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31. 发明专利

JP2015060921A 疑似太陽光照射装置及び該装置用蛍光体粉末有权
标题翻译：用于该设备的PSEUDO-SUNLIGHT IRRADIATION设备和磷肥
公开(公告)号：JP2015060921A
公开(公告)日：2015-03-30
申请号：JP2013193089
申请日：2013-09-18
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , National Institute Of Advanced Industrial & Technology
发明人： NAKAJIMA TOMOHIKO , SHINODA KENTARO , TSUCHIYA TETSUO
IPC分类号： H01L33/50 , C09K11/08 , F21V9/16 , H01L31/04
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】紫外光源を励起光源とし複数種類の蛍光体粉末を励起して得られる発光スペクトルが350nmから900nmの範囲で太陽光スペクトルに近似し、小型かつ長寿命、省消費電力が可能な疑似太陽光装置を提供する。【解決手段】300〜400nmの範囲に最大強度を持つ紫外励起光の光源と、該紫外励起光の光路上に配置された蛍光体粉末とを具備し、該蛍光体粉末から発生する蛍光と透過励起光を350から750nm迄の50nm毎の範囲でスペクトル積分したときに得られる値がJIS C 8931に規定されたAM1.5全天日射基準太陽光スペクトルで得られる値と?40%の範囲内で近似することを特徴とする疑似太陽光照射装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够节省功耗的紧凑且长寿命的伪日照照射装置，其中通过用UV光源作为激发光源激发多种类型的荧光体粉末而获得的发射光谱近似对于350-900nm范围内的阳光光谱。解决方案：假阳光照射装置包括具有在300-400nm范围内的最大强度的UV激发光的光源，并且荧光粉置于光学 UV激发光的路径。通过对从荧光体粉末产生的荧光和透射的激发光在350〜750nm的每50nm的范围内进行光谱积分而获得的值接近于AM1.5全局太阳辐射标准阳光光谱在JIS C 8931中定义，在±40％的范围内。

32. 发明专利

JP2009246242A Producing method of perovskite structure oxide 审中-公开
标题翻译：生产氧化钇结构氧化物的方法
公开(公告)号：JP2009246242A
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：JP2008092949
申请日：2008-03-31
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , Tdk Corp , Tdk株式会社 , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： TSUCHIYA TETSUO , MIYAMOTO YUKI
IPC分类号： H01G4/33 , C04B35/46
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To form a highly reliable perovskite structure oxide layer having higher orientation at the plane (111) without providing an intermediate layer between a metal layer and an oxide layer. SOLUTION: The producing method of an oxide layer includes the steps of forming, on a metal layer 14, a precursor layer 20A of the ABO 3 type perovskite structure oxide containing Ba in the A site and Ti in the B site, forming an oxide layer 20B by heating the precursor layer 20A of the oxide, radiating the laser beam to the oxide layer 20B under the conditions that the oxide is never crystallized, and crystallizing the layer irradiated with the laser beam through a heating process. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在不在金属层和氧化物层之间提供中间层的情况下，在平面（111）形成具有较高取向度的高度可靠的钙钛矿结构氧化物层。解决方案：氧化物层的制造方法包括在金属层14上形成在A位置含有Ba的ABO 3 SBO型钙钛矿结构氧化物的前体层20A的工序， Ti中，通过加热氧化物的前体层20A形成氧化物层20B，在氧化物从不结晶的条件下将激光束照射到氧化物层20B，并且通过激光束照射的层结晶化加热过程。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

33. 发明专利

JP2008075073A Manufacturing method of phosphor thin film 有权
标题翻译：磷光薄膜的制造方法
公开(公告)号：JP2008075073A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：JP2007212153
申请日：2007-08-16
申请人： National Institute Of Advanced Industrial & Technology , 独立行政法人産業技術総合研究所
发明人： TSUCHIYA TETSUO , NAKAJIMA TOMOHIKO , KUMAGAI TOSHIYA
IPC分类号： C09K11/67 , C01G23/00 , C09K11/08 , H01S3/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a high-performance phosphor thin film material that enables the formation of a crystallized pervoskite-related Ti, Zr oxide thin film on a glass or silicon substrate.
SOLUTION: In the manufacturing method of a phosphor thin film, an organic metal thin film or a metal oxide film, which is formed on a substrate by adding at least one selected from Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Lu and optionally further adding at least one selected from Al, Ga and In to an oxide represented by the composition formula: ABO
3 , A
2 BO
4 or A
3 B
2 O
7 (provided that there may be deficiencies at A, B and O sites; A is at least one element selected from Ca, Sr and Ba; and B is at least one element selected from Ti and Zr), is irradiated with an ultraviolet lamp at room temperature and subsequently irradiated with an ultraviolet laser at a temperature of 400°C or lower. The film is subjected to an oxidation treatment after being crystallized.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：解决的问题：提供能够在玻璃或硅衬底上形成结晶的与硅酸盐相关的Ti，Zr氧化物薄膜的高性能荧光体薄膜材料的制造方法。解决方案：在通过添加选自Ce，Pr，Nd，Sm，Eu，Gd中的至少一种形成在基板上的荧光体薄膜，有机金属薄膜或金属氧化物膜的制造方法中，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb和Lu，并任选地将选自Al，Ga和In中的至少一种添加到由组成式ABO 3 表示的氧化物中，A SB > 2 SB 4 或A 3 2 7 （条件是可能存在缺陷在A，B和O位置; A是选自Ca，Sr和Ba中的至少一种元素; B是选自Ti和Zr中的至少一种元素），在室温下用紫外线灯照射，随后用在400℃以下的紫外线激光。在结晶后对该膜进行氧化处理。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

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