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52. 发明专利

JP2017220922A 信号伝送装置、及び、その製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017220922A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2017019866
申请日：2017-02-06
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：崔成伯 , 永井秀一
IPC分类号： H01P5/02 , H01P1/203 , H01P7/08 , H02J50/12 , H04B5/00
CPC分类号： H01L23/66 , H01L21/4825 , H01L21/4853 , H01L23/495 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01P7/00 , H04B1/10 , H01L2223/6611 , H01L2223/6616 , H01L2223/6627 , H01L2223/6661 , H01L2224/48195 , H01L2224/48245 , H01L2224/48265 , H01L23/49555 , H01L24/48
摘要：【課題】小型化が容易な信号伝送装置を提供する。【解決手段】信号伝送装置10は、第1リードフレーム304、及び、第2リードフレーム305と、第1リードフレーム304の第1主面304aに配置された送信回路201と、第2リードフレーム305の第1主面305aに配置された受信回路202とを備える。また、信号伝送装置10は、第1リードフレーム304の第2主面304bと、第2リードフレーム305の第2主面305bとにまたがって配置された電磁共鳴結合器100aを備える。【選択図】図6B

54. 发明专利

JP6181097B2 並列キャパシタおよび高周波半導体装置有权
公开(公告)号：JP6181097B2
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：JP2015053057
申请日：2015-03-17
申请人：株式会社東芝
发明人：高木一考
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/24 , H01G4/40
CPC分类号： H01G4/385 , H01L23/66 , H01L27/0805 , H01L28/60 , H03K5/13 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/48195 , H01L2224/49175 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107

56. 发明专利

JP2016158167A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016158167A
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：JP2015035644
申请日：2015-02-25
申请人：三菱電機株式会社
发明人：佐々木善伸
IPC分类号： H01P5/08 , H03F1/12 , H03F3/195
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L23/66 , H01L24/49 , H01L2223/6611 , H01L2223/6655 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/49112 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L24/48 , H01L25/16 , H01L2924/00014 , H01L2924/1033 , H01L2924/1306 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107
摘要：【課題】不安定動作を抑制でき、しかも小型化に好適な半導体装置を提供する。【解決手段】パッケージを含む半導体装置は、パッケージに固定された入力端子10と、パッケージの中に設けられた入力プリマッチ基板P1と、パッケージの中に設けられ、入力プリマッチ基板とは別の基板に形成された半導体素子T1と、入力プリマッチ基板に形成された回路素子20と、入力端子と回路素子を接続する第1ワイヤW11−14と、回路素子と半導体素子を接続する第2ワイヤW21−24とで構成する整合回路と、回路素子の一部として形成された第1MIM(Metal Insulator Metal)キャパシタC21と、発振を抑制する第1抵抗R11と第2MIMキャパシタC11で構成する安定化回路と、を備える。第1MIMキャパシタの下部電極32は、入力プリマッチ基板に設けられたビアG1によりパッケージに接続されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种可以抑制不稳定操作且适合于小型化的半导体器件。解决方案：包括封装的半导体器件包括：固定到封装的输入端子10; 设置在所述封装中的输入预匹配衬底P1; 半导体元件T1，其设置在所述封装中并且形成在不同于所述输入预匹配衬底的衬底上; 形成在输入预匹配衬底上的电路元件20; 由用于连接输入端子和电路元件的第一布线W11-14和用于连接电路元件和半导体元件的第二布线W21-24组成的匹配电路; 以及由作为电路元件的一部分形成的第一MIM（金属绝缘体金属）电容器C21，抑制振荡的第一电阻R11和第二MIM电容器C11构成的稳定电路。第一MIM电容器的底部电极32通过设置在输入预匹配衬底中的通孔G1连接到封装。选择的图示：图3

57. 发明专利

JP2016106496A スケーラブルな高帯域幅の接続性审中-公开
标题翻译：可扩展的高带宽连接性
公开(公告)号：JP2016106496A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：JP2016045422
申请日：2016-03-09
申请人：ケッサ・インコーポレーテッド
发明人：ゲイリー・ディー・マコーマック , イアン・エー・カイルズ
IPC分类号： H01Q21/24 , H01Q23/00 , H01Q1/40 , H01L23/12 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L25/07 , H04B5/02
CPC分类号： H04B5/0031 , H01Q1/2275 , H01Q23/00 , H01Q7/00 , H02J5/005 , H04B5/0037 , H01L2223/6677 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L23/3128 , H01L23/66 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15173 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H05K1/0239 , H05K1/144 , H05K1/165 , H05K2201/09618 , H05K2201/0969 , H05K2201/10098 , H05K2201/10159
摘要：【課題】本発明の目的は、スケーラブルな高帯域幅の接続性に関する。【解決手段】可搬型ストレージデバイスおよびメモリモジュールのためのスケーラブルな高帯域幅の接続性が、プリント回路基板などの平坦な表面上にさまざまな2次元構成および3次元構成で搭載されたEHF通信リンクチップパッケージを利用する可能性がある。カード状のデバイスの主面上に分散されたデバイス間の複数の電磁通信リンクが、各デバイスの通信ユニットのそれぞれ位置合わせされたペアによって提供される可能性がある。プリント回路基板上の隣接する通信ユニットは、直線または楕円偏波などの異なる偏波を有する電磁放射を送信または受信する可能性がある。通信デバイス間の電力および通信は、両方とも無線で提供される可能性がある。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供可扩展的高带宽连接性。解决方案：用于便携式存储设备和存储器模块的可扩展高带宽连接可以利用安装在各种二维和三维配置中的平面表面上的EHF通信链路芯片封装作为印刷电路板。分布在卡状设备的主面上的设备之间的多个电磁通信链路可以通过在每个设备上分别对齐的通信单元对来提供。印刷电路板上的相邻通信单元可以发送或接收具有不同极化的电磁辐射，例如线性或椭圆偏振。通信设备之间的电源和通信可能都是无线提供的。选择图：图1

58. 发明专利

JP2015139207A 増幅装置有权
标题翻译：放大器件
公开(公告)号：JP2015139207A
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：JP2014011764
申请日：2014-01-24
申请人：住友電工デバイス・イノベーション株式会社
发明人：宮澤直行
IPC分类号： H03F3/68 , H03F3/213 , H03F3/195
CPC分类号： H03F3/16 , H01L23/4952 , H01L23/49531 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49838 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/2003 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/2178 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/0557 , H01L2224/0603 , H01L2224/06135 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32245 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L23/3121 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/1306 , H01L2924/13064 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F2200/15 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/391 , H03F2200/411 , H05K2203/049 , H05K3/284
摘要：【課題】整合回路の数を削減して部品コストや実装工数を抑えることができる増幅装置を提供する。【解決手段】増幅装置1Aは、一対の縁部10a,10bを有するパッケージ10と、縁部10aに設けられた入力端子12と、縁部10bに設けられた出力端子15,16と、ボンディングワイヤ17aによって入力端子12と直接的に接続された入力端を有する第一段FETチップ20と、縁部10aに設けられ、ボンディングワイヤ17bによって第一段FETチップ20の出力端と直接的に接続された第一段間端子13と、縁部10aに設けられた第二段間端子14と、ボンディングワイヤ17cによって出力端子15,16と直接的に接続された出力端を有する第二段FETチップ30と、一方の電極が第二段間端子14及び第二段FETチップ30の入力端と接続されたインピーダンス整合用のキャパシタ素子40とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够通过减少匹配电路的数量来抑制部件成本或安装工时的放大装置。解决方案：放大装置1A包括：具有一对边缘部分10a和10b的封装10; 设置在边缘部10a的输入端子12; 设置在边缘部分10b中的输出端子15和16; 具有通过接合线17a直接连接到输入端子12的输入端的第一级FET芯片20; 第一级间端子13，其设置在边缘部分10a处，并且通过接合线17b直接连接到第一级FET芯片20的输出端; 设置在边缘部10a的第二级间端子14; 具有通过接合线17c直接连接到输出端子15和16的输出端的第二级FET芯片30; 以及用于阻抗匹配的电容器元件40，其一个电极连接到第二级间端子14和第二级FET芯片30的输入端。

59. 发明专利

JP2015015442A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015015442A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013142861
申请日：2013-07-08
申请人：三菱電機株式会社 , Mitsubishi Electric Corp
发明人： YAMAMOTO YASUKAZU , MIYAWAKI KATSUMI
IPC分类号： H01L21/52
CPC分类号： H01L24/69 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/16 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/27013 , H01L2224/29101 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/451 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48227 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L2224/83801 , H01L2224/83855 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/0781 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/0665 , H01L2924/07025 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：【課題】製品の品質及び生産性を向上することができる半導体装置を得る。【解決手段】基板1上にパッド2,3が隣接して設けられている。導電性テープ6がパッド2,3に貼り付けられている。導電性テープ6はパッド2の内側に貫通穴7を有する。導電性接着剤8が貫通穴7内に塗布されている。導電性接着剤8は導電性テープ6よりも高い熱伝導率を持つ。半導体チップ9が導電性接着剤8によりパッド2上に実装されている。電子部品10が導電性テープ6によりパッド3上に実装されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：实现可以提高产品质量和生产率的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：在衬底1上彼此相邻设置的衬垫2,3; 以及安装在焊盘2,3上的导电带6.导电带6在焊盘2内部具有通孔7.导电粘合剂8涂覆在通孔7的内表面上。导电粘合剂8具有更高的导电性半导体器件还包括：通过导电粘合剂8安装在焊盘2上的半导体芯片9; 以及通过导电带6安装在垫3上的电子部件10。

60. 发明专利

JP2015008431A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015008431A
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：JP2013133108
申请日：2013-06-25
申请人：株式会社東芝 , Toshiba Corp
发明人： IKEDA KENTARO
IPC分类号： H03K17/00 , H01L21/338 , H01L27/095 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L23/492 , H01L23/495 , H01L23/49537 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49568 , H01L23/49575 , H01L23/62 , H01L24/73 , H01L25/18 , H01L29/7786 , H01L29/866 , H01L29/872 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48195 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要：【課題】発熱による特性の変動を抑制した半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の金属基板と、第1の金属基板と分離された第2の金属基板と、第1の金属基板上に設けられるシリコン半導体のノーマリーオフトランジスタと、第2の金属基板上に設けられる窒化物半導体のノーマリーオントランジスタと、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种防止由于发热引起的特性变化的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：第一金属衬底; 从所述第一金属基板隔离的第二金属基板; 设置在第一金属基板上并由硅半导体构成的常关晶体管; 以及设置在第二金属基板上并由氮化物半导体构成的常通晶体管。

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