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41. 发明专利

JP2020125215A 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020125215A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2019016908
申请日：2019-02-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/38
摘要：【課題】結晶品質が良好な窒化物半導体基板を容易かつ安定的に得ることができる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する窒化物半導体基板であって、(0001)面以外の傾斜界面を成長面として成長した傾斜界面成長領域を有し、主面において傾斜界面成長領域が占める面積割合は、80%以上である。【選択図】図8

42. 发明专利

JP6704387B2 窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに半導体デバイス及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6704387B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2017506153
申请日：2016-02-18
申请人：住友化学株式会社
发明人：柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/38

43. 发明专利

JP2020033253A 窒化物半導体基板审中-公开
公开(公告)号：JP2020033253A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2019170992
申请日：2019-09-20
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の結晶品質を向上させる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなり、鏡面化された主面を有し、主面に対して最も近い低指数の結晶面が(0001)面である下地基板を準備する工程と、(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上に直接的にエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、単結晶の頂面に複数の凹部を生じさせ、(0001)面を消失させることで、第1層の表面に、複数の谷部および複数の頂部を形成する。【選択図】図1

44. 发明专利

JP6646769B1 窒化物半導体基板、積層構造体、および窒化物半導体基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6646769B1
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：JP2019016908
申请日：2019-02-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/38
摘要：【課題】結晶品質が良好な窒化物半導体基板を容易かつ安定的に得ることができる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなり、最も近い低指数の結晶面が(0001)面である主面を有する窒化物半導体基板であって、(0001)面以外の傾斜界面を成長面として成長した傾斜界面成長領域を有し、主面において傾斜界面成長領域が占める面積割合は、80%以上である。【選択図】図8

45. 发明专利

JP2020019699A GaN結晶审中-公开
公开(公告)号：JP2020019699A
公开(公告)日：2020-02-06
申请号：JP2019119992
申请日：2019-06-27
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：藤倉序章 , 今野泰一郎 , 鈴木貴征 , 北村寿朗 , 藤本哲爾 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/16 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】III族窒化物の結晶の品質を高め、この結晶を用いて製造される半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させる。【解決手段】In x Al y Ga 1−x−y Nの組成式(但し、0≦x≦1,0≦y≦1,0≦x+y≦1)で表される結晶であって、最大荷重が1mN以上50mN以下の範囲内におけるナノインデンテーション法により測定される硬さが22.0GPaを超える窒化物結晶を提供する。【選択図】図1

46. 发明专利

JP6595677B1 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体有权
公开(公告)号：JP6595677B1
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2018159988
申请日：2018-08-29
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の結晶品質を向上させる。【解決手段】III族窒化物半導体の単結晶からなり、鏡面化された主面を有し、主面に対して最も近い低指数の結晶面が(0001)面である下地基板を準備する工程と、(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上に直接的にエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、単結晶の頂面に複数の凹部を生じさせ、(0001)面を消失させることで、第1層の表面に、複数の谷部および複数の頂部を形成する。【選択図】図1

47. 发明专利

JP6595676B1 窒化物半導体基板の製造方法、窒化物半導体基板および積層構造体有权
公开(公告)号：JP6595676B1
公开(公告)日：2019-10-23
申请号：JP2018159987
申请日：2018-08-29
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/04 , C30B29/38
摘要：【課題】窒化物半導体基板の主面における転位密度を効率よく低減させる。【解決手段】下地基板を準備する工程と、下地基板の主面上に、所定の開口部を有するマスク層を形成する工程と、(0001)面以外の一対の傾斜界面で挟まれ(0001)面が露出した頂面を有するIII族窒化物半導体の単結晶を下地基板の主面上にマスク層の開口部を介してエピタキシャル成長させ、(0001)面以外の傾斜界面で構成される複数の凹部を頂面に生じさせ、下地基板の主面の上方に行くにしたがって該傾斜界面を徐々に拡大させ、(0001)面を頂面から消失させ、表面が傾斜界面のみで構成される第1層を成長させる第1工程と、第1層上にIII族窒化物半導体の単結晶をエピタキシャル成長させ、傾斜界面を消失させ、鏡面化された表面を有する第2層を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、マスク層の開口部の上方に、複数の谷部および複数の頂部を形成する。【選択図】図1

48. 发明专利

JP2019073425A GaN基板审中-公开
公开(公告)号：JP2019073425A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017202543
申请日：2017-10-19
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】例えば1200℃以上の温度条件下で行う結晶成長処理に用いられた場合であっても、サーマルエッチングされにくいGaN基板を提供する。【解決手段】GaN単結晶で構成された表面側基板と、GaN多結晶で構成された裏面側基板と、を備え、表面側基板が備える2つの主面のうち結晶成長面として用いられる面とは異なる側の面と、裏面側基板が備える2つの主面のうちいずれか一方の面と、が直接接合している。【選択図】図1

49. 发明专利

JP2018039693A 窒化物結晶基板の製造方法および結晶成長用基板审中-公开
公开(公告)号：JP2018039693A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016174342
申请日：2016-09-07
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】大径化させた結晶成長用基板を用い、良質な窒化物結晶基板を製造する。【解決手段】窒化物結晶からなる複数の種結晶基板を、隣接する前記種結晶基板の主面が互いに平行となり、それらの側面が互いに当接するように配置することで結晶成長用基板とする第1工程と、結晶成長用基板が有する下地面上に結晶膜を成長させる第2工程と、を有し、第1工程では、複数の種結晶基板の中から選択した少なくとも1組の隣接する2つの種結晶基板を、少なくともこれらの接合部を挟んだ両側の位置で、それぞれの主面の高さが互いに異なるよう配置する。【選択図】図2

50. 发明专利

JP2018027893A III族窒化物半導体単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018027893A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：JP2017215775
申请日：2017-11-08
申请人：住友化学株式会社
发明人：柴田真佐知 , 吉田丈洋 , 北村寿朗 , 阿部由起雄
IPC分类号： C30B33/00 , H01L21/304 , C30B29/38
摘要：【課題】クラックの発生を抑えつつスライスし、半導体基板を得ることのできるIII族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様において、円形の基板1の主面上に、円柱状のIII族窒化物半導体単結晶2をエピタキシャル成長させる工程と、III族窒化物半導体単結晶2の外周縁側の円筒状領域4を除去し、III族窒化物半導体単結晶2の円筒状領域4の内側の円柱状領域3を残す工程と、を含み、円筒状領域4の除去は、III族窒化物半導体単結晶2中の歪みのバランスが崩れないように、III族窒化物半導体単結晶2の形状が常にIII族窒化物半導体単結晶2の中心軸を対称軸とする軸対称性を保つように実施され、円筒状領域4は、円柱状領域3と不純物の濃度が異なる領域を含む、III族窒化物半導体単結晶の製造方法を提供する。【選択図】図3B

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