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41. 发明专利

JP2013258328A Light-receiving element and optical device 有权
标题翻译：光接收元件和光学器件
公开(公告)号：JP2013258328A
公开(公告)日：2013-12-26
申请号：JP2012134142
申请日：2012-06-13
申请人： Sumitomo Electric Ind Ltd , 住友電気工業株式会社
发明人： INOGUCHI YASUHIRO , INADA HIROSHI
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/105 , H01L31/109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-receiving element and the like which have less variation in sensitivity across a target wavelength range in the light-receiving element having a light-receiving layer of a type-II multiquantum well structure.SOLUTION: The light-receiving element comprises: a light-receiving layer 3 which is formed on a substrate 1 of a group III-V compound semiconductor and includes a type-II multiquantum well structure; and type-I wavelength range decreasing means for decreasing light in a wavelength range where absorption of type-I occurs in the type-II multiquantum well structure, which is arranged on a light incident plane or between the incident plane and the light-receiving layer 3.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在具有II型多量子阱结构的光接收层的光接收元件中在目标波长范围内具有较小灵敏度变化的光接收元件等。解决方案：光接收元件包括：光接收层3，其形成在III-V族化合物半导体的基板1上，并且包括II型多量子阱结构; 以及I型波长范围减小装置，用于减少布置在入射平面或入射平面与光接收层之间的II型多量阱结构中发生I型吸收的波长范围内的光 3。

42. 发明专利

JP5274424B2 Photoelectric conversion element, the light-receiving device, the light-receiving system and distance measuring device 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5274424B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2009233680
申请日：2009-10-07
申请人：本田技研工業株式会社
发明人：智幸神山 , 圭祐是角
IPC分类号： H01L31/10 , G01C3/06 , G01S7/481 , G01S17/10 , H01L27/146
CPC分类号： G01S17/10 , G01S7/4816 , G01S7/484 , G01S7/4868 , G01S7/4876 , G01S17/89 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L31/022408 , H01L31/103 , H01L31/109
摘要： A first photoelectric conversion element for detecting light and converting the light into photoelectrons comprises one buried photodiode formed in a semiconductor substrate, and a plurality of MOS diodes each having an electrode formed on the semiconductor substrate with an insulator interposed therebetween. The buried photodiode has a comb shape, in which a plurality of diverging portions are disposed to diverge from one portion, when viewed from the top thereof, and the respective electrodes of the MOS diodes are disposed so as to be nested between the plurality of diverging portions of the buried photodiode when viewed from the tops thereof.
摘要翻译：用于检测光并将光转换成光电子的第一光电转换元件包括形成在半导体衬底中的一个掩埋光电二极管和多个MOS二极管，每个MOS二极管具有形成在半导体衬底上的电极，绝缘体插入其间。掩埋光电二极管具有梳状，当从其顶部观察时，多个发散部分设置成从一个部分发散，并且MOS二极管的各个电极被布置成嵌套在多个发散当从其顶部观察时，该掩埋光电二极管的一部分。

43. 发明专利

JPWO2011158827A1 紫外線センサ、及び紫外線センサの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2011158827A1
公开(公告)日：2013-08-19
申请号：JP2012520454
申请日：2011-06-14
申请人：株式会社村田製作所
发明人：中村　和敬 , 和敬中村
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/022408
摘要： NiOとZnOとの固溶体を主成分とするp型半導体層1と、ZnOを主成分としかつp型半導体層1の表面の一部が露出した形態でp型半導体層1に接合されたn型半導体層2とを有している。p型半導体層1の両端部には内部電極4に接続された第1の端子電極3aと、n型半導体層2に接続された第2の端子電極3bとが形成されている。内部電極4は、一般式RNiO3等で表される希土類元素RとNiを主成分とした低抵抗の複合酸化物で形成されている。これにより周辺回路を必要とせず、かつデラミネーション等を生じることもなく、光起電力として紫外線を容易に検出することができる安価で小型化が可能な紫外線センサを実現する。

45. 发明专利

JP5062422B2 Ultraviolet sensor 有权
公开(公告)号：JP5062422B2
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：JP2007546351
申请日：2006-05-17
申请人：株式会社村田製作所
发明人：和敬中村 , 吉博伊藤
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/109 , H01L31/18

46. 发明专利

JP5011607B2 Light receiving element 有权
公开(公告)号：JP5011607B2
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：JP2001117291
申请日：2001-04-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：造勝山 , 浩矢野 , 康藤村
IPC分类号： H01L31/10 , G02B26/02 , H01L31/00 , H01L31/0216 , H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/109
CPC分类号： H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/109

47. 发明专利

JP2012094723A Photo detector 有权
标题翻译：照片检测器
公开(公告)号：JP2012094723A
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：JP2010241587
申请日：2010-10-28
申请人： Fujitsu Ltd , 富士通株式会社
发明人： KAWAKAMI SHINICHIRO , MATSUMIYA YASUO
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC分类号： H01L31/108 , B82Y20/00 , H01L27/1446 , H01L27/14647 , H01L27/14649 , H01L27/14694 , H01L31/035236 , H01L31/109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a two wavelength corresponding photo detector capable of reducing the size of photo detector.SOLUTION: A photo detector includes: a first electrode layer formed so as to be laminated on a substrate; a first light absorption layer; a second electrode layer; a second light absorption layer; a third electrode layer; a first electrode wiring connecting the first electrode layer and the second electrode layer; a second electrode wiring connecting the second electrode layer and the third electrode layer; a first diode formed on a contact part between the second electrode and the first electrode wiring; and a second diode formed on a contact part between the second electrode and the second electrode wiring.
摘要翻译：要解决的问题：提供能够减小光电检测器尺寸的双波长对应的光电检测器。解决方案：光电检测器包括：形成为层压在基板上的第一电极层; 第一光吸收层; 第二电极层; 第二光吸收层; 第三电极层; 连接第一电极层和第二电极层的第一电极配线; 连接所述第二电极层和所述第三电极层的第二电极配线; 形成在第二电极和第一电极配线之间的接触部分上的第一二极管; 以及形成在第二电极和第二电极布线之间的接触部分上的第二二极管。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP4901834B2 High-performance photoelectric devices 有权
公开(公告)号：JP4901834B2
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：JP2008266036
申请日：2008-10-15
申请人：大同大學 , 大同股▲ふん▼有限公司
发明人：林烱▲い▼ , 陳易良
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0376 , H01L31/0328 , H01L31/0336 , H01L31/072 , H01L31/109 , Y02E10/50

49. 发明专利

JP2011085623A Optical transmission/reception device 审中-公开
标题翻译：光传输/接收设备
公开(公告)号：JP2011085623A
公开(公告)日：2011-04-28
申请号：JP2009236025
申请日：2009-10-13
申请人： Qd Laser Inc , 株式会社Qdレーザ
发明人： MAEDA YASUNARI , SUZUKI MAKOTO , KANBE SATOSHI
IPC分类号： G02B6/42
CPC分类号： G02B6/4204 , H01L31/109 , H01L2224/48091 , H01L2224/49113 , H01S5/02212 , H01S5/02284 , H01S5/02292 , H01S5/0683 , H01L2924/00014
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical transmission/reception device which is used for a single core bidirectional optical type communication, and which allows reduction in the size and cost to be achieved. SOLUTION: The optical transmission/reception device is provided with: a laser diode 14 for emitting transmission light incident on an optical fiber 20; a photodiode 16 for receiving reception light emitted from the optical fiber 20; and a thin film 18 which is disposed on a light-receiving surface 42 of the photodiode 16, reflects transmission light emitted by the laser diode 14 in such a way such that the transmission light is incident on the optical fiber 20, and transmits reception light emitted from the optical fiber 20. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于单芯双向光学型通信的光发送/接收装置，并且能够实现小尺寸和成本的降低。光传输/接收装置设置有用于发射入射在光纤20上的透射光的激光二极管14; 用于接收从光纤20发射的接收光的光电二极管16; 并且设置在光电二极管16的受光面42上的薄膜18以这样的方式反射由激光二极管14发射的透射光，使得透射光入射到光纤20上，并且发射接收光从光纤20发出。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

50. 发明专利

JP2011082357A Photoelectric conversion element, light-receiving device, light-receiving system and distance measuring device 有权
标题翻译：光电转换元件，光接收装置，收光系统和距离测量装置
公开(公告)号：JP2011082357A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2009233670
申请日：2009-10-07
申请人： Honda Motor Co Ltd , 本田技研工業株式会社
发明人： KAMIYAMA TOMOYUKI , KORESUMI KEISUKE
IPC分类号： H01L31/10 , G01C3/06 , G01S7/48 , G01S17/89
CPC分类号： G01S7/4816 , G01S7/4865 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L31/103 , H01L31/109
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a distance measuring device and a light-receiving system by moving at a high speed photoelectrons obtained by photoelectric conversion to a desired region and collecting them. SOLUTION: A first photoelectric conversion element 10A for detecting a light and converting it into the photoelectrons has: one first MOS diode 18a having a first electrode 16a formed on a semiconductor substrate 12 via an insulator; and a plurality of second MOS diodes 18b each having a second electrode 16b formed on the semiconductor substrate 12 via the insulator. When viewed from the top, the first electrode 16a of the first MOS diode 18a has a comb-shape branched and disposed from one electrode portion 20 to a plurality of branch portions 22. When viewed from the top, the second electrodes 16b of the second MOS diode 18b are each separated from the first electrode 16a and each disposed to be nested between the plurality of branch portions 22 of the first electrode 16a. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：通过将通过光电转换获得的高速光电子移动到期望的区域并收集它们来提供距离测量装置和光接收系统。解决方案：用于检测光并将其转换成光电子的第一光电转换元件10A具有：具有通过绝缘体形成在半导体衬底12上的第一电极16a的一个第一MOS二极管18a; 以及多个第二MOS二极管18b，每个具有经由绝缘体形成在半导体衬底12上的第二电极16b。当从顶部观察时，第一MOS二极管18a的第一电极16a具有从一个电极部分20分支并设置到多个分支部分22的梳状形状。当从顶部观察时，第二电极16b的第二电极16b MOS二极管18b各自与第一电极16a分离，并且各自设置为嵌套在第一电极16a的多个分支部分22之间。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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