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51. 发明专利

JP6088142B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6088142B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2012007608
申请日：2012-01-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , C23C16/34 , H01L21/336

52. 发明专利

JP6087057B2 半導体メモリ装置有权
公开(公告)号：JP6087057B2
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：JP2012005134
申请日：2012-01-13
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7881 , G11C16/04 , H01L21/28273

53. 发明专利

JP6081704B2 半導体メモリ装置有权
公开(公告)号：JP6081704B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2012023677
申请日：2012-02-07
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/108 , G11C11/405 , H01L21/84 , H01L27/10894 , H01L27/10897 , H01L27/1207 , H01L27/0207 , H01L27/10814 , H01L27/10852 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L27/1203

54. 发明专利

JP6074166B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6074166B2
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：JP2012131527
申请日：2012-06-11
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： G11C11/405 , H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , G11C11/407
CPC分类号： G11C11/4074 , G11C11/403 , H01L27/108 , G11C14/0009 , G11C16/0433 , H01L27/1156 , H01L27/1225

55. 发明专利

JP2016219853A 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：JP2016219853A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016189172
申请日：2016-09-28
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦 , 山崎舜平
IPC分类号： H01L51/50
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558
摘要：【課題】高効率な有機発光素子を提供する。【解決手段】電子輸送性の高い有機材料(N型有機材料)の層と正孔輸送性の高い有機材料(P型有機材料)の層との間にイリジウム錯体等の有機発光材料の極めて薄い膜(単分子膜等)を設ける。上記の構成では、有機発光材料の層において、N型有機材料のLUM Oから有機発光材料のLUMOに電子が、P型有機材料のHOMOから有機発光材料のH OMOに正孔が、それぞれ注入されることにより、有機発光材料が励起状態となり、発光する。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种高效率的有机发光器件。极薄的有机发光材料，例如A具有高电子传输性有机材料（n型有机材料）的层层和高空穴传输性有机材料之间的铱配合物（P型有机材料）提供膜（单分子膜）。在上述结构中，在有机发光材料的层，从有机光的N型有机材料的LUMO的LUMO电子发射材料，从有机发光材料的P型有机材料的HOMO的HOMO中的孔被注入，分别的有机发光材料被激发并发光。点域1

56. 发明专利

JP6013543B2 電界効果トランジスタ有权
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：JP6013543B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2015069656
申请日：2015-03-30
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78609 , H01L29/7839 , H01L29/7869

57. 发明专利

JP5931583B2 半導体装置の作製方法有权
公开(公告)号：JP5931583B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2012114777
申请日：2012-05-18
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：下村明久 , 竹村保彦 , 坂田淳一郎
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/00 , H01L27/06 , H01L21/336

58. 发明专利

JP2016085743A 電子装置审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：JP2016085743A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2015207997
申请日：2015-10-22
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： G11C11/15 , G06F3/044 , G06F3/045 , G06F3/047 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , G01R27/00 , G06F3/0416
摘要：【課題】マトリクス装置中の画素やメモリセルの特性あるいはデータを読み出す際の精度を高める。【解決手段】複数のドライブラインと、それに交差するセンスラインと、それらの交点に設けられた複数の要素デバイスと、検出回路と、デコーダと、ドライバと、を有する電子装置であって、検出回路は、センスラインから第1の物理量を検出し、これをデジタル化したデジタル信号をデコーダに送信し、要素デバイスのそれぞれは、対応するドライブラインの信号に応じて、センスラインの第1の物理量を変動させることができ、ドライバは、デコーダとドライブラインにアダマール行列に基づいた符号化信号を送信することのでき、デコーダは、符号化信号とデジタル信号を用いて、演算処理をおこない、要素デバイスの第2の物理量に応じた値を算出することができる電子装置である。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提高矩阵装置中的像素或存储单元的读取特性或数据的精度。解决方案：电子装置包括多个驱动线，与驱动线交叉的感测线，提供的多个元件装置在其交点处，检测电路，解码器和驱动器。检测电路可以检测感测线的第一物理量，并将通过将第一物理量数字化而获得的数字信号发送到解码器。每个元件装置可以根据对应的驱动线的信号改变感测线的第一物理量。驱动器可以将基于Hadamard矩阵的编码信号发送到解码器和驱动线。解码器可以使用编码信号和数字信号执行算术处理，并且基于元件装置的第二物理量来计算值。图4

59. 发明专利

JP5860119B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP5860119B2
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：JP2014215958
申请日：2014-10-23
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8242
CPC分类号： H01L27/115 , G11C16/0408 , H01L27/0629 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1225

60. 发明专利

JP5833884B2 半導体メモリ装置有权
公开(公告)号：JP5833884B2
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：JP2011232376
申请日：2011-10-24
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：竹村保彦
IPC分类号： G11C11/402 , G11C11/412 , G11C11/405
CPC分类号： G11C11/412

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