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61. 发明专利

JP6125420B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6125420B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2013269189
申请日：2013-12-26
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：副島成雅 , 庄司智幸 , 渡辺行彦 , 榊原明徳 , 添野明高 , 竹内有一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/41 , H01L29/78

62. 发明专利

JP2017005140A 絶縁ゲート型スイッチング装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：绝缘栅开关装置及其制造方法
公开(公告)号：JP2017005140A
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2015118389
申请日：2015-06-11
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 水野祥司 , 渡辺行彦 , 青井佐智子
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/28 , H01L29/41 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/42368
摘要：【課題】電界緩和領域の突出量を大きくできる絶縁ゲート型スイッチング装置の製造方法を提供する。【解決手段】n型の第1SiC半導体層の表面に第1トレンチを形成する工程と、第1トレンチの底面にp型不純物を注入する工程と、p型不純物の注入後に、第1トレンチの内面にn型の第2SiC半導体層を堆積させることによって、p型不純物の注入領域(電解緩和領域)32の上部に第1トレンチよりも幅が狭い第2トレンチ34(ゲートトレンチ)を形成する工程と、ゲート絶縁層38、ゲート電極40、n型の第1領域22(ソース領域)及びp型のボディ領域26bを形成する工程を有する。【選択図】図1
摘要翻译：本发明提供一种制造场弛豫区域的突出量可以增加绝缘栅型开关器件的方法。形成在1SiC半导体层的n型表面的第一沟槽，在第一沟槽的底部注入p型杂质，p型杂质，所述第一沟槽的内表面的注射后在通过沉积n型第一2SiC半导体层，一个步长宽度比第一沟槽到p型杂质区域的喷射（电解还原区域）32的顶部，以形成一个狭窄的第二沟槽34（栅极沟槽）栅极绝缘层38，栅电极40的第一区域22，n型形成的本体区26b中（源极区域）和p型。点域1

63. 发明专利

JP2016149428A 半導体装置とその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016149428A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：JP2015025112
申请日：2015-02-12
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：朽木克博 , 渡辺行彦 , 青井佐智子 , 杉本雅裕 , 三村智博
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/316 , H01L29/78
摘要：【課題】SiC基板の表面に酸化物絶縁膜を形成する場合、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板内に侵入してSiC基板の品質が劣化する。それを防止するために、SiC基板の表面を窒素で置換しておいて酸化物絶縁膜を堆積する技術等が開発されているが、SiC基板内に侵入してしまった酸素には対応できない。【解決手段】SiC基板の表面にSiO 2 より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属膜を形成し、その表面に酸化物絶縁膜を堆積する。すると、金属膜が、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板内に侵入することを防止するとともに、SiC基板内の酸素を吸引して金属酸化物を形成する。酸素による品質低下が少ないSiC基板を活用した半導体装置を実現できる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了解决在SiC衬底的表面上形成氧化物绝缘膜的情况，气氛气体中的氧气进入SiC衬底，使得Sic衬底的质量劣化，并且为了防止这种情况，技术等开发用于在用氮气代替SiC衬底的表面的同时沉积氧化物绝缘膜，但是不可能处理已经进入SiC衬底的氧气。解决方案：形成其结合能高于在SiC衬底表面上形成的SiO 2和氧化物绝缘膜的金属氧化物沉积在其表面上。然后，金属膜防止气氛气体中的氧气进入SiC衬底，并吸收SiC衬底内的氧以形成金属氧化物。因此，可以提供有效地利用由氧气引起的质量恶化降低的SiC衬底的半导体器件。选择的图：图1

64. 发明专利

JP2016111283A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016111283A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014249645
申请日：2014-12-10
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 永岡達司 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 金村高司
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
摘要：【課題】トレンチの底面を覆うゲート絶縁膜の耐圧を確保しながら、スイッチング損失を抑制することが可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置1は、表面にトレンチ30が形成された半導体基板10と、トレンチ30の内面を覆うゲート絶縁膜51と、トレンチ30の内部に配置され、ゲート絶縁膜51により半導体基板10から絶縁されたゲート電極52と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のソース領域11と、トレンチ30の両側面を覆うゲート絶縁膜51に接するp型のベース領域12と、トレンチ30の両側面31、32と底面40を覆うゲート絶縁膜51に接するn型のドリフト領域15とを備えている。トレンチ30の底面40は、短手方向おいて中心部が周縁部より上に突出するように形成されている。周縁部を覆うゲート絶縁膜51の厚みが、中心部を覆うゲート絶縁膜51の厚みより厚い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制开关损耗的技术，同时确保覆盖沟槽底面的栅极绝缘膜的耐电压。解决方案：半导体器件1包括：半导体衬底10，其中沟槽30形成在表面; 覆盖每个沟槽30的内表面的栅极绝缘膜51; 栅极电极52，其布置在每个沟槽30的内部，并通过栅极绝缘膜51与半导体衬底10绝缘; n型源极区域11，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; p型基极区域12，其接触覆盖每个沟槽30的两个侧面的栅极绝缘膜51; 以及接触覆盖每个沟槽30的两个侧面31,32和底面40的栅极绝缘膜51的n型漂移区15.沟槽30的底面40形成为使得中心部分在较短的方向上从周边部分向上突出。覆盖周边部分的栅极绝缘膜51的厚度比覆盖中心部分的栅极绝缘膜51的厚度厚。图1

65. 发明专利

JP2016063107A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016063107A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014190810
申请日：2014-09-19
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 宮原真一朗 , 水野祥司
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/76 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , G01R31/2621 , H01L29/0696 , H01L29/4238 , H01L29/7815 , H01L29/04 , H01L29/0623 , H01L29/1608
摘要：【課題】メインセル領域とセンスセル領域との間の分離領域において高い耐圧特性を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板がメインセル領域とセンスセル領域を有し、半導体基板の上面にメイン第2半導体領域をセンス第2半導体領域から分離している分離トレンチが形成されており、前記第3半導体領域によって前記メイン第2半導体領域及び前記センス第2半導体領域から分離されている第2導電型の分離第4半導体領域をさらに有する半導体装置。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供在主单元区域和感测单元区域之间的隔离区域中具有高耐压特性的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：主单元区域和感测单元区域; 隔离沟槽，形成在所述半导体衬底的顶面上，并将主第二半导体区域与感测第二半导体区域隔离; 以及由第三半导体区域与主第二半导体区域和感测第二半导体区域隔离的第二导电类型隔离第四半导体区域。图4

66. 发明专利

JP2016054181A 絶縁ゲート型スイッチング素子审中-公开
标题翻译：绝缘闸门开关元件
公开(公告)号：JP2016054181A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014178896
申请日：2014-09-03
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：杉本雅裕 , 朽木克博 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 海老原康裕
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/739 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/28 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0865 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/4983 , H01L29/512 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/1608
摘要：【課題】ゲート閾値が高く、かつ、チャネル抵抗が低い絶縁ゲート型スイッチング素子を提供する。【解決手段】絶縁ゲート型スイッチング素子であって、第1導電型の第1領域と、前記第1領域に接する第2導電型のボディ領域と、前記ボディ領域によって前記第1領域から分離された第1導電型の第2領域と、前記第1領域、前記ボディ領域及び前記第2領域に接する絶縁膜と、絶縁膜を介して前記ボディ領域に対向するゲート電極を有する。前記ボディ領域が、第1ボディ領域と第2ボディ領域を有する。前記第1ボディ領域は、前記第2ボディ領域よりも大きい理論閾値Vthを有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供具有高栅极阈值和低沟道电阻的绝缘栅极开关元件。解决方案：绝缘栅极开关元件包括：第一导电类型的第一区域; 与第一区域接触的第二导电类型的体区; 所述第一导电类型的第二区域通过所述身体区域与所述第一区域分离; 与所述第一区域，所述主体区域和所述第二区域接触的绝缘膜; 以及通过绝缘膜面向主体区域的栅电极。身体区域具有第一身体区域和第二身体区域。第一体区的理论阈值Vth大于第二体区的理论阈值Vth

67. 发明专利

JP5852555B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5852555B2
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：JP2012282290
申请日：2012-12-26
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 添野明高 , 鈴木巨裕
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L27/04
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/41766 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608

68. 发明专利

JP5772842B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP5772842B2
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：JP2013017147
申请日：2013-01-31
申请人：株式会社デンソー , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所
发明人：森野友生 , 水野祥司 , 竹内有一 , 添野明高 , 渡辺行彦
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L27/04 , H01L29/06 , H01L21/76
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/761 , H01L27/088 , H01L29/0615 , H01L29/0642 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7815

69. 发明专利

JP2015126192A 縦型半導体装置有权
标题翻译：垂直型半导体器件
公开(公告)号：JP2015126192A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013271576
申请日：2013-12-27
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：青井佐智子 , 渡辺行彦 , 斎藤順 , 鈴木巨裕
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/0415 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7397
摘要：【課題】半導体装置2の周辺領域6の耐圧を高める。【解決手段】周辺領域6では、半導体基板の表面に臨む位置に、リサーフ領域32とガードリング30・・を形成し、さらにドリフト領域14の中間深さにドリフト領域14と反対導電型のフローティング領域40を形成する。フローティング領域40は、最内周のガードリング30aより内側の位置から半導体基板の外周8に向けて連続的に延びている。リサーフ領域32とドリフト領域14の界面から空乏層が広がるとともにドリフト領域14とフローティング領域40の界面からも空乏層が広がり、周辺領域6での耐圧が向上する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高半导体器件2的周边区域6的耐电压。解决方案：在周边区域6中的半导体衬底的表面上的位置上形成有复位区域32和保护环30，并且具有与漂移区域14相反的导电类型的浮动区域40形成在漂移区域14的深度的中间。浮动区域40从最内侧保护环30a的内侧的位置连续地延伸朝向半导体基板的外周8。耗尽层从复原区域32和漂移区域14之间的边界面扩大，耗尽层也从漂移区域14和浮动区域40之间的边界面扩大，周边区域6的耐电压提高。

70. 发明专利

JP2015118966A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015118966A
公开(公告)日：2015-06-25
申请号：JP2013259764
申请日：2013-12-17
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：高谷秀史 , 渡辺行彦 , 青井佐智子 , 秋葉敦也
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/4236 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/7813 , H01L29/66734
摘要：【課題】トレンチゲート型半導体装置においてゲート酸化膜に印加される電界を低減する【解決手段】この半導体装置は、第1導電型のドリフト層15と、その上面に接している第2導電型のボディ層12と、ボディ層12の上面に配置されている第1導電型の第1半導体領域と、ボディ層12を貫通してドリフト層15内に達するゲートトレンチ2の壁面に形成されているゲート絶縁膜17と、ゲート絶縁膜17内に配置され、ボディ層12にゲート絶縁膜17を介して対向するトレンチゲート電極11が備えられている。そして、この半導体装置はボディ層と接続されている主電極21と、ゲートトレンチ2の底部に設けられ、ドリフト層によって囲まれている第2導電型の第2半導体領域14と、第2半導体領域14と主電極21とを電気的に接続し、半導体装置がオフ状態のときに第2半導体領域14と主電極21とを同電位とする導電体領域13を備えている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了减小施加到沟槽栅型半导体器件中的栅极氧化膜的电场。解决方案：半导体器件包括：第一导电型漂移层15; 与漂移层15的上表面接触的第二导电型体层12; 设置在主体层12的上表面上的第一导电型的第一半导体区域; 形成在贯通本体层12并到达漂移层15的栅极沟槽2的壁面上的栅极绝缘膜17; 以及设置在栅极绝缘膜17中并经由栅极绝缘膜17面向主体层12的沟槽栅电极11.半导体器件还包括：连接到主体层的主电极21; 第二导电型第二半导体区域14，设置在栅沟槽2的底表面上并被漂移层包围; 以及导电区域13，电连接第二半导体区域14和主电极21，并且当半导体器件处于断开状态时使第二半导体区域14和主电极21具有相同的电位。

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