专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

41. 发明专利

JP6332054B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6332054B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2015010333
申请日：2015-01-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：中神義昭 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/40245 , H01L2924/00014 , H01L2224/37099

42. 发明专利

JP6958529B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6958529B2
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：JP2018187406
申请日：2018-10-02
申请人：株式会社デンソー
发明人：大島正範 , 奥村知巳 , 平野敬洋
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/48 , H01L23/34

43. 发明专利

JP6772768B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6772768B2
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：JP2016218775
申请日：2016-11-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：植田賢志 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L25/18 , H02M7/48 , H01L25/07

44. 发明专利

JP6696480B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6696480B2
公开(公告)日：2020-05-20
申请号：JP2017117217
申请日：2017-06-14
申请人：株式会社デンソー
发明人：林英二 , 上瀧領二 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29

45. 发明专利

JP2021061393A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021061393A
公开(公告)日：2021-04-15
申请号：JP2020158041
申请日：2020-09-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：福岡大輔 , 奥村知巳 , 大谷祐司 , 小林渉 , 野村匠 , 満永智明 , 平野敬洋 , 坂井孝充 , 岡賢吾
IPC分类号： H01L25/18 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L25/07
摘要：【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、表面にエミッタ電極が形成され、裏面にコレクタ電極が形成された半導体素子30を備えている。コレクタ電極と半導体素子30の裏面側に配置されたヒートシンク40とが、はんだ80を介して接続されている。はんだ接合部には、複数のワイヤ片90が設けられている。すべてのワイヤ片90が、ヒートシンク40の実装面40aに接合され、半導体素子30に向けて突起している。はんだ80は、平面視において、素子中心30cを含む半導体素子30の中央部分と重なる中央領域80aと、中央領域80aを取り囲む外周領域80bを有している。外周領域には、4つ以上のワイヤ片が少なくとも半導体素子30の四隅のそれぞれに対応して配置されている。ワイヤ片の少なくともひとつが、平面視において素子中心に向けて延びている。【選択図】図7

46. 发明专利

JP2018160653A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018160653A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017117217
申请日：2017-06-14
申请人：株式会社デンソー
发明人：林英二 , 上瀧領二 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29
摘要：【課題】導電部材から封止樹脂体が剥離するのを抑制できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体チップのコレクタ電極121と、金属材料を用いて形成された基材186を含む第1ヒートシンク18が、はんだ16を介して接続されている。第1ヒートシンクは、コレクタ電極との対向面180に、半導体チップの実装部182と、実装部を取り囲む周囲部183を有している。周囲部は、実装部を取り囲むように設けられ、封止樹脂体14が密着する密着部184と、実装部と密着部との間に設けられ、はんだが接続されず、密着部よりも封止樹脂体に対する密着性が低くされた非密着部185を有している。【選択図】図4

48. 发明专利

JP2016134591A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016134591A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015010333
申请日：2015-01-22
申请人：株式会社デンソー
发明人：中神義昭 , 奥村知巳
IPC分类号： H01L23/36 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/56 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/40245
摘要：【課題】ヒートシンク間の封止樹脂体にボイドが生じるのを抑制しつつ、放熱性の低下を抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】準備工程では、IGBTを有する第1半導体チップ16U,16L及びFWDを有する第2半導体チップ18U,18Lを、第1ヒートシンク20U,20Lと第2ヒートシンク22U,22Lにより挟んで接続構造体52を形成する。その際、対応する第1半導体チップと第2半導体チップのうち、第1半導体チップがゲートに近くなるように配置する。また、切り欠き部40を有する第1ヒートシンク20Uを用い、Z方向からの投影視において、ゲートから最も遠い第2半導体チップ18Uの周囲の一部であってゲートから最も遠い位置を含んで切り欠き部が位置し、該第2半導体チップの周囲の残りと残りの半導体チップの周囲を、第1ヒートシンクと第2ヒートシンクが覆うように、各ヒートシンクを配置する。【選択図】図9
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法，其能够抑制放射性能的劣化，同时抑制散热片之间的封装树脂体中的空隙的产生。解决方案：半导体器件制造方法包括制备工艺，其中连接结构52 通过将具有IGBT的第一半导体芯片16U，16L和具有第一散热器20U，20L和第二散热器22U，22L的FWD的第二半导体芯片18U，18L夹在中间而形成。此时，相应的第一半导体芯片和第二半导体芯片之外的第一半导体芯片布置得更靠近栅极。使用具有凹口40的第一散热器20U，并且在从Z方向的投影视图中，每个散热器以这样的方式布置，使得凹口位于作为第二半导体芯片的周边的一部分的位置 18U，距离闸门最远并且包括距栅极最远的位置，第一散热器和第二散热器覆盖第二半导体芯片的周边的剩余部分和其余半导体芯片的外围。图9

49. 发明专利

JP2016100479A 半導体装置及びパワーモジュール有权
标题翻译：半导体器件和功率模块
公开(公告)号：JP2016100479A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014236861
申请日：2014-11-21
申请人：株式会社デンソー
发明人：奥村知巳
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/29 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/0002 , H01L2924/181
摘要：【課題】外部接続用の端子に起因するインダクタンスの増加を抑制することのできる両面冷却構造の半導体装置及びパワーモジュールを提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体チップ20と、半導体チップを封止する封止樹脂体24と、半導体チップの第1主面22側に配置され、第1主電極と電気的に接続される第1ヒートシンク31と、半導体チップの第2主面23側に配置され、第2主電極と電気的に接続される第2ヒートシンク39を備えている。第1ヒートシンク及び第2ヒートシンクの表面のうち、半導体チップ側の面と反対の面が封止樹脂体から露出する露出面32,40とされている。バスバー61,62と電気的に接続されるヒートシンクの露出面が、Z方向からの投影視において半導体チップ20と重なる領域であり、冷却器63,64が熱的に接続される放熱領域33,41と、バスバーが電気的に接続される電気接続領域34,42を有している。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有双面冷却结构和功率模块的半导体器件，其可以抑制由外部连接的端子引起的电感的增加。解决方案：半导体器件10包括：半导体芯片20; 用于封装半导体芯片的封装树脂体24; 第一散热器31，其布置在半导体芯片的第一主表面22侧上并与第一主电极电连接; 以及第二散热器39，其布置在半导体芯片的第二主表面23侧并与第二主电极电连接。在第一散热器和第二散热器的表面之外，与半导体芯片侧的表面相对的表面是从密封树脂体露出的暴露表面32,40。与母线61,62电连接的散热器的暴露表面是从Z方向以投影视图与半导体芯片20重叠的区域，并且具有散热区域33,41，冷却器63,64被热连接，并且电气连接区域34,42，母线电连接到该连接区域34,42

50. 发明专利

JP2018041769A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018041769A
公开(公告)日：2018-03-15
申请号：JP2016172940
申请日：2016-09-05
申请人：株式会社デンソー
发明人：奥村知巳
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/29 , H01L23/48 , H02M7/48 , H01L25/07
CPC分类号： H01L2224/33
摘要：【課題】主端子のインダクタンスを低減でき、且つ、放熱などのために必要な所定面積を確保できる半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置20は、スイッチング素子が形成され、両面に主電極を有する半導体チップ、半導体チップ両面側に配置された複数の放熱板、各放熱板の少なくとも一部、及び、半導体チップを一体的に封止する封止樹脂体21、半導体チップと板厚方向が同じとなるように配置され、放熱板を介して主電極と電気的に接続された複数の主端子32を備える。主端子は、分岐状端子32aを含む。分岐状端子は、封止樹脂体の内外にわたって延設された基部33、及び、封止樹脂体の外部で基部の途中から分岐した突起部34を有する。主端子の封止樹脂体から露出する部分における封止樹脂体側の一端から一端とは反対の突起部の先端までの延設長さL2が、一端から一端とは反対の基部の先端までの延設長さL1よりも短くされている。【選択図】図2

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式