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41. 发明专利

JP5941161B2 基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5941161B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2014554092
申请日：2013-11-28
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：島根由光 , 内野聡 , 秋山進 , 松尾和昭 , 山口述夫
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3441 , C23C14/34 , H01J37/32477 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01J37/3405 , H01J37/347

42. 发明专利

JPWO2014010148A1 スパッタリング装置および磁石ユニット有权
标题翻译：溅射系统和磁铁单元
公开(公告)号：JPWO2014010148A1
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014524609
申请日：2013-03-14
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：鈴木　英和 , 英和鈴木
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： H01J37/345 , H01F7/021 , H01F7/0221 , H01J37/3405 , H01J37/3452 , H01J37/3461 , H01J2237/332
摘要：本発明は、磁石ユニットの幅を狭くした場合においても、ターゲットの表面上に十分な漏洩磁束密度が得られるスパッタリング装置および磁石ユニットを提供する。本発明の一実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットホルダと、長辺および短辺を有する矩形の磁石ユニットとを備える。磁石ユニットは、第1磁石と、第1磁石の周囲に配置され、第1磁石の磁化方向と異なる逆方向に磁化された第2磁石と、短辺方向における第1磁石と第2磁石との間の一部であって、かつ少なくとも第1磁石と第2磁石との間の真ん中の位置に短辺方向に磁化された第3磁石を有する。第3磁石は、第2磁石と対向する面が、第2磁石のターゲットホルダ側の面と同極の極性を有し、第1磁石と対向する面が、第1磁石のターゲットホルダ側の面と同極の極性を有する。
摘要翻译：本发明中，在缩小磁铁单元的宽度的情况下，也以提供获得的溅射装置和所述目标的表面上的磁铁单元足够的漏磁通的密度。根据本发明的一个实施方式的溅射装置包括目标保持器和具有长边和短边的矩形磁铁单元。磁铁单元包括第一磁铁，设置在所述第一磁体周围，一个第二磁体在所述第一磁铁的磁化方向，所述第一磁体和在短边方向上的第二磁铁不同的反方向被磁化之间的部分，和具有在所述至少第一磁体和所述第二磁体之间的中间位置中的短边方向上被磁化的第三磁体。第三磁体，第二磁体面对具有目标保持器侧表面的极性与所述第二磁铁的磁极，所述第一磁体和面向所述第一磁体的靶座侧的表面上的表面的表面与相同的极性的极性。

43. 发明专利

JP5933029B2 スパッタリング装置および基板処理装置有权
标题翻译：溅射装置以及基板处理装置
公开(公告)号：JP5933029B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2014549761
申请日：2013-08-23
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：石原繁紀 , 小長和也 , 戸谷寛行 , 須田真太郎 , 安松保志 , 藤本雄 , 中澤俊和 , 中村英司 , 今井慎
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3417 , C23C14/352 , H01J37/32715 , H01J37/3405 , H01J37/3435 , H01J37/3447

44. 发明专利

JP5932033B2 イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置有权
标题翻译：离子束加工方法，和离子束处理设备
公开(公告)号：JP5932033B2
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：JP2014522373
申请日：2013-03-14
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：小平吉三 , 竹内功 , 中村美保子
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/32357 , H01L21/68764 , H01L23/544 , H01J2237/3345 , H01J2237/3347 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L43/12

45. 发明专利

JPWO2014002336A1 イオンビーム処理方法およびイオンビーム処理装置有权
标题翻译：离子束加工方法，和离子束处理设备
公开(公告)号：JPWO2014002336A1
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014522373
申请日：2013-03-14
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：吉三小平 , 吉三小平 , 功竹内 , 功竹内 , 美保子中村 , 美保子中村
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/3056 , H01J37/32357 , H01J2237/3345 , H01J2237/3347 , H01L21/68764 , H01L23/544 , H01L43/12 , H01L2223/54426 , H01L2223/54493 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本発明は、微細なパターンに対しても再付着膜の堆積を抑制可能な処理方法及びイオンビーム処理装置を提供することを目的とする。本発明の一実施形態では、基板上に形成されたパターン溝が延在する方向側から入射するイオンビームによるエッチング量が、他の方向側から入射するイオンビームによるエッチング量よりも大きくなるようにイオンビーム処理を行う。それにより、微細パターン溝の底部に再付着膜が堆積するのを抑制し微細パターンを加工することが可能となる。
摘要翻译：本发明的目的在于，即使是精细图案提供可抑制处理方法和离子束处理设备，沉积再沉积膜。在本发明的一个实施例中，使得在离子束入射从延伸的方向上的所述衬底的蚀刻量的图案形成的凹槽比由离子束入射的蚀刻量从另一个方向更大的离子束处理。由此，变得能够处理该再沉积的膜沉积在精细图案槽的底部的抑制微细图案。

46. 发明专利

JP5922795B2 スパッタリング装置および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP5922795B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014549760
申请日：2013-08-23
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：石原繁紀 , 戸谷寛行 , 安松保志 , 中澤俊和 , 中村英司 , 須田真太郎 , 今井慎 , 藤本雄
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/352 , H01J37/3405

47. 发明专利

JP5922761B2 スパッタ装置有权
标题翻译：溅射装置
公开(公告)号：JP5922761B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014504472
申请日：2012-09-26
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：石原繁紀
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3447 , C23C14/3464 , H01J37/34

48. 发明专利

JP5922751B2 イオンビームエッチング装置有权
标题翻译：离子束蚀刻设备
公开(公告)号：JP5922751B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014251706
申请日：2014-12-12
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：小平吉三 , 豊里智彦
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01J37/3056 , C23F4/00 , H01F41/34 , H01J37/305 , H01L43/08 , H01L43/12

49. 发明专利

JP5922256B2 質量分析装置有权
公开(公告)号：JP5922256B2
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：JP2014554070
申请日：2013-08-20
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：中村恵 , 杉山正行 , 陳雷 , 瀧澤義幸
IPC分类号： H01J49/42 , H01J49/10
CPC分类号： H01J49/4215 , H01J49/025 , H01J49/147 , H01J49/24

50. 发明专利

JP2016089233A 成膜装置有权
标题翻译：电影制作装置
公开(公告)号：JP2016089233A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014226380
申请日：2014-11-06
申请人：キヤノンアネルバ株式会社
发明人：西村秀和 , 野沢直之
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/0605 , C23C14/35 , C23C14/564 , C23C14/568 , H01J37/32055 , H01J37/32669 , H01J37/34
摘要：【課題】基板に保護膜を成膜する成膜装置のフィルタ部のメンテナンス性を向上する。【解決手段】成膜装置は、アーク放電によってプラズマを発生させるソース部と、前記ソース部で発生した前記プラズマを照射するために被成膜材が配置される成膜部と、前記ソース部から前記成膜部に向けて前記プラズマを誘導する誘導部と、を有し、前記誘導部は、前記ソース部および前記成膜部のそれぞれに気密に接続され、内部を前記プラズマが通過する隔壁部と、前記隔壁部の内部に前記プラズマを誘導するための磁場を形成する複数の磁石部と、を備え、前記複数の磁石部は、連結角度が調整できるように接続され、前記隔壁部は、前記複数の磁石部の連結角度に応じて屈曲可能な管状部材を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高用于在基板上形成保护膜的成膜设备的过滤器部分的可维护性。解决方案：一种成膜设备，包括通过电弧放电产生等离子体的源部分，其中成膜部分布置成膜形成材料，用于照射源部分中产生的等离子体，以及诱导部分，其将等离子体从源部分引导到成膜部分。诱导部分包括分别与源部分和成膜部分气密地连接并允许等离子体通过的分隔壁部分，以及形成用于将等离子体引入分隔件的磁场的多个磁体部分壁部分。多个磁体部分被连接成可以调整它们的连接角度，并且隔壁部分具有可根据多个磁体部分的连接角度弯曲的管状部件。图1

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