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51. 发明专利

JPWO2009072254A1 ＩＩＩ族窒化物結晶、その結晶成長方法および結晶成長装置有权
公开(公告)号：JPWO2009072254A1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2009544562
申请日：2008-11-27
申请人：パナソニック株式会社
发明人：峯本　尚 , 尚峯本 , 山田　修 , 修山田 , 畑山　健 , 健畑山 , 星河　浩介 , 浩介星河 , 保典得能 , 保典得能
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/00
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B17/00 , C30B19/02 , C30B19/06 , C30B19/063 , C30B29/406 , Y10T117/1096
摘要： III 族元素と窒素とアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属とを少なくとも含む融液50から窒素含有ガスの加圧雰囲気でIII 族窒化物結晶を成長させるに際し、前記融液50を保持する融液保持容器160を互いに方向が異なる2軸、たとえばX軸,Y軸の周りで揺動させる。これにより、融液50を容器底面(あるいは種結晶)との界面の全面にわたって十分な流速で流動させる攪拌が可能となり、結晶内部にマクロ欠陥の少ない結晶を成長させることが可能となる。また、融液保持容器160全体にわたって均一な融液50の流れを作ることが可能となり、このことによってもマクロ欠陥を低減できるとともに、結晶厚みの不均一が小さく、面内均一性に優れた結晶を成長させることが可能となる。

52. 发明专利

JP4622447B2 Method of manufacturing Iii-nitride crystal substrate 有权
公开(公告)号：JP4622447B2
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：JP2004304073
申请日：2004-10-19
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：昌紀上野 , 成二中畑 , 龍弘田
IPC分类号： H01L21/205 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/20 , H01L21/208
CPC分类号： C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要： Affords a Group-III nitride crystal substrate that is of low dislocation density and is inexpensive to manufacture, a method of manufacturing such a substrate, and Group-III nitride semiconductor devices that incorporate the Group-III nitride crystal substrate. The Group-III nitride crystal substrate manufacturing method includes: a step of growing, by liquid-phase epitaxy, a first Group-III nitride crystal (2) onto a base substrate (1); and a step of growing, by vapor-phase epitaxy, a second Group-III nitride crystal (3) onto the first Group-III nitride crystal (2). The Group-III nitride crystal substrate, produced by such a manufacturing method, has a dislocation density of 1 × 10 7 dislocations/cm 2 .

53. 发明专利

JPWO2007029655A1 六方晶系窒化物単結晶の製造方法、六方晶系窒化物半導体結晶及び六方晶系窒化物単結晶ウエハの製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2007029655A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：JP2007534407
申请日：2006-09-04
申请人：パナソニック株式会社
发明人：北岡　康夫 , 康夫北岡 , 峯本　尚 , 尚峯本 , 川口　靖利 , 靖利川口 , 森　勇介 , 勇介森 , 佐々木　孝友 , 孝友佐々木 , 史朗川村 , 史朗川村
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/12 , C30B33/00 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01S5/343
CPC分类号： C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/403
摘要：成長レートを向上し、高品質で大きな結晶を短時間で育成できる六方晶系窒化物単結晶の製造方法、それにより得られる六方晶系窒化物単結晶を提供する。液相成長によって平面状の種結晶基板の両面に同時に六方晶系窒化物単結晶を成長させることを特徴とする。前記結晶成長は、窒素含有ガスの存在下、ガリウム、アルミニウム及びインジウムからなる群から選択される少なくとも1つのIII族元素と、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の少なくとも一方のフラックスと、窒素とを含む融液を用い、前記種結晶基板の両面が融液と接触するように、前記種結晶基板を融液中に配置して行うことが好ましい。

54. 发明专利

JP2008214126A Method for manufacturing semiconductor crystal 有权
标题翻译：制造半导体晶体的方法
公开(公告)号：JP2008214126A
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：JP2007053321
申请日：2007-03-02
申请人： Ngk Insulators Ltd , Osaka Univ , Toyoda Gosei Co Ltd , 国立大学法人大阪大学 , 日本碍子株式会社 , 豊田合成株式会社
发明人： NAGAI SEIJI , YAMAZAKI SHIRO , SATO TOSHIYUKI , IWAI MAKOTO , IMAI KATSUHIRO , MORI YUSUKE , SASAKI TAKATOMO , KAWAMURA SHIRO
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/00 , H01L21/208
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/00 , C30B9/10
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To improve the crystallinity and uniformity of a semiconductor crystal and increase effectively its yield, in a flux method, so as to become higher than those of conventional methods.
SOLUTION: The c axis of a seed crystal 10 having GaN single crystal layer is oriented to a horizontal direction (y axis direction), one of the a axes of the seed crystal 10 is oriented to a vertical direction and one of the m axes is oriented to an x axis direction. Resultingly, all of the points p1, p2 and p3 on a clamper T contact the m-plane of the seed crystal. The clamper T has clamping members T1 and T2, where both of them extend vertically but the clamping member T1 has an end portion T1a tilted by 30° to the upper surface α of a growth source solution. The reason why the seed crystal is held at the m-plane is that the m-plane has a crystal growth speed slower than that of the a-plane and the desired c-plane growth is not hindered. The seed crystals 10 and the clampers T are plurally arranged periodically to the y-axis direction respectively.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提高半导体晶体的结晶度和均匀性，并且在助熔剂方法中有效地提高其产率，从而变得高于常规方法。＆lt;解决方案＆gt;具有GaN单晶层的晶种10的c轴取向为水平方向（y轴方向），晶种10的a轴之一取向为垂直方向， m轴取向为x轴方向。因此，夹持器T上的所有点p1，p2和p3接触晶种的m面。夹持器T具有夹紧构件T1和T2，其中它们都垂直延伸，但是夹紧构件T1具有相对于生长源溶液的上表面α倾斜30°的端部T1a。晶种保持在m面的原因是m面的晶体生长速度比a平面慢，并且所希望的c面生长不受阻碍。种子晶体10和夹持器T分别周期性地设置在y轴方向。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

55. 发明专利

JPWO2005103341A1 ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2005103341A1
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：JP2006519519
申请日：2005-04-27
申请人：松下電器産業株式会社 , 森勇介 , 勇介森
发明人：峯本　尚 , 尚峯本 , 北岡　康夫 , 康夫北岡 , 木戸口　勲 , 勲木戸口 , 森　勇介 , 勇介森 , 史朗川村 , 史朗川村 , 佐々木　孝友 , 孝友佐々木 , 英和梅田 , 英和梅田 , 高橋　康仁 , 康仁高橋
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/00 , C30B9/02 , C30B9/10 , C30B35/00 , H01L33/00
CPC分类号： C30B29/403 , C30B9/10 , C30B29/406 , C30B35/00 , Y10T117/1064 , Y10T117/1096
摘要：高品質の結晶が製造可能なIII族元素窒化物結晶製造装置およびIII族元素窒化物結晶製造方法を提供する。本発明の装置を用いた結晶成長は、例えば、以下のようにして行うことができる。反応容器(120)内に結晶原料(131)および窒素含有ガスを導入して加熱器(110)で加熱し、かつ加圧雰囲気下で結晶を成長させる。前記ガスは、ガス供給装置(180)から前記反応容器のガス導入口を通して前記反応容器(120)内に導入し、ついで、前記反応容器のガス排出口から耐圧容器(102)の内部に排出する。前記ガスが耐圧容器(102)を介さず反応容器(120)に直接導入するため、耐圧容器(102)等に付着した不純物の結晶成長の場への混入を防止できる。また、前記ガスが反応容器(120)内においてフローするため、蒸発したアルカリ金属等のガス導入口等での凝集やガス供給装置(180)等への流入等がない。これらの結果、得られるIII族元素窒化物結晶の品質を向上させることができる。

56. 发明专利

JPWO2004013385A1 ＩＩＩ族元素窒化物単結晶の製造方法およびそれにより得られたＩＩＩ族元素窒化物透明単結晶有权
公开(公告)号：JPWO2004013385A1
公开(公告)日：2006-09-21
申请号：JP2005506077
申请日：2003-06-30
申请人：財団法人大阪産業振興機構
发明人：佐々木　孝友 , 孝友佐々木 , 森　勇介 , 勇介森 , 吉村　政志 , 政志吉村 , 史朗川村 , 史朗川村 , 邦途大前 , 邦途大前 , 友也岩橋 , 友也岩橋 , 昌紀森下 , 昌紀森下
IPC分类号： C30B29/38 , C30B9/00 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/40 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L31/10 , H01L33/32 , H01S5/323
CPC分类号： C30B19/02 , C30B9/10 , C30B9/12 , C30B29/403
摘要：本発明は、透明で転位密度が少なく高品位であり、かつバルク状の大きなIII族元素窒化物の単結晶を収率良く製造可能な製造方法の提供を目的とする。本発明は、III族元素窒化物単結晶の製造方法であって、ナトリウム(Na)と、アルカリ金属(Naを除く)およびアルカリ土類金属の少なくとも一方との混合フラックス(Flux)中において、ガリウム(Ga)、アルミニウム(Al)およびインジウム(In)からなる群から選択された少なくとも一つのIII族元素と窒素(N)とを反応させることによりIII族元素窒化物の単結晶を成長させる製造方法である。本発明の窒化ガリウム単結晶は、高品位であり、かつ大きく透明なバルク状であり、その実用価値は極めて高い。

57. 发明专利

JP2005236261A Group iii nitride crystal substrate, its manufacturing method, and group iii nitride semiconductor device 有权
标题翻译：第III组氮化物晶体基板及其制造方法和III族氮化物半导体器件
公开(公告)号：JP2005236261A
公开(公告)日：2005-09-02
申请号：JP2004304073
申请日：2004-10-19
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： NAKAHATA SEIJI , HIROTA TATSU , UENO MASANORI
IPC分类号： H01L21/205 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/40 , H01L21/20 , H01L21/208
CPC分类号： C30B9/10 , C30B7/10 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/02494 , H01L21/0254 , H01L21/02587 , H01L21/0262 , H01L21/02625
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a group III nitride crystal substrate having a low dislocation density and a low manufacturing cost, its manufacturing method, and a group III nitride semiconductor device including the group III nitride crystal substrate.
SOLUTION: A manufacturing method of a group III nitride crystal comprises a step for growing a first group III nitride crystal 2 on a base substrate 1 by liquid-phase epitaxy and a step for growing a second group III nitride crystal 3 on the first group III nitride crystal 2 by vapor-phase epitaxy. Moreover, a group III nitride crystal substrate has a dislocation density obtained by the manufacturing method of 1×10
7 /cm
2 or less.
COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI
摘要翻译：要解决的问题：提供具有低位错密度和低制造成本的III族氮化物晶体基板，其制造方法和包括III族氮化物晶体基板的III族氮化物半导体器件。解决方案：III族氮化物晶体的制造方法包括通过液相外延在基底基板1上生长第一III族氮化物晶体2的步骤，以及在第二III族氮化物晶体3上生长第二III族氮化物晶体3的步骤第一III族氮化物晶体2通过气相外延生长。此外，III族氮化物晶体基板具有通过1×10 7 / cm 2 的制造方法获得的位错密度。版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

58. 发明专利

JP6393632B2 IV族半導体の結晶化方法および成膜装置有权
公开(公告)号：JP6393632B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015030323
申请日：2015-02-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：高橋和也 , 岡田充弘 , 小森克彦 , 米倉大雅
IPC分类号： H01L21/208 , C23C16/24 , H01L21/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B9/10 , C30B29/08 , C30B33/08 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/02592 , H01L21/0262 , H01L21/02672 , H01L21/67109

59. 发明专利

JP6304005B2 III族窒化物半導体の製造方法、坩堝有权
公开(公告)号：JP6304005B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014247209
申请日：2014-12-05
申请人：豊田合成株式会社
发明人：山▲崎▼ 真輝 , 守山実希
IPC分类号： C30B19/06 , C30B29/38
CPC分类号： C30B9/10 , C30B29/406

60. 发明专利

JPWO2015093406A1 窒化ガリウム層を含む基板およびその製造方法有权
公开(公告)号：JPWO2015093406A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015523321
申请日：2014-12-12
申请人：日本碍子株式会社
发明人：周平東原 , 周平東原 , 岩井　真 , 真岩井 , 克宏今井 , 克宏今井
IPC分类号： C30B29/38 , C30B33/12 , H01L21/3065 , H01L33/34
CPC分类号： H01L33/0095 , C30B9/10 , C30B19/02 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/304 , H01L21/30621 , H01L21/3065 , H01L22/12 , H01L29/2003 , H01L33/32
摘要：窒化ガリウム層を有する基板において、窒化ガリウム層の表面処理後の表面ダメージを低減し、その上に形成する機能素子の品質を改善する。少なくとも窒化ガリウム層を有する基板4を提供する。誘導結合式プラズマ発生装置を具備したプラズマエッチング装置を用い、規格化された直流バイアス電位を−10V/cm2以上としてフッ素系ガスを導入し、窒化ガリウム層3の表面3aをドライエッチング処理する。【選択図】図1

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