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21. 发明专利

JP2015195140A フレキシブル有機EL表示装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造柔性有机EL显示装置的方法
公开(公告)号：JP2015195140A
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：JP2014073136
申请日：2014-03-31
申请人：株式会社東芝
发明人：坂野竜則 , 三浦健太郎 , 上田知正 , 斉藤信美 , 中野慎太郎 , 前田雄也 , 山口一
IPC分类号： H01L51/50 , H05B33/12 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： H01L27/322 , H01L51/003 , H01L51/0097
摘要：【課題】トップエミッション構造を採用した、カラー画像を表示可能なフレキシブル有機EL表示装置の製造を容易にする。【解決手段】フレキシブル有機EL表示装置の製造方法は、積層構造2に、透明基板21側からレーザビームLBを照射することにより、樹脂層23と金属層22との間で層間剥離を生じさせて、積層体2aを積層体2bから分離する工程と、積層体2aの金属層22を酸化させて、金属層22が酸化された積層体2aをカラーフィルタ基板として得る工程と、透明基板上に、金属層、プラスチック基板、及び有機EL素子が形成された積層構造と、カラーフィルタ基板2aとを、有機EL素子と酸化された金属層22とが向き合うように配置した状態で位置合わせする工程とを含む。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了便于制造具有能够显示彩色图像的采用的顶部发射结构的柔性有机EL显示装置。解决方案：一种用于制造柔性有机EL显示装置的方法，包括以下步骤：层叠结构体2与来自透明基板21侧的激光束LB，从而在树脂层23与金属层22之间产生层间剥离，从层压体2b分离层叠体2a; 氧化层叠体2a的金属层22，得到具有作为滤色器基板2a的氧化金属层22的层叠体2a; 并且在有机EL器件和氧化金属层22被设置为面对的状态下，在透明衬底上定位具有所形成的金属层的层压结构，塑料衬底和具有滤色器衬底2a的有机EL器件彼此。

22. 发明专利

JP5779161B2 薄膜トランジスタおよび表示装置有权
标题翻译：薄膜晶体管和一个显示装置
公开(公告)号：JP5779161B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2012213081
申请日：2012-09-26
申请人：株式会社東芝
发明人：中野慎太郎 , 三浦健太郎 , 斉藤信美 , 坂野竜則 , 上田知正 , 山口一
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/283 , H01L51/50 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7869

23. 发明专利

JP2015149414A 半導体装置及び撮像装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和成像装置
公开(公告)号：JP2015149414A
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：JP2014021752
申请日：2014-02-06
申请人：株式会社東芝
发明人：中野慎太郎 , 斉藤信美 , 三浦健太郎 , 前田雄也
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/14 , H01L21/314 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/14 , H01L27/14616 , H01L29/247 , H01L29/41733 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02554 , H01L21/02565
摘要：【課題】実施形態は、高集積化されその機能を向上させた半導体装置及び撮像装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、機能素子を含む基板と、前記基板の上に設けられた薄膜トランジスタと、を備える。前記薄膜トランジスタは、第1部分と、前記第1部分と離間する第2部分と、前記第1部分と前記第2部分との間に設けられた第3部分と、を有する酸窒化物半導体層と、前記第1部分と電気的に接続された第1導電層と、前記第2部分と電気的に接続された第2導電層と、前記第3部分と離間したゲート電極と、前記第3部分と前記ゲート電極との間に設けられた第1絶縁層と、を含む。前記酸窒化物半導体層は、インジウム、ガリウム、亜鉛および窒素を含み、窒素の含有量が2原子%以下であり、ガリウムの含有量が窒素の前記含有量よりも多い。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供高度集成并具有改进功能的半导体器件; 并提供成像装置。解决方案：根据实施例的半导体器件包括：包括功能元件的衬底; 以及设置在基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：氧氮化物半导体层，其包括第一部分，与第一部分分离的第二部分和设置在第一部分和第二部分之间的第三部分; 电连接到第一部分的第一导电层; 电连接到第二部分的第二导电层; 与第三部分分离的栅电极; 以及设置在第三部分和栅电极之间的第一绝缘层。氧氮化物半导体层包含铟，镓，锌和氮。氮的含量为2原子％以下，镓的含量大于氮的含量。

24. 发明专利

JP2020031235A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020031235A
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：JP2019209110
申请日：2019-11-19
申请人：株式会社東芝
发明人：齋藤尚史 , 蔵口雅彦 , 清水達雄 , 中野慎太郎
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/06 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/338
摘要：【課題】閾値変動が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の窒化物半導体層と、第1の窒化物半導体層上に設けられたソース電極と、第1の窒化物半導体層上に設けられたドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極の間に設けられたゲート電極と、ゲート電極上に設けられ、シリコンとアルミニウムと酸素と窒素を含む第1の膜と、ゲート電極と第1の膜の間に設けられた第2の膜と、第1の膜上に設けられた第3の膜と、を備える。【選択図】図1

25. 发明专利

JP6567468B2 半導体装置、電源回路、及び、コンピュータ有权
公开(公告)号：JP6567468B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2016121786
申请日：2016-06-20
申请人：株式会社東芝
发明人：中野慎太郎 , 清水達雄
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316 , H01L21/338

26. 发明专利

JP6240017B2 半導体装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6240017B2
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：JP2014072549
申请日：2014-03-31
申请人：株式会社東芝
发明人：前田雄也 , 中野慎太郎 , 斉藤信美 , 山口一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , H01L29/24 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L29/512 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L21/8258 , H01L27/0688

27. 发明专利

JP6190228B2 半導体装置及び撮像装置有权
公开(公告)号：JP6190228B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2013196706
申请日：2013-09-24
申请人：株式会社東芝
发明人：中野慎太郎 , 上田知正 , 三浦健太郎 , 斉藤信美 , 坂野竜則 , 前田雄也 , 熱田昌己 , 山口一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/28 , H01L27/146 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/14603 , H01L27/14632 , H01L29/78636 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L27/14643

28. 发明专利

JP2016154213A 半導体発光装置审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：JP2016154213A
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：JP2015239298
申请日：2015-12-08
申请人：株式会社東芝
发明人：斉藤信美 , 小野富男 , 木村重哉 , 田島純平 , 三浦健太郎 , 中野慎太郎 , 前田雄也
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/38 , H01L29/786 , H01L33/02
摘要：【課題】高精細な半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光装置110は、第1導電形の第1半導体層11と、第2導電形の第2半導体層12と、第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられた第3半導体層13と、第1トランジスタ20と、を備える。第1トランジスタは、第1ゲート電極G1と、第1アモルファス半導体層と、を含む。第1アモルファス半導体層は、第1半導体層から第2半導体層に向かう第1方向において第1ゲート電極と重なる。第1ゲート電極は、第1方向において第2半導体層と重なる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种高分辨率半导体发光器件。解决方案：半导体发光器件110包括：第一导电类型的第一半导体层11; 第二导电类型的第二半导体层12; 设置在第一半导体层和第二半导体层之间的第三半导体层13; 和第一晶体管20.第一晶体管包括第一栅电极G1和第一非晶半导体层。第一非晶半导体层在从第一半导体层朝向第二半导体层的第一方向上与第一栅电极重叠。第一栅电极在第一方向上与第二半导体层重叠。选择图：图1

29. 发明专利

JP2016072499A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016072499A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：JP2014201879
申请日：2014-09-30
申请人：株式会社東芝
发明人：百瀬寿代 , 大黒達也 , 諸岡哲 , 深瀬和也 , 中野慎太郎 , 前田雄也 , 鳥山周一 , 神例信貴
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/522 , H01L29/786
摘要：【課題】閾値電圧の劣化を抑制し良好なトランジスタ動作する半導体装置を提供する。【解決手段】ゲート電極10と、第1の絶縁膜210(ゲート絶縁膜)と、酸化物半導体膜220と、第2の絶縁膜230と、ソース電極13と、ソース配線12と、ドレイン電極15と、ドレイン配線14と、を備えている。第1の絶縁膜は、ゲート電極上に配置される。酸化物半導体膜は、第1の絶縁膜上に配置される。第2の絶縁膜は、酸化物半導体膜上に配置される。ソース電極は、第2の絶縁膜中に配置されて酸化物半導体膜に接続される。ソース配線は、チャネル部上に重ならないように第2の絶縁膜上に配置され、ソース電極に接続される。ドレイン電極は、第2の絶縁膜中に配置されて酸化物半導体膜に接続される。ドレイン配線は、チャネル部上に重ならないように第2の絶縁膜上に配置され、ドレイン電極に接続される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制阈值电压劣化以实现良好的晶体管操作的半导体器件。解决方案：半导体器件包括栅电极10，第一绝缘膜210（栅极绝缘膜），氧化物半导体膜220 第二绝缘膜230，源电极13，源极配线12，漏电极15和漏极布线14.第一绝缘膜设置在栅电极上。氧化物半导体膜设置在第一绝缘膜上。第二绝缘膜设置在氧化物半导体膜上。源电极设置在第二绝缘膜中以与氧化物半导体膜连接。源极布线布置在第二绝缘膜上，以便不与要连接到源电极的沟道部重叠。漏极布置在第二绝缘膜中以与氧化物半导体膜连接。漏极布线布置在第二绝缘膜上，以便不与要连接到漏电极的沟道部重叠。选择的图：图1

30. 发明专利

JP2015204498A 光検出器有权
标题翻译：照相机
公开(公告)号：JP2015204498A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2014082263
申请日：2014-04-11
申请人：株式会社東芝
发明人：斉藤信美 , 舟木英之 , 木村俊介 , 中野慎太郎 , 河田剛 , 長谷川励
IPC分类号： H01L27/144 , G01T1/20 , A61B6/03 , H01L31/10 , H04N5/369 , H04N5/32
CPC分类号： H04N5/378 , G01T1/208 , G01T1/248 , H01L27/14607 , H01L27/14636 , H01L31/107
摘要：【課題】高計数率での計測が可能な光検出器を提供する。【解決手段】入射する光を電荷に変換した検出信号を出力する複数の光電変換部50と、光電変換部50の出力端に直列接続された抵抗51と、抵抗51に対して並列接続されており、検出信号に応じて、光電変換部50の出力端をリセットレベルとするリセット部53を有する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供能够以高计数率进行测量的光电检测器。解决方案：光电检测器包括：多个光电转换器50，用于输出通过将入射光转换成电荷而获得的检测信号; 串联连接到每个光电转换器50的输出端的电阻51; 以及复位单元53，其并联连接到电阻器51，并且响应于检测信号将光电转换器50的输出端子复位到复位电平。

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