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31. 发明专利

JP6157942B2 気相成長装置および気相成長方法有权
公开(公告)号：JP6157942B2
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：JP2013124848
申请日：2013-06-13
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山田拓未 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45504 , C23C16/303 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B25/165 , C23C16/4401

32. 发明专利

JP2016201481A 気相成長方法有权
标题翻译：气相生长方法
公开(公告)号：JP2016201481A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2015081147
申请日：2015-04-10
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：高橋英志 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/44 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要：【目的】Gaを含有するガスを供給したと同一の反応室内で、Si上に良質な膜を形成する気相成長方法を提供する。【構成】実施形態の気相成長方法は、反応室に第1の基板を搬入し、反応室にガリウム(Ga)を含有する第1のガスを供給して、第1の基板に第1の膜を形成し、第1の基板を反応室から搬出し、反応室に第2の基板を搬入し、反応室に塩素原子を含有する第2のガスを供給し、反応室に水素ガス又は不活性ガスの第3のガスを供給し、第2の基板に窒化アルミニウム膜又は窒化シリコン膜の第2の膜を形成し、第2の基板を反応室から搬出する。【選択図】図2
摘要翻译：同样在反应室和供给含镓目的的气体，它提供了用于形成在Si的高品质的膜的气相生长方法。 [配置]蒸镀法实施例中，第一基板搬入到反应室，第一含镓（Ga）导入反应室的气体被供给到所述第一到所述第一基板膜被形成，所述第一衬底从所述反应室卸载，第二衬底被装载到反应室，所述反应室提供包含氯原子，氢气导入反应室中或不是一个第二气体供给活性气体的第三气体，第二氮化铝基材膜或氮化硅膜的第二膜被形成，卸载从所述反应室的第二衬底。 .The

33. 发明专利

JP5988486B2 成膜装置および成膜方法有权
公开(公告)号：JP5988486B2
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：JP2012211863
申请日：2012-09-26
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：鈴木邦彦 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/44 , H01L21/677 , H01L21/205

34. 发明专利

JP2016143442A ヒータの製造方法およびヒータ审中-公开
标题翻译：制造加热器和加热器的方法
公开(公告)号：JP2016143442A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015015701
申请日：2015-01-29
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：古谷弘 , 佐藤裕輔
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/46 , H05B3/03 , H05B3/20 , H05B3/74
摘要：【課題】ヒータエレメントとヒータ電極部を高精度で接合する。【解決手段】通電により発熱するヒータエレメントの基材の表面に原料ガスを含むプロセスガスを供給しながらヒータエレメントを所定の成膜温度まで加熱し、ヒータエレメントの基材の表面に薄膜を形成する工程と、ヒータエレメントの基材の一部を露出させる工程と、成膜温度よりも低い焼結温度で接合する接着剤を、露出した基材の一部に塗布し、ヒータエレメントにヒータ電極部を接着する工程と、焼結温度まで加熱して、ヒータエレメントとヒータ電極部を接合する工程と、を有することを特徴とするヒータの製造方法。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：将加热器电极部分高精度地加热到加热元件。解决方案：一种用于制造加热器的方法，包括：通过通电在待加热的加热器元件的基材的表面上形成薄膜的步骤通过将加热器元件加热到预定的成膜温度，同时将含有原料气体的处理气体供给到加热器元件的基材的表面; 用于暴露加热器元件的基材的一部分的步骤; 通过在低于成膜温度的烧结温度下将加热器电极部分接合到暴露的基材的一部分上来将加热器电极部分粘附到加热元件的步骤; 以及将加热器元件和加热器电极部分加热到烧结温度并将加热器电极部分接合到加热器元件的步骤。选择的图示：图5

35. 发明专利

JP2016115859A 気相成長装置及び気相成長方法审中-公开
标题翻译：蒸气相生长装置和蒸汽相生长方法
公开(公告)号：JP2016115859A
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：JP2014254658
申请日：2014-12-17
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：高橋英志 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/455 , C30B29/38 , C30B25/14 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： C23C16/455 , C30B25/14 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L21/31
摘要：【目的】反応室側壁への膜堆積を抑制し、低欠陥の膜を基板に成膜する気相成長装置及び気相成長方法を提供する。【構成】反応室と、反応室内に設けられ、基板を載置可能な支持部と、アンモニアを含む第1のガスを供給する第1のガス供給路と、有機金属ガスを含む第2のガスを供給する第2のガス供給路と、窒素、水素及び不活性ガスから選ばれる少なくとも1種と、アンモニアと、を含むパージガスを供給するパージガス供給路と、第1のガス供給路及び第2のガス供給路と接続され反応室内に第1のガス及び第2のガスを供給するプロセスガス噴出孔を有する第1の領域と、第1の領域の外周に設けられパージガス供給路に接続され反応室内にパージガスを供給するパージガス噴出孔を有する第2の領域と、を有するシャワープレートと、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：目的：提供气相生长装置和气相生长方法，抑制反应室中侧壁上的膜沉积并在基板上形成较少缺陷的膜。气相生长装置包括：反应室 ; 设置在反应室中并能够放置其基板的支撑部; 用于供应含有氨的第一气体的第一气体供给通道; 用于供应含有机金属气体的第二气体的第二气体供给通道; 用于供给包含氨和从氮气，氢气和惰性气体中选择的至少一种的净化气体的吹扫气体通道; 以及淋浴板，其具有连接到第一气体供给通道和第二气体供给通道的第一区域，并且具有用于将第一气体和第二气体供应到反应室中的处理气体排出喷嘴，以及设置在外部的第二区域连接到吹扫气体供应通道并且具有用于将净化气体供应到反应室中的净化气体排气喷嘴。选择的图：图1

36. 发明专利

JP2016092311A 気相成長装置および気相成長方法审中-公开
标题翻译：蒸气生长装置和蒸汽生长方法
公开(公告)号：JP2016092311A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227546
申请日：2014-11-07
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：高橋英志 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/205
摘要：【課題】1個の反応室で異常が生じた場合でも他の反応室で正常に処理を継続可能な気相成長装置を提供する。【解決手段】複数の反応室10a〜dと、反応室にプロセスガスを供給する主ガス供給路11、21、31と、主ガス供給路に設けられ、プロセスガスの流量を制御する主マスフローコントローラ12、22、32と、主ガス供給路を分岐する分岐部17、27、37と、分岐部で分流されたプロセスガスを供給する副ガス供給路13a〜d,23a〜d,33a〜dと、副ガス供給路の分岐部と反応室との間に設けられ、分岐部までの距離が、反応室までの距離よりも小さくなるよう配置され、プロセスガスの流れを遮断可能な第1のストップバルブと14a〜d、24a〜d、34a〜d、副ガス供給路の第1のストップバルブと反応室との間に設けられ、プロセスガスの流量を制御する副マスフローコントローラ16a〜d、26a〜d、36a〜dと、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：即使在一个反应室中发生异常的情况下，也能够提供能够在另一个反应室中正常连续处理的气相生长装置。解决方案：该装置包括：多个反应室10a-d; 用于向反应室供给处理气体的主气体供给通道11,21,31; 主要质量流量控制器12,22,32设置在主气体供应通道中并控制处理气体的流量; 分支部分17,27,37，用于分支主气体供应通道; 二次气体供给通路13a-d，23a-d，33a-d，用于供给由分支部分分割的处理气体; 设置在分支部和反应室之间的二次气体供给通道中的第一截止阀14a-d，24a-d，34a-d被布置成使得到分支部的距离小于到反应的距离可以阻止工艺气体的流动; 以及二次质量流量控制器16a-d，26a-d，36a-d，其设置在第一截止阀和反应室之间的二次气体供给通道中，并控制处理气体的流量。图1

37. 发明专利

JP2016089240A 気相成長装置、貯留容器および気相成長方法审中-公开
标题翻译：蒸汽相生长装置，储存容器和蒸汽相生长方法
公开(公告)号：JP2016089240A
公开(公告)日：2016-05-23
申请号：JP2014227547
申请日：2014-11-07
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：高橋英志 , 佐藤裕輔
IPC分类号： H01L21/205 , C30B25/14 , C23C16/448
CPC分类号： H01L21/0262 , C30B25/10 , C30B25/14 , C30B29/406 , H01L21/0254 , H01L21/02579
摘要：【目的】簡便な構成で安定した有機金属含有ガスの供給を実現する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、有機金属を貯留する貯留容器と、内部に室温より高温の液体を貯留し、貯留容器を液体の中に浸漬して保持する恒温槽と、貯留容器に接続され、貯留容器にキャリアガスを供給するキャリアガス供給路と、貯留容器および反応室に接続され、キャリアガスによるバブリングまたは昇華により生成される有機金属を含む有機金属含有ガスを、反応室に輸送する有機金属含有ガス輸送路と、恒温槽内の液体の液面より下方で、有機金属含有ガス輸送路に接続され、有機金属含有ガスを希釈する希釈ガスを輸送する希釈ガス輸送路と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：目的：提供一种结构简单，能够稳定供应含有机金属气体的气相生长装置。气相生长装置包括：反应室; 用于储存有机金属的储存容器; 储存温度高于室内温度的液体并将储存容器浸入液体中以保持其的恒温槽; 与所述存储容器连接并将载气供应到所述存储容器的载气供给通道; 含有有机金属的气体输送通道，与储存容器和反应室相连，并承载包含有机金属的含有气体的气体，该有机金属是由载气引起的或由升华引起的升华形成的反应室; 以及稀释气体输送通道，其与来自恒温槽液体的液面的下面的含有机金属的气体输送通道相连，并携带用于稀释含有机金属的气体的稀释气体。图1

38. 发明专利

JP2016086100A 気相成長装置および気相成長方法审中-公开
标题翻译：蒸气生长装置和蒸汽生长方法
公开(公告)号：JP2016086100A
公开(公告)日：2016-05-19
申请号：JP2014218657
申请日：2014-10-27
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：伊藤英樹 , 佐藤裕輔
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/54 , H01L21/677 , H01L21/205
CPC分类号： C23C14/566 , C23C16/54 , H01L21/67201 , H01L21/67742
摘要：【目的】生産性が向上する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、大気圧未満の圧力下でそれぞれ基板を処理するn(nは1以上の整数)個の反応室と、基板を保持するカセットを設置可能なカセット保持部を有し、大気圧未満の圧力に減圧可能なカセット室と、反応室とカセット室との間に設けられ、大気圧未満の圧力下で基板が搬送される搬送室と、反応室で処理された基板をn枚以上同時に保持可能で、耐熱温度が500℃以上で、大気圧未満の圧力に減圧可能な領域に設けられる基板待機部と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：目的：提供一种提高生产率的气相生长装置。一种气相生长装置，包括在低于大气压的压力下分别处理基板的n（n为1以上的整数）反应室，具有可以安装用于保持基板的盒，并且其压力可以降低到低于大气压的水平的盒保持部，设置在反应室和盒室之间的传送室，并且传送基板在小于大气压的压力下，以及能够同时保持在反应室中处理的n个以上的基板并设置在耐热温度为500℃以上的区域的基板备用部，并且可以减小压力比大气压。选择图：图1

39. 发明专利

JP2019204975A 気相成長装置及び気相成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019204975A
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：JP2019153867
申请日：2019-08-26
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：佐藤裕輔 , 高橋英志 , 伊藤英樹 , 早野貴憲
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/205
摘要：【目的】複数の反応室を有し、各反応室で同時に成長する膜の特性を調整することが可能な気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、複数の基板を同時に成膜処理する複数の反応室と、所定流量のIII族元素を含む第1のプロセスガスを複数に分配して各反応室に供給する第1の主ガス供給路と、所定流量のV族元素を含む第2のプロセスガスを複数に分配して各反応室に供給する第2の主ガス供給路と、複数の反応室に希釈ガスをそれぞれ独立に流量を調整して供給する複数の調整用ガス供給路と、反応室毎に予め得られた膜特性との相関に基づき演算され反応室毎に設定された所定のプロセスパラメータの設定値に基づき、所定のプロセスパラメータを反応室毎に独立に制御する制御部と、各反応室に設けられ、基板を回転させる回転駆動機構と、各反応室に設けられ、基板を加熱する加熱部とを備える。【選択図】図1

40. 发明专利

JP6606403B2 シャワープレート、気相成長装置および気相成長方法有权
公开(公告)号：JP6606403B2
公开(公告)日：2019-11-13
申请号：JP2015217593
申请日：2015-11-05
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：山田拓未 , 佐藤裕輔 , 高橋英志
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/455 , H01L21/205

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