シートを介して2つの被接合物が仮接着された積層体を準備する工程Aと、積層体を、下記で定義する第1の温度以下から第2の温度まで昇温する工程Bと工程Bの後、積層体の温度を所定範囲内に保持する工程Cと、を有し、工程Bの少なくとも一部の期間、及び、工程Cの少なくとも一部の期間において、積層体を加圧する接合体の製造方法。第1の温度:焼結前層の熱重量測定を行ったときに、前記焼結前層に含まれる有機成分が10重量%減少するときの温度。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2017069560A 加熱接合用シート、及び、ダイシングテープ付き加熱接合用シート审中-公开
公开(公告)号：JP2017069560A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2016184505
申请日：2016-09-21
申请人：日東電工株式会社
发明人：菅生悠樹 , 鎌倉菜穂
IPC分类号： C09J7/02 , H01L21/52
CPC分类号： H01L21/52 , C09J7/20 , C09J9/02 , C09J11/04 , C09J201/00 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
摘要：【課題】貼り付け時のはみ出しや貼り付け対象物表面への這い上がりが抑制され、且つ、焼結後は強固な焼結層が得られる加熱接合用シートを提供すること。【解決手段】 10MPaの加圧下で、80℃から300℃まで昇温速度1.5℃/秒にて昇温した後、300℃で2.5分間保持した後の硬さが、ナノインデンターを用いた計測において、1.5GPa〜10GPaの範囲内である層を有する加熱接合用シート。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2017069422A 加熱接合用シート及びダイシングテープ付き加熱接合用シート有权
公开(公告)号：JP2017069422A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015194243
申请日：2015-09-30
申请人：日東電工株式会社
发明人：菅生悠樹 , 鎌倉菜穂
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00 , C09J11/04 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/83 , C09J11/04 , C09J201/00 , C09J7/20 , H01L21/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
摘要：【課題】均一な厚みにより接合ムラを防止し、高温接合信頼性を付与可能な加熱接合シート、及び当該加熱接合用シートを有するダイシングテープ付き加熱接合用シートを提供すること。【解決手段】加熱により焼結層となる前駆層を有し、前記前駆層の平均厚みが5μm〜200μmであり、かつ前記前駆層の最大厚み及び最小厚みが前記平均厚みの±20%の範囲内である加熱接合用シート。加熱により焼結層となる前駆層を有し、前記前駆層の平均厚みが5μm〜200μmであり、かつ前記前駆層の表面をコンフォーカル顕微鏡により200μm×200μmの視野で計測した際の表面粗さSaが2μm以下である加熱接合用シート。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2015130418A 導電性フィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープ、半導体装置の製造方法、及び半導体装置审中-公开
标题翻译：电导电胶粘剂，带胶粘剂的胶带，制造半导体器件的方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015130418A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014001531
申请日：2014-01-08
申请人：日東電工株式会社
发明人：菅生悠樹 , 大西謙司 , 木村雄大
IPC分类号： H01L21/301 , C09J7/00 , C09J201/00 , C09J11/04 , H01L21/52
摘要：【課題】導電性フィルム状接着剤と被着体との間に存在するボイドを消滅させることが可能で、導電性フィルム状接着剤が被着体と接触する面積を確保することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。その方法に使用されるフィルム状接着剤、フィルム状接着剤付きダイシングテープを提供する。【解決手段】導電性フィルム状接着剤を介して、半導体チップを被着体上にダイボンドする工程と、前記半導体チップを被着体上にダイボンドする工程の後に、前記導電性フィルム状接着剤を加圧下で加熱することにより熱硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够消除导电膜粘合剂和被粘物之间的空隙并确保导电膜粘合剂和被粘物之间的接触面积的半导体器件的方法，与该方法一起使用的膜粘合剂，以及具有膜粘合剂的切割胶带。解决方案：一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：通过导电膜粘合剂将半导体芯片芯片接合到被粘物; 在将半导体芯片芯片接合到被粘物之后，通过在压力下加热导电膜粘合剂来热硬化。

8. 发明专利

JP2015129227A 導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープ审中-公开
标题翻译：带薄膜粘合剂的导电胶带和胶带
公开(公告)号：JP2015129227A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014001537
申请日：2014-01-08
申请人：日東電工株式会社
发明人：菅生悠樹 , 大西謙司
IPC分类号： H01L21/52 , H01L21/301 , C09J201/00 , C09J11/04 , C09J9/02 , H01B1/22 , H01B1/00 , C09J7/00
CPC分类号： C09J7/00 , C09J11/04 , C09J7/02 , C09J9/02 , H01B1/22 , C08K2201/001 , C09J2201/36 , C09J2201/602 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247
摘要：【課題】マイグレーションを抑制可能であり、高信頼性の半導体装置を製造可能な導電性フィルム状接着剤及びフィルム状接着剤付きダイシングテープを提供すること。【解決手段】本発明は、導電性粒子を含み、脱イオン水滴下法に基づくマイグレーション試験における試験開始からマイグレーション発生までの時間が500秒以上である導電性フィルム状接着剤である。フィルム状接着剤では、塩素イオンの濃度が20ppm以下であることが好ましい。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：能够抑制迁移并且能够生产高可靠性的半导体器件的导电膜状粘合剂; 和具有膜状粘合剂的切割带。解决方案：本发明是一种导电膜状粘合剂，其包含导电颗粒，并且具有从基于去离子水滴法的迁移试验开始到发生迁移的时间 500秒以上。优选膜状粘合剂的氯离子浓度为20ppm以下。

9. 发明专利

JP2015126018A 半導体装置用樹脂フィルム、及び、半導体装置の製造方法有权
标题翻译：用于半导体器件的树脂膜和用于制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015126018A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013267575
申请日：2013-12-25
申请人：日東電工株式会社
发明人：木村雄大 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 菅生悠樹 , 宍戸雄一郎
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/27 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
摘要：【課題】熱履歴を経た後も充分なイオン捕捉性を有する半導体装置用樹脂フィルムを提供すること。【解決手段】熱硬化前の銅イオン捕捉率Aと熱硬化後の銅イオン捕捉率Bとの比B/Aが1以上である半導体装置用樹脂フィルム。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使在热滞后完成之后，也提供具有足够的离子俘获特性的半导体器件的树脂膜。解决方案：一种半导体器件用树脂膜的铜离子捕获性能A / 热固化前和铜离子捕获性能B热固化后。

10. 发明专利

JP2015103582A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015103582A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：JP2013241309
申请日：2013-11-21
申请人：日東電工株式会社
发明人：木村雄大 , 三隅貞仁 , 大西謙司 , 菅生悠樹 , 宍戸雄一郎
IPC分类号： H01L23/373 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181
摘要：【課題】半導体ウエハに熱硬化型ダイボンドフィルムを貼り付き易くすることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】熱伝導率が12W/m・K以上の熱伝導性粒子を、熱硬化型ダイボンドフィルム全体に対して75重量%以上含有しており、熱硬化後の熱伝導率が1W/m・K以上であり80℃での溶融粘度が5000Pa・s以下である熱硬化型ダイボンドフィルムを準備する工程と、80℃以下の温度、且つ、1.0MPa以下の圧力で、熱硬化型ダイボンドフィルムと半導体ウェハの裏面とを貼り合わせる貼り合わせ工程とを含む半導体装置の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造半导体器件的方法，该半导体器件允许热固性芯片接合膜容易地粘附到半导体晶片上。解决方案：一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：制备热固性芯片接合膜，包括热导率为12W / m·K以上的导热性粒子，占热固化型芯片接合膜的总重量的75重量％以上，其后热固化热导率为1W / m K以上，80℃以下的熔融粘度为5000Pa·s以下。并且通过在1.0℃以下的压力下，在80℃以下的温度下将热固化型芯片接合薄膜与半导体晶片的背面接合而将热固化型芯片接合薄膜和半导体晶片结合在一起。

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