会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 24. 发明专利
    • Apparatus for polishing a workpiece surface
    • 空值
    • JP2014511771A
    • 2014-05-19
    • JP2014503032
    • 2012-04-05
    • ディッケル マホ ゼーバッハ ゲーエムベーハー
    • ニュスライン、トビーアス
    • B24B37/00B24B29/00
    • B24B29/04B24B29/00B24B31/116B24B57/02B24D13/147
    • 本発明の主題は、金属工作物表面を研磨するためのデバイスであり、このデバイスは、プログラム制御式フライス盤の回転駆動ワーク・スピンドル1に交換可能に嵌合することができる工具ホルダ4を有し、また工具ホルダ4内に締結される研磨工具10であって、工具シャンク11、12及びその自由端の研磨ヘッド16を含む研磨工具10を有し、また粘性の研磨剤が経由して研磨ヘッド16の有効表面に達する研磨剤供給部を有しており、工具シャンク11、12は、圧力流体を収容することができるとともに少なくとも部分的に研磨剤が充填されるチャンバ32を含み、このチャンバ32がチャネルによって研磨ヘッド16と接続され、研磨ヘッド16は、チャンバ32から押し出される研磨剤のための通路28を含む。
    • 用于抛光金属工件表面的装置。 该装置包括可以可编程地装配到程控铣床的旋转驱动的工作主轴中的工具架,以及固定在工具架中的抛光工具。 该装置还包括在其自由端处的工具柄和抛光头,并且联接到到达抛光头的有效表面的抛光剂供应。 工具柄包含一个腔室,该腔室可承认压力介质并且至少部分地被抛光剂填充,其中该腔室通过通道与抛光头连接,并且其中抛光头具有抛光剂可渗透材料或 它包含被迫离开室的抛光剂的通道。
    • 29. 发明专利
    • Wafer and method of manufacturing same
    • 其制造方法及其制造方法
    • JP2007220974A
    • 2007-08-30
    • JP2006041101
    • 2006-02-17
    • Sumco Corp株式会社Sumco
    • MORITA ETSUROFUJIE KAZUOONO ISOROKU
    • H01L21/304B24D11/00
    • B24B37/042B24D13/147
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a wafer which is capable of effectively removing minute projections of not less than 1 μm on the rear surface of the wafer generated due to retaining by a susceptor, while maintaining excellent flatness in the heat treatment process of the wafer, and the wafer manufactured by the manufacturing method. SOLUTION: In a polishing process for smoothing the predetermined surface of the wafer 6 while supplying polishing solution on a fixed abrasive grain polishing cloth 2, the fixed abrasive grain polishing cloth is provided with urethane bonding material constituted of soft segment having multi-functions isocyanate and hard segment having multi-functions polyole while having expansion ratio of 1.1-4 times, and silica having an average grain size within the range of 0.2-10 μm. In this case, the occupying ratio of the hard segment in the urethane bonding material is 40-55% in molecular weight, and the occupying volumetric ratio of the silica in the whole of fixed abrasive grain polishing cloth is within the range of 20-60% while the shore D-hardness of the fixed abrasive grain polishing cloth is 40-80. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供一种制造晶片的方法,其能够有效地除去由于基座保持而产生的晶片的后表面上的不小于1μm的微小突起,同时保持优异的平坦度 晶片的热处理工艺和通过制造方法制造的晶片。 解决方案:在将抛光溶液供给到固定磨粒抛光布2上的同时平滑晶片6的预定表面的抛光工艺中,固定磨粒抛光布设置有由具有多层结构的软段构成的聚氨酯粘结材料, 具有多功能聚烯烃的异氰酸酯和硬链段,发泡倍率为1.1-4倍,二氧化硅的平均粒径在0.2-10μm的范围内。 在这种情况下,聚氨酯接合材料中的硬链段的占有率分子量为40-55%,整个固定磨粒抛光布中二氧化硅的占有体积比在20-60 %,固定磨粒抛光布的岸硬度为40-80。 版权所有(C)2007,JPO&INPIT