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41. 发明专利

JP2011082560A Method of forming fine pattern 有权
标题翻译：形成精细图案的方法
公开(公告)号：JP2011082560A
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：JP2010289449
申请日：2010-12-27
申请人： Tokyo Electron Ltd , 東京エレクトロン株式会社
发明人： NAKAJIMA SHIGERU , HASEBE KAZUHIDE , CHOU PAO-HWA , IWASHITA MITSUAKI , SHINNO REIJI
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065 , H01L21/316
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming a fine pattern, which forms an oxide film on a resist pattern with a uniform film thickness without causing damage of a resist pattern.
SOLUTION: The method of forming a fine pattern includes steps of: forming a resist film on a thin film 102; processing the resist film into a resist pattern 103' having a predetermined pitch; controlling the temperature of the substrate not higher than 100°C as a film forming temperature; and alternatively supplying a source gas containing an organic silicon and an activated oxygen species while controlling the film forming temperature not higher than 100°C to form a silicon oxide film 104 on the resist pattern 103' and the thin film 102.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种形成精细图案的方法，其在抗蚀剂图案上在均匀的膜厚度上形成氧化膜，而不会损害抗蚀剂图案。＆lt; P＆gt;解决方案：形成精细图案的方法包括以下步骤：在薄膜102上形成抗蚀剂膜; 将抗蚀剂膜加工成具有预定间距的抗蚀剂图案103'; 控制不高于100℃的基板的温度作为成膜温度; 并且另外在控制成膜温度不高于100℃的同时供给含有有机硅和活性氧物质的源气体，以在抗蚀剂图案103'和薄膜102上形成氧化硅膜104。：（C）2011，JPO＆INPIT

42. 发明专利

JP4659856B2 Method of forming a fine pattern 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4659856B2
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：JP2008149272
申请日：2008-06-06
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：滋中島 , 保華周 , 光秋岩下 , 礼二新納 , 一秀長谷部
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0035 , H01L21/02164 , H01L21/0228 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , H01L21/32139

43. 发明专利

JP2009505421A Etching features with reduced line edge roughness 有权
公开(公告)号：JP2009505421A
公开(公告)日：2009-02-05
申请号：JP2008526963
申请日：2006-08-01
申请人：ラムリサーチコーポレーションLam Research Corporation
发明人：サジャディ・エス．・エム．・レザ , ハドソン・エリック・エー．
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/31144
摘要：【課題】ラインエッジ粗さを低減させて特徴をエッチングする【解決手段】ラインエッジ粗さを低減させて層内に特徴を形成するための方法が提供される。層の上に、フォトレジスト層が形成される。フォトレジスト層は、フォトレジスト側壁をともなうフォトレジスト特徴を形成するために、パターン形成される。複数のサイクルを実施することによって、フォトレジスト特徴の側壁の上に、厚さ１００ｎｍ未満の側壁層が形成される。各サイクルは、単分子層から２０ｎｍまでの厚さを有する層をフォトレジスト層上に堆積させることを含む。フォトレジスト特徴を通して、層内に特徴がエッチングされる。フォトレジスト層および側壁層は、剥ぎ取られる。
【選択図】図３

44. 发明专利

JPWO2007004431A1 高精細パターンの形成方法及び装置有权
公开(公告)号：JPWO2007004431A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：JP2007523416
申请日：2006-06-22
申请人：株式会社エルフォテック , 株式会社エルフォテック
发明人：神田　真治 , 真治神田
IPC分类号： H01L21/027 , B05B7/26 , B05B15/04 , B05D3/12 , C23F1/08 , G03F7/30 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/30 , C23F1/08 , G03F7/405 , H01L21/6708 , H05K3/068 , H05K2203/075
摘要：溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面で可溶解部を現像又はエッチング液で成る溶解液で溶解して現像又はエッチングを行い,これら食刻による高精細パターンを形成する。現像又はエッチングを含む高精細パターンの形成方法は,溶解液に溶解可能な基材又は基板から成る加工表面にパターンを形成する工程において,あらかじめ高圧にした溶解液及び高圧エアーをノズル内に導入し,前記ノズルより,前記高圧エアーと溶解液の混合流体を吹き付けて前記可溶解部を溶解する。

45. 发明专利

JP2008193076A Lithography method 有权
标题翻译： LITHOGRAPHY方法
公开(公告)号：JP2008193076A
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：JP2008015219
申请日：2008-01-25
申请人： Asml Netherlands Bv , エーエスエムエルネザーランズビー.ブイ.
发明人： VAN HAREN RICHARD JOHANNES FRANCISCUS , VREUGDENHIL EWOUD
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/11
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method which is capable of achieving a pattern with improved resolution without use of wavelength shorter than 193 nm.
SOLUTION: A method for providing a pattern on a substrate 2 forms a photoresist 6 layer on the substrate and forms a top-coating layer on the photoresist layer, which is exposed with lithography, and then a photoresist is developed to form a structure. The structure is covered with a coating layer, and chemical reaction which never takes place on a top-coating is triggered between the photoresist and the coating layer, which forms a region of a modified coating layer 18. Subsequently, the modified coating layer is eliminated, thereby leaving a patterned structure which is formed of a region of the modified coating layer.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够在不使用短于193nm的波长的情况下实现具有改进的分辨率的图案的方法。解决方案：用于在衬底2上提供图案的方法在衬底上形成光致抗蚀剂6层，并在光刻胶层上形成顶涂层，该光刻胶层通过光刻曝光，然后将光致抗蚀剂显影形成结构体。该结构被覆层覆盖，并且在光致抗蚀剂和涂层之间触发在顶涂层上不会发生的化学反应，其形成改性涂层18的区域。随后，消除改性涂层从而留下由改性涂层的区域形成的图案化结构。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

46. 发明专利

JPWO2005121019A1 ナノ構造体の製造方法およびナノ構造体审中-公开
公开(公告)号：JPWO2005121019A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：JP2006514613
申请日：2005-06-08
申请人：独立行政法人理化学研究所
发明人：茂紀藤川 , 茂紀藤川 , 豊喜国武 , 豊喜国武 , 羽田　英夫 , 英夫羽田 , 寿幸緒方 , 寿幸緒方
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , C01B33/12 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/405 , H01L21/0272 , Y10T428/24802
摘要：容易に微細化構造を作製することができるナノ構造体の製造方法および該製造方法により得られるナノ構造体を提供する。基板上に設けられた鋳型の表面に、液相吸着により薄膜を形成する工程と、前記薄膜の一部を除去する工程と、前記鋳型を除去する工程とを含むナノ構造体の製造方法を採用した。

47. 发明专利

JP2008066713A Manufacturing method for flash memory device 审中-公开
标题翻译：闪存存储器件的制造方法
公开(公告)号：JP2008066713A
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：JP2007186802
申请日：2007-07-18
申请人： Hynix Semiconductor Inc , 株式会社ハイニックスセミコンダクターHynix Semiconductor Inc.
发明人： SIM GUEE HWANG , JUNG WOO YUNG
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/405 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L27/11517
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a flash memory device that makes a contact plug rectangular for electrically connecting wiring and a semiconductor substrate, and improves an electric property of the contact plug.
SOLUTION: An interlayer insulating film 102, first and second hard mask films 104 and 106, and a first photo-resist pattern 108 are formed on a semiconductor substrate 100 sequentially. A peripheral region of a first photo-resist pattern is changed to a silicon-containing layer 110. An upper region of the silicon-containing layer is removed by etching, and an unchanged photo-resist is also removed at the same time to form a silicon-containing layer pattern that is small in terms of a size and a pitch. A second hard mask film pattern is formed by etching to which a second photo-resist pattern is formed whose region is partially made open. By etching, a rectangular first hard mask film pattern is formed which is used as a mask to etch the interlayer insulating film to form a rectangular contact hole.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决问题的方案为了提供使接线插头为矩形的电气连接布线和半导体基板的闪速存储装置的制造方法，并提高了接触插头的电性能。解决方案：顺序地在半导体衬底100上形成层间绝缘膜102，第一和第二硬掩模膜104和106以及第一光刻胶图案108。将第一光致抗蚀剂图案的外围区域改变为含硅层110.通过蚀刻除去含硅层的上部区域，并且同时除去不变的光致抗蚀剂以形成在尺寸和间距方面小的含硅层图案。通过蚀刻形成第二硬掩模膜图案，在其上形成其区域部分打开的第二光致抗蚀剂图案。通过蚀刻，形成矩形的第一硬掩模膜图案，其用作掩模以蚀刻层间绝缘膜以形成矩形接触孔。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

48. 发明专利

JP2007530988A The liquid crystal display device including a method of manufacturing a reflector, such reflectors 审中-公开
公开(公告)号：JP2007530988A
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：JP2006520095
申请日：2004-07-15
申请人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
发明人：クリスティアーヌ、エム．エール．ウィッツ , ティース、ファン、ボンメル , ディルク、イェー．ブロアー
IPC分类号： G02F1/1335 , G02B5/02 , G02B5/08 , G03F7/00 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40
CPC分类号： G02B5/0215 , G02B5/0221 , G02B5/0268 , G02B5/0284 , G02B5/0289 , G02F1/133555 , G03F7/0007 , G03F7/001 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/405
摘要：本発明は、反射形又は透過反射形液晶ディスプレイ（４００）に対する拡散反射器（４５０）を製造するための方法に係る。この反射器はフォトエンボス工程を用いて構造化された表面（４５２）を含む。ここでは、光拡散性モノマー（１０２）を含む混合物の層（１００）が設けられるが、光拡散性モノマーは、この層内を、選択的に加えられた照射の影響下で移動される。こうして、層レリーフが形成されるが、これは、好ましくは、更に、上昇された温度にて現像される。この層は、好ましくは、架橋結合ステップを用いて固定及び安定化されるが、このステップは、好ましくは、熱的に誘発された及び／又は光学的に誘起された重合化を含む。最終ステップにおいて、ポリマーにてレリーフ加工された表面に、反射材（１５４）が設けられる。

49. 发明专利

JP2007529899A How to handle the hard mask to improve etch characteristics and system. 审中-公开
公开(公告)号：JP2007529899A
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：JP2007503903
申请日：2005-02-10
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：ファン、ダング , モスデン、アエラン
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F7/00 , G03F7/075 , G03F7/09 , G03F7/11 , G03F7/36 , G03F7/40 , G03F7/42 , H01L21/033 , H01L21/308 , H01L21/311 , H01L21/3213
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/0752 , G03F7/11 , G03F7/40 , G03F7/405 , G03F7/427 , H01L21/0332 , H01L21/0337 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要：【課題】エッチング特性を改良するためにハードマスクを処理する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】パターンを膜スタックに転写する間、ハードマスク層、例えば調整可能なエッチング耐性反射防止コーティング（ＴＥＲＡ）は、下地層をエッチングするときに消費され、エッチング性能を低下させ、下地層のダメージの可能性、例えば形態制御性の喪失に繋がる。基板上の構造を準備する方法およびシステムは、薄膜を含む膜スタックを準備することと、薄膜上に形成されたハードマスクと、ハードマスク上に形成された感光材料の層とを有する膜スタックを準備することと；感光材料の層にパターンを形成することと；ハードマスクにパターンを転写することと；感光材料の層を取り除くことと；表面を改質するためにハードマスクの表面層を処理することと；薄膜にパターンを転写することとを含む事が記載される。
【選択図】

50. 发明专利

JP2007129217A Photolithographic method in production of semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件生产中的光刻方法
公开(公告)号：JP2007129217A
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：JP2006290632
申请日：2006-10-26
申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd , 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司
发明人： LIN CHIN-HSIANG
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/027 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0271 , G03F7/40 , G03F7/405 , H01L21/0332 , H01L21/31144 , H01L21/32139
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain benefits of a thin photosensitive layer while reducing the number of development/etching steps required in a general case where a photosensitive layer and a buffer/etch-stop layer are used.
SOLUTION: A photolithographic method in production of a semiconductor device comprises a step of forming a photosensitive layer on a substrate; a step of patterning the photosensitive layer by using a predetermined pattern; a step of developing the photosensitive layer to form a seed layer having a pattern corresponding to the predetermined pattern; and a step of forming a thick layer, which is composed of multiple long-chain molecules and is substantially perpendicular to the seed layer, only on the seed layer.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了获得薄感光层的优点，同时减少了使用感光层和缓冲/蚀刻停止层的一般情况下所需的显影/蚀刻步骤的数量。解决方案：制造半导体器件时的光刻方法包括在衬底上形成感光层的步骤; 通过使用预定图案来图案化感光层的步骤; 显影感光层以形成具有对应于预定图案的图案的种子层的步骤; 以及仅在种子层上形成由多个长链分子构成并且基本上垂直于种子层的厚层的步骤。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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