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31. 发明专利

JP2016000672A BNA結晶、及びその製造方法审中-公开
标题翻译： BNA晶体及其制造方法
公开(公告)号：JP2016000672A
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：JP2014121449
申请日：2014-06-12
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：鎌田圭 , 吉川彰 , 横田有為 , 黒澤俊介
IPC分类号： C07C209/82 , C07C211/52 , C30B29/54
摘要：【課題】結晶面方位が制御された高品質のBNA単結晶とその製造方法を提供する。【解決手段】融液成長法により作製されたBNA結晶において、X線回折法によるロッキングカーブ測定値のX線回折ピークの半値幅が、90秒以下であること、また好ましくは半値幅が、30秒以下であることを特徴とするBNA結晶であり、融液を保持するルツボ材と当該融液から固化するBNA結晶が接触せずに製造したことを特徴とするBNA結晶であり、種結晶と融液とを接触させ固液界面を形成し、当該種結晶と同一の結晶方位に結晶を成長し製造されることを特徴とするBNA結晶の製造方法。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高品质受控晶体取向的BNA单晶，以及BNA单晶的制造方法。解决方案：通过熔融液体生长法制备的BNA晶体的特征在于半值通过X射线衍射法的摇摆曲线测定值的X射线衍射峰的宽度为90秒以下，半值宽度优选为30秒以下，其特征在于，用于保持熔融液体和从所述熔融液体固化的BNA晶体不接触。接种晶种和熔融液体以形成固 - 液界面，并且晶体生长成与所述晶种相同的晶体取向。

32. 发明专利

JP2021190933A 振動子およびセンサ素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021190933A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020096710
申请日：2020-06-03
申请人：株式会社XMAT , 国立大学法人東北大学
发明人：大橋雄二 , 吉川彰 , 面政也
IPC分类号： H03H9/19
摘要：【課題】コストの上昇を招くことなく、より広範な温度範囲にわたって周波数温度特性を向上させる。【解決手段】共振周波数が正の温度係数を有する水晶から構成された板状の第1層101と、第1層101の上に形成され、共振周波数が負の温度係数を有する水晶から構成された板状の第2層102とを備える。第1層101の下に接して形成された第1電極103と、第2層102の上に接して形成された第2電極104とを備える。この振動子は、センサ素子として用いることができ、第1電極103および第2電極104の少なくとも一方に加わる外力を、共振周波数の変化として測定することができる。【選択図】図1

33. 发明专利

JP6952314B1 シンチレータおよび放射線検出器有权
公开(公告)号：JP6952314B1
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2021053963
申请日：2021-03-26
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：羽豆耕治 , 山原圭二 , 黒澤俊介 , 吉川彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/08 , G01T1/20 , C09K11/78 , G21K4/00
摘要：【課題】良好な透光性を示し、より光出力が高く、減衰時間が短いシンチレータを提供する。【解決手段】シンチレータであって、下記一般式(1)で表される組成を有し、置換元素AとしてNa、Cd、Pb、Tl、Sm、及びLaから成る群より選ばれる1種以上の元素を含み、シンチレータ1モル中に含まれる前記置換元素Aの含有量は、0.00001モル以上、0.05モル以下であり、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、厚み1.9mmにおける波長800nmの光の直線透過率が30%以上である、シンチレータ。 QM x O 3y ・・・(1)(式(1)中、QはCa、Sr及びBaから成る群より選ばれる1種以上の元素であり;MはHfであり;Q及びMは、それぞれ、20モル%以下の割合で他の元素で置換されてもよく;x及びyは、0.5≦x≦1.5、0.7≦y≦1.5を満たす。) 【選択図】図1

34. 发明专利

JP2021013133A 振動子およびセンサ素子审中-公开
公开(公告)号：JP2021013133A
公开(公告)日：2021-02-04
申请号：JP2019127477
申请日：2019-07-09
申请人：国立大学法人東北大学 , 株式会社XMAT
发明人：大橋雄二 , 吉川彰 , 面政也
IPC分类号： G01N5/02 , H03H9/17
摘要：【課題】圧電振動エネルギーの減衰を招くことなく、より広範な温度範囲にわたって周波数温度特性を向上させる。【解決手段】共振周波数が正の温度係数を有する圧電材料から構成された板状の第1層101と、第1層101の上に形成され、共振周波数が負の温度係数を有する圧電材料から構成された板状の第2層102とを備える。第1層101の下に接して形成された第1電極103と、第2層102の上に接して形成された第2電極104とを備える。この振動子は、センサ素子として用いることができ、第1電極103および第2電極104の少なくとも一方に加わる外力を、共振周波数の変化として測定することができる。【選択図】図1

35. 发明专利

JP2019208260A 圧電薄膜素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019208260A
公开(公告)日：2019-12-05
申请号：JP2019137716
申请日：2019-07-26
申请人：株式会社Piezo Studio , 国立大学法人東北大学
发明人：井上憲司 , 吉川彰 , 大橋雄二 , 横田有為 , 鎌田圭 , 黒澤俊介
IPC分类号： H01L41/22 , H01L41/113 , H01L41/047 , H03H9/17 , H03H3/02
摘要：【課題】横方向への振動漏れが抑制された状態で、圧電薄膜素子のQ値を向上させる。【解決手段】圧電単結晶基板201に形成した第1電極202aと、音響反射膜204に形成した第2電極202bとを貼り合わせる(第3工程)。平面視で、第1電極202aの中央部(中心)と第2電極202bの中央部とが重なる状態に位置合わせして貼り合わせる(接合させる)。【選択図】図2C

36. 发明专利

JPWO2018117045A1 熱電材料および熱電モジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018117045A1
公开(公告)日：2019-11-14
申请号：JP2017045378
申请日：2017-12-18
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：横田有為 , 吉川彰 , 堀井滋
IPC分类号： H01L35/26 , H01L35/34 , C04B35/47 , H01L35/22
摘要：【課題】ナノ粒子の原料を製造するプロセスが不要であり、量子閉じ込め効果によって電気伝導度やゼーベック係数を向上させることができ、実用化も期待できる、性能指数を向上した熱電材料および熱電モジュール提供する。【解決手段】第一の結晶相11と、熱電効果を有する第二の結晶相12とを有する構造体から成る。第一の結晶相11は、第二の結晶相12と共晶組織を形成している。構造体の対向する二面で、第一の結晶相11および第二の結晶相12が、それぞれ連続または分散して存在している。第一の結晶相11が第二の結晶相12の周りに位置しており、または、第二の結晶相12が第一の結晶相11の周りに位置しており、且つ、第一の結晶相11が第二の結晶相12の熱伝導度を低下させている、または、第二の結晶相12の電気伝導度もしくはゼーベック係数が増加している。【選択図】図1

37. 发明专利

JPWO2017026257A1 圧電薄膜素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017026257A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017534161
申请日：2016-07-25
申请人：株式会社Piezo Studio , 国立大学法人東北大学
发明人：井上憲司 , 吉川彰 , 大橋雄二 , 横田有為 , 鎌田圭 , 黒澤俊介
IPC分类号： H03H3/02 , H01L41/113 , H01L41/22 , H03H9/17
CPC分类号： H01L41/29 , H01L41/337 , H03H3/02 , H03H9/17
摘要：不要振動が抑制された状態で、圧電薄膜素子のQ値が向上できるようにするために、第1電極(102)に音響反射膜(104)を貼り付けた後、圧電単結晶基板(101)の他方の面(101b)から圧電単結晶基板(101)を研磨して薄層化し、音響反射膜(104)の上に第1電極(102)および圧電薄膜(105)が積層された状態とする。この研磨において、第1電極(102)が形成されている電極形成領域と、この周囲の電極未形成領域とでは、研磨における面(101b)に対する圧力(研磨圧力)が異なる。この結果、圧電薄膜(105)の第1電極(102)が形成されている電極形成領域は、この周囲の電極未形成領域より薄く形成される。

38. 发明专利

JP2017175751A 振動発電素子审中-公开
公开(公告)号：JP2017175751A
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：JP2016058014
申请日：2016-03-23
申请人：国立大学法人東北大学
发明人：大橋雄二 , 井上憲司 , 吉川彰 , 鎌田圭 , 横田有為
IPC分类号： H02N2/18
摘要：【課題】強度の不足なくより高い効率で発電ができるようにする。【解決手段】圧電単結晶体101のコイルバネ100より構成されている。コイルバネ100を構成する圧電単結晶体101の、コイルバネ100の軸芯を通る平面に平行な面の断面における圧電単結晶体101の結晶状態は、コイルバネ100の発電領域において同一(一定)とされている。【選択図】図1

39. 发明专利

JP2021102716A シンチレータおよび放射線検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2021102716A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019234579
申请日：2019-12-25
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：羽豆耕治 , 堀部謙太郎 , 川野哲也 , 山原圭二 , 黒澤俊介 , 吉川彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/08 , G01T1/20 , G21K4/00 , C09K11/67
摘要：【課題】蛍光減衰時間が短く、放射線を照射した際、時間経過後の蛍光強度が小さく、透光性が大幅に改善されたシンチレータを提供することを課題とする。【解決手段】下記の一般式(1)で表されるシンチレータであって、かつ、該シンチレータ中のMgの含有量が100質量ppm以下である、シンチレータ。Q x M y O 3z :A・・・(1)(式(1)中、Qは少なくとも1種以上の二価金属元素を含み、Mは少なくともHfを含み;x、y、zはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、及び0.7≦z≦1.5を満たす。) 【選択図】図1

40. 发明专利

JP2021102715A シンチレータおよび放射線検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2021102715A
公开(公告)日：2021-07-15
申请号：JP2019234578
申请日：2019-12-25
申请人：三菱ケミカル株式会社 , 国立大学法人東北大学
发明人：羽豆耕治 , 堀部謙太郎 , 川野哲也 , 山原圭二 , 黒澤俊介 , 吉川彰
IPC分类号： C09K11/00 , C09K11/08 , G01T1/20 , G21K4/00 , C09K11/67
摘要：【課題】蛍光減衰時間が短く、放射線を照射した際、時間経過後の蛍光強度が小さく、透光性が大幅に改善されたシンチレータを提供することを課題とする。【解決手段】下記の一般式(1)で表されるシンチレータであって、かつ、該シンチレータ中のAlの含有量が1500質量ppm以下である、シンチレータ。Q x M y O 3z :A・・・(1)(式(1)中、Qは少なくとも1種以上の二価金属元素を含み、Mは少なくともHfを含み;x、y、zはそれぞれ独立に0.5≦x≦1.5、0.5≦y≦1.5、及び0.7≦z≦1.5を満たす。) 【選択図】図1

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