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31. 发明专利

JP2017152439A 半導体装置、および、半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017152439A
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：JP2016031283
申请日：2016-02-22
申请人：株式会社リコー
发明人：桜野勝之 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 米田和洋
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L27/146 , H01L21/76 , H01L27/08
摘要：【課題】半導体装置の小型化を図る。【解決手段】半導体装置10は、第1面Pに沿って配列された複数の半導体素子15と、半導体素子15の各々を囲む溝部18と、を備える。半導体素子15(スイッチ素子16)は、溝部18によって囲まれた領域16A内に、半導体層42と、ソースドレイン領域32と、不純物拡散領域30と、を備える。ソースドレイン領域32は、半導体層42上に配置され、半導体層42とは異なる導電型の半導体領域である。不純物拡散領域30は、半導体層42上におけるソースドレイン領域32と溝部18との間に配置され、半導体層42と同じ導電型の半導体領域である。【選択図】図3

32. 发明专利

JP6137522B2 光電変換装置のリセット方法と、光電変換装置、光電変換アレイ、および撮像装置有权
公开(公告)号：JP6137522B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2012241272
申请日：2012-10-31
申请人：国立研究開発法人産業技術総合研究所 , 株式会社リコー
发明人：林豊 , 太田敏隆 , 永宗靖 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 君野和也
IPC分类号： H04N5/369 , H04N5/357 , H04N5/374
CPC分类号： H03L3/00 , H01L27/14612 , H01L27/14681 , H01L31/062 , H01L27/1461

33. 发明专利

JP2017017479A 光電変換装置及び画像生成装置审中-公开
标题翻译：光电转换装置和图像生成装置
公开(公告)号：JP2017017479A
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：JP2015131277
申请日：2015-06-30
申请人：株式会社リコー
发明人：愛須克彦 , 中谷寧一 , 米田和洋 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 桜野勝之
IPC分类号： H01L31/10 , H04N5/374 , H04N5/341
CPC分类号： H04N5/378 , H01L27/14601 , H04N5/2253 , H04N5/363 , H04N5/374 , H01L31/1105
摘要：【課題】フォトトランジスタに蓄積された電荷をリセットするために必要な時間の短縮が可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置1は、コレクタ領域Cとエミッタ領域Eとベース領域Bとを有し、入射光の強度に対応する出力電流を発生するフォトトランジスタ11を含む光電変換手段10を備える。また、積分器20を有し、前記光電変換手段からの出力電流を予め設定された電流値になるように、前記フォトトランジスタのベース電位を設定するベース電位設定手段を備える。【選択図】図1
摘要翻译：提供一种能够减少复位电荷在光电晶体管积累所需要的时间的一个光电转换装置。一种光电转换装置1包括：包括光电晶体管11，其产生输出电流和基本区域B集电极C与发射极区域E，对应于入射的光的强度的光电转换单元10。此外，它有一个积分器20，从而使从光电转换输出电流的预设电流值是指，包含基础电位设定装置，用于设定光电晶体管的基极电位。 1点域

34. 发明专利

JP2016152377A 半導体デバイス及びその製造方法並びに撮像装置审中-公开
标题翻译：半导体器件，其制造方法及成像装置
公开(公告)号：JP2016152377A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：JP2015030362
申请日：2015-02-19
申请人：株式会社リコー
发明人：上田佳徳 , 米田和洋 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 根来宝昭 , 桜野勝之 , 渡辺博文
IPC分类号： H01L27/146 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L27/1463 , H01L27/14681
摘要：【課題】リーク電流を抑制しつつ電流増幅率を大きくする。【解決手段】半導体デバイス1は、半導体層3aの表面から内部にかけて絶縁膜7により絶縁されて埋め込まれたゲート電極5を備え、絶縁膜7を介してゲート電極5に沿って半導体層3aの表面側から順に第1導電型の第1半導体領域9、第2導電型の第2半導体領域11、第1導電型の第3半導体領域13が配置された構造を有している。ゲート電極5は、ゲート電極5への電圧印加によって第1半導体領域9と第2半導体領域11の境界もしくは第2半導体領域11と第3半導体領域13の境界又はそれらの両方の境界に反転層が形成されない位置に配置されている。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了增加电流放大系数同时抑制漏电流。解决方案：半导体器件1包括从绝缘膜7绝缘的半导体层3a的表面嵌入的栅电极5，以及被配置为使得第一导电类型的第一半导体区域9，第二导电类型的第二半导体区域11和第一导电类型的第三半导体区域13沿着栅极从半导体层3a的表面侧穿过绝缘层7连续布置栅电极5设置在第二半导体区域11和第三半导体区域13之间的边界处的第一半导体区域9和第二半导体区域11之间的边界处不形成反转层的位置或在两个边界处，通过向栅电极施加电压。选择的图示：图1

35. 发明专利

JP2016119619A 信号処理装置及び方法、並びに撮像装置审中-公开
标题翻译：装置和处理信号的方法和成像装置
公开(公告)号：JP2016119619A
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：JP2014259292
申请日：2014-12-22
申请人：株式会社リコー
发明人：中谷寧一 , 愛須克彦 , 根来宝昭 , 上田佳徳 , 米田和洋 , 桜野勝之 , 渡辺博文
IPC分类号： H04N5/378
摘要：【課題】電圧変換のための容量を大きくすることなく、A/D変換器のビット数を増やすことなく、広いダイナミックレンジを有する信号処理装置を提供する。【解決手段】撮像部からの画素信号を電圧に変換する電流電圧変換手段と、前記電流電圧変換手段からの出力電圧が第1の基準電圧に達したことを検出する電圧検出手段と、前記電圧検出手段の検出回数を計数する計数手段と、前記電圧検出手段の検出結果に基づき前記電流電圧変換手段に対して定電流を入力するように制御する制御手段とを備えた。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供具有宽动态范围的信号处理装置，而不增加电压转换的容量，而不增加A / D转换器的位数。解决方案：信号处理装置包括：电流和电压转换意味着将来自成像部分的像素信号转换为电压; 电压检测装置，其检测从电流和电压转换装置输出的电压已经达到第一参考电压; 计数意味着对电压检测装置的检测次数进行计数; 以及控制装置，其基于由电压检测装置执行的检测结果，控制向电流和电压转换装置输入恒定电流。图4

36. 发明专利

JP2016025261A 撮像装置、撮像装置の制御方法、画素構造审中-公开
标题翻译：成像装置，成像装置的控制方法，像素结构
公开(公告)号：JP2016025261A
公开(公告)日：2016-02-08
申请号：JP2014149445
申请日：2014-07-23
申请人：株式会社リコー
发明人：米田和洋 , 渡辺博文 , 根来宝昭 , 愛須克彦 , 中谷寧一 , 桜野勝之
IPC分类号： H01L31/10 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14638 , H01L27/14603 , H01L27/1461 , H01L27/14612 , H01L27/1463 , H01L27/14643 , H04N5/3597
摘要：【課題】高感度撮影を行う場合に、リセット時間を短縮する。【解決手段】本実施の形態の撮像装置は、画素の受光部に、フォトトランジスタを備える撮像装置であって、画素間を分離する埋め込み電極と、埋め込み電極と隣接して配置される第1のエミッタと、第1のエミッタと埋め込み電極との距離よりも、埋め込み電極から離れて配置される第2のエミッタと、を有することにより上記課題を解決する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：在执行高灵敏度拍摄时缩短复位时间。解决方案：包括像素的光接收部分中的光电二极管的成像装置具有用于在像素之间分离的嵌入电极，与嵌入式电极，以及与第一发射极和嵌入电极之间的距离远离嵌入式电极排列的第二发射极。图1

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