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51. 发明专利

JP2008529265A Semiconductor device having a heterojunction and inter-finger structure to 有权
公开(公告)号：JP2008529265A
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：JP2007551714
申请日：2006-01-18
申请人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
发明人：クロード・ジョサウド , ピエール・ジャン・リベロン
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/03529 , H01L31/022433 , H01L31/022441 , H01L31/0288 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/202 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本発明は、第1の導電型でドープされたアモルファス半導体の少なくとも1つの第1の領域(6)を、結晶半導体(1)の少なくとも1つの面(3)に備える半導体デバイス(100)に関する。半導体基板(1)は、同じ領域(3)に、第1の伝導型と反対の第2の導電型にドープされたアモルファス半導体の少なくとも1つの第2の領域(7a、7b)を備える。アモルファス半導体の第1の領域(6)は、半導体基板(1)と接触した少なくとも1つの誘電体領域(8a、8b、8c、8d)によってアモルファス半導体の第2の領域(7a、7b)から絶縁され、さらに、アモルファス半導体の第2の領域(7a、7b)は、インターフィンガ構造を形成している。

52. 发明专利

JP2008519438A Back-contact solar cells 审中-公开
公开(公告)号：JP2008519438A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2007539261
申请日：2005-10-28
申请人：ビーピー・コーポレーション・ノース・アメリカ・インコーポレーテッド
发明人：カールソン，デビッド・イー
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/0745 , H01L31/0747
CPC分类号： H01L31/0747 , H01L31/02168 , H01L31/022441 , H01L31/02363 , H01L31/0745 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：第１の受光表面及び第１の表面の反対側の第２の表面を有する、第１の導電型の半導体材料を含むウエハ；ウエハの第１の表面上に配置された第１のパッシベーション層；ウエハの第２の表面上に配置された第１の電気接点；ウエハの第２の表面上に配置され、第１の電気接点とは電気的に分離されている第２の電気接点；ウエハの第２の表面上の、少なくともウエハの第１の電気接点と第２の表面との間のウエハ上の領域内に配置された第２のパッシベーション層；及び第２のパッシベーション層と第１の接点との間の領域内に配置された、ウエハの導電型と反対の導電型の半導体材料を含む層；を含む太陽電池。

53. 发明专利

JPH07211931A PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND ITS MANUFACTURE 失效
公开(公告)号：JPH07211931A
公开(公告)日：1995-08-11
申请号：JP29140794
申请日：1994-11-25
申请人： CANON KK
发明人： NISHIDA AKIYUKI
IPC分类号： H01L31/04 , H01L21/20 , H01L31/0392 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/0747 , H01L31/18
摘要： PURPOSE:To form a polycrystalline silicon layer composed of silicon crystals having a large grain size by depositing polycrystalline silicon on a metal oxide formed on a metal-grade silicon substrate. CONSTITUTION:A ZnO film having a thickness of 2m is formed as a metal oxide layer 102 on the surface of a metallic Si substrate 101 having a thickness of 0.5mm by the sputtering method and an n-type Si layer 103 is deposited on the layer 102 by 20mum in thickness by using a vacuum evaporation device. The maximum temperature and duration which are important to the crystallinity of a polycrystalline Si layer when an Si layer is recrystallized are respectively 1,410-1,450 deg.C and 5-120 seconds, and the temperature-lowering rate which is important to the crystallinity when molten Si is solidified is 0.1-5 deg.C/sec. Based on the above, the Si layer 103 is melted and recrystallized by irradiating the layer 103 with light from a halogen lamp after depositing an NSG film as a cap layer 104 having a thickness of 2mum on the surface of the layer 103 formed on the metallic Si substrate 101. When the Si layer 103 deposited on the metal-grade Si substrate and metal oxide is melted and recrystallized by heating the layer with the halogen lamp, an Si layer having a large grain size can be formed.

54. 发明专利

JPH04184979A SOLAR CELL AND MANUFACTURE OF SOLAR CELL 失效
公开(公告)号：JPH04184979A
公开(公告)日：1992-07-01
申请号：JP31508490
申请日：1990-11-20
申请人： CANON KK
发明人： NISHIDA AKIYUKI
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/18 , H01L31/0368 , H01L31/04 , H01L31/062 , H01L31/072 , H01L31/0745 , H01L31/075 , H01L31/077 , H01L31/18
摘要： PURPOSE:To increase the efficiency of a solar cell, to increase the mass production of the solar cell and to manufacture the solar cell into a low-cost and good-quality solar cell by a method wherein the crystal orientations of crystal grains, which are the constituent element of a polycrystalline silicon thin film, are made even to the direction of the film thickness of the thin film and at the same time, single crystal substance are implanted on a metal substrate and are selectively crystal-grown. CONSTITUTION:An insulating layer 202 is formed on the surface of a silicon wafer 201, such square opening parts 204 as one side of the opening parts is (a) are provided at intervals of b=50mum by etching and single crystal substances 203 are arranged regularly on lattice points by performing a selective crystal growth. In this case, the orientations of the substances 203 are all made even and have a correct share of a crystal orientation from the wafer 201 Then, the layer 202 is removed and the substances 203 are implanted on a metal substrate to form as a seed crystal. Contrary to this, a selective epitaxial growth is performed to form a polycrystalline silicon thin film. Thereby, the efficiency of a solar cell can be increased and at the same time, the mass productivity of the solar cell is improved and the solar cell can be manufactured into a low-cost and good-quality solar cell.

55. 发明专利

JP6975368B1 太陽電池及び太陽電池モジュール有权
公开(公告)号：JP6975368B1
公开(公告)日：2021-12-01
申请号：JP2020192430
申请日：2020-11-19
申请人：ジョジアンジンコソーラーカンパニーリミテッド , 晶科能源股▲ふん▼有限公司
发明人：楊潔 , 鄭 ▲ぺい▼ ▲てぃん▼ , 張 ▲きん▼ 宇 , 金浩
IPC分类号： H01L31/0745
摘要：【課題】トンネル酸化膜パッシベーションコンタクト構造を電池の正面に応用する際に横方向輸送と多結晶シリコン膜の光吸収とのバランスを取る必要性による制限を緩和して、高い開回路電圧を実現するとともに、電池の短絡電流を向上させることができる太陽電池及び太陽電池モジュールを提供する。【解決手段】第1の表面10及び第2の表面20を有する半導体基板と、第1の誘電体層101と、第1のN+ドープ層102と、第1のパッシベーション層及び第1の反射防止層103と、第1の電極104と、第2の誘電体層201と、第1のP+ドープ層202と、第2のパッシベーション層及び第2の反射防止層203と、第2の電極204と、を備える太陽電池。【選択図】図1

56. 发明专利

JP6946381B2 太陽電池用蒸着装備及びこれを用いた蒸着方法有权
公开(公告)号：JP6946381B2
公开(公告)日：2021-10-06
申请号：JP2019135854
申请日：2019-07-24
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド , LG ELECTRONICS INC.
发明人：ウォンジェチャン , ジュンヨンアン , ヒュンホリ
IPC分类号： H01L31/0745 , C23C16/455 , H01L21/205 , H01L31/18

57. 发明专利

JP2021151125A 光電変換素子の製膜検査方法および光電変換素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021151125A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020049982
申请日：2020-03-19
申请人：株式会社カネカ
发明人：石橋寛隆 , 阿部祐介
IPC分类号： H01L31/0745 , H02S50/10
摘要：【課題】製膜面と反対側の裏面への回り込み製膜(裏回り製膜)の有無を簡易に検査する光電変換素子の製膜検査方法を提供する。【解決手段】光電変換素子の製膜検査方法は、半導体基板に導電型半導体層を製膜してなる光電変換素子の製膜検査方法であって、導電型半導体層のうちのp型半導体層25は、真空チャンバを用いて、半導体基板11の一方主面に製膜され、半導体基板11の少なくとも他方主面はテクスチャ構造を有し、p型半導体層25が製膜された半導体基板11を、p型半導体層が耐性を有する薬液50に浸漬し、薬液50に浸漬した半導体基板11の他方主面の端部とそれ以外の部分との濃淡差に基づいて、p型半導体層25の他方主面への回り込み製膜(裏回り製膜)の有無を検査する。【選択図】図3

58. 发明专利

JP6795653B2 太陽電池及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6795653B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2019087643
申请日：2019-05-07
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：ハジュンミン , キムスンジン , チョンジュファ , アンチョンヨン , チェヒョンウク , チャンウォンジェ , キムジェスン
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/0745 , H01L31/18

59. 发明专利

JP2020098914A 太陽電池のホイルベースの金属被覆法审中-公开
公开(公告)号：JP2020098914A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2020009794
申请日：2020-01-24
申请人：サンパワーコーポレイション , トータルマーケティングサービスィズ
发明人：ハーレイ、ガブリエル , テソク、キム , セウェル、リチャード、ハミルトン , モーズ、マイケル , スミス、デイヴィッド、ディー. , モールス、マティユ , モシュナー、イェンス−ディルク
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/0224
摘要：【課題】太陽電池の製造効率の向上を可能にする太陽電池構造体を製造するための新規なプロセスを提供する。【解決手段】基板100に形成された複数の交互のN型半導体領域104及びP型半導体領域106の表面にはそれぞれ金属シード材料領域114を備え、金属ホイル118はそれぞれの金属シード材料領域114に直接接合され、複数の交互のN型半導体領域104及びP型半導体領域106に対応する位置126で、金属ホイル118の全厚さのおよそ80〜99%の範囲にわたり、金属ホイル118の厚さをレーザーアブレーションすることで溝を形成し、さらに、金属ホイル118の表面を陽極酸化することにより、複数の交互のN型半導体領域104及びP型半導体領域106に対応する位置126で金属ホイル118が絶縁分離される深さまで金属ホイル118の表面を酸化することで酸化物コーティング124を形成する。【選択図】図1E

60. 发明专利

JP6608351B2 太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6608351B2
公开(公告)日：2019-11-20
申请号：JP2016245757
申请日：2016-12-19
申请人：エルジーエレクトロニクスインコーポレイティド
发明人：リキョンソ , パクサンウク , リチンヒョン
IPC分类号： H01L31/0745 , H01L31/074 , H01L31/0747

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