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21. 发明专利

JP2018080072A SiC単結晶複合体及びSiCインゴット审中-公开
公开(公告)号：JP2018080072A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2016222273
申请日：2016-11-15
申请人：昭和電工株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤川陽平 , 上東秀幸
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】高品質なSiCウェハを提供することを目的とする。【解決手段】このSiC単結晶複合体は、平面視中央に位置する中央部と、前記中央部の外周を囲繞する外周部と、を備え、前記中央部と前記外周部とは、結晶面が傾いている又は異なっており、前記中央部と前記外周部との間には境界があり、前記境界を介して前記中央部を構成する結晶の方向と、前記外周部を構成する結晶の方向とが異なっている。【選択図】図1

22. 发明专利

JP2017109912A SiCシード、SiCインゴット、SiCウェハ、半導体デバイス及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017109912A
公开(公告)日：2017-06-22
申请号：JP2015247970
申请日：2015-12-18
申请人：昭和電工株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：古谷優貴 , 上東秀幸
IPC分类号： C30B29/36
摘要：【課題】チップ化された領域内における結晶転位及び結晶欠陥の存在比率を低減することを目的とする。【解決手段】本発明のSiCシードは、{0001}面に対する傾斜角θが何れの方向にも2°未満である初期ファセット形成面を備え、前記初期ファセット形成面は、第1の方向に延在する第1の螺旋転位発生ラインを有する。【選択図】図1

23. 发明专利

JP2016096247A 半導体基板およびその製造方法有权
标题翻译：半导体基板及其制造方法
公开(公告)号：JP2016096247A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2014231601
申请日：2014-11-14
申请人：株式会社デンソー
发明人：上東秀幸 , 原一都 , 内藤正美 , 藤林裕明
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/20 , C23C16/42 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要：【課題】エピタキシャル成長によるSiC膜中の積層欠陥を抑制する。【解決手段】SiC膜の形成初期時に混合ガスにIII族元素を含むガスを含有させる。これにより、ClがIII族元素と結合し、Clによるエッチング効果が抑制される。したがって、螺旋転位10bなどの先端位置でSiC基板が部分的に除去されることが抑制され、表面の平坦性が確保される。そして、III族元素が含まれた被覆層がSiC基板の表面に形成される。また、被覆層が形成されることでSiC基板の表面が覆われたら、その後はIII族元素を含むガスを導入しなくても、螺旋転位などの線状欠陥の先端においてSiC膜が部分的に除去されることを抑制できる。よって、被覆層の表面においては、III族元素をほとんど含まずにV族元素が含まれたn型SiCによってSiC膜が構成され、SiC基板の表面に積層欠陥が抑制されたSiC膜を形成した半導体基板を製造できる。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：抑制由外延生长引起的SiC膜中的堆垛错误。解决方案：在半导体制造方法中，在SiC膜的形成初始时间中，混合气体中含有含有III族元素的气体。通过这样做，Cl与III族元素结合，并且Cl的蚀刻效果被抑制。因此，能够抑制在诸如螺旋位错10b的尖端位置处的SiC基板的部分去除，并且确保了表面平坦度。在SiC衬底的表面上形成含有III族元素的涂层。当通过形成涂层来涂覆SiC衬底的表面时，可以在不引入含有III族元素的气体的情况下抑制在诸如螺旋位错的线性缺陷的尖端处的SiC膜的部分去除。因此，在涂层的表面上，SiC膜由几乎不含III族元素但含有V族元素的N型SiC形成，并且在其上形成具有较少堆叠的SiC膜的半导体基板可以制造SiC衬底的表面。选择图：图2

24. 发明专利

JP5811977B2 炭化珪素半導体装置有权
公开(公告)号：JP5811977B2
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：JP2012204595
申请日：2012-09-18
申请人：株式会社デンソー
发明人：上東秀幸 , 内藤正美 , 森野友生
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/265 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/0692 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/045

25. 发明专利

JP2020107635A 結晶性酸化物半導体审中-公开
公开(公告)号：JP2020107635A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2018242290
申请日：2018-12-26
申请人：株式会社FLOSFIA , 株式会社デンソー
发明人： ▲高▼橋勲 , 鳥山達矢 , 杉本雅裕 , 四戸孝 , 上東秀幸 , 大原淳士 , 廣瀬富佐雄 , 松木英夫
IPC分类号： H01L21/368 , H01L29/12 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/337 , H01L29/808 , H01L23/34 , H01L23/29 , C30B29/16 , C30B25/18 , C23C16/40 , H01L33/26 , H01L21/365
摘要：【課題】放熱性が求められる半導体装置等に有用な、結晶品質に優れた結晶性酸化物半導体を提供する。【解決手段】第1の結晶軸と第2の結晶軸とを少なくとも含む結晶性酸化物半導体を形成する際に、第2の辺を第1の辺よりも短くし、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数を第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向を第1の結晶軸方向と平行または略平行とし、第2の辺方向を第2の結晶軸方向と平行または略平行とすることで、第1の辺と、第1の辺よりも短い第2の辺とを少なくとも含み、第1の結晶軸方向の線熱膨張係数が、第2の結晶軸方向の線熱膨張係数よりも小さく、第1の辺方向が第1の結晶軸方向と平行または略平行であり、第2の辺方向が第2の結晶軸方向と平行または略平行である結晶性酸化物半導体を得る。【選択図】なし

26. 发明专利

JP2019218229A 炭化珪素単結晶およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019218229A
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：JP2018116384
申请日：2018-06-19
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所
发明人：徳田雄一郎 , 上東秀幸 , 星乃紀博 , 鎌田功穂 , 土田秀一
IPC分类号： C30B25/02 , C30B29/36
摘要：【課題】転位の発生や増殖を抑制することができるSiC単結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶6の成長中に重金属元素を添加し、その添加密度を1×10 15 cm −3 以上とする。このような構成のSiC単結晶6は、成長中に生じる熱応力による転位が発生しにくくされたものである。このため、SiC単結晶6をスライスしてウェハとし、その上にSiC層をエピタキシャル成長させる場合にも、転位が発生しにくくなる。このような構成とすることにより、転位の発生や増殖を抑制することができるSiC単結晶とすることが可能となる。【選択図】図1

27. 发明专利

JP2019140242A 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019140242A
公开(公告)日：2019-08-22
申请号：JP2018022211
申请日：2018-02-09
申请人：株式会社デンソー
发明人：上東秀幸
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/20 , H01L21/322 , C30B29/36 , C30B23/06 , C30B25/20 , H01L29/78
摘要：【課題】再結合促進層を備えなくても再結合エネルギーによる素子動作に及ぼす影響を低減することができるSiC半導体基板およびSiC半導体装置を提供する。【解決手段】n型不純物がドープされることでn型とされ、比抵抗が30mΩcm以下、かつ、n型に対する少数キャリアとなる正孔のライフタイムが100nsec以下とされたn + 型基板1を含むSiC半導体基板とする。【選択図】図1

28. 发明专利

JP6540270B2 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置有权
公开(公告)号：JP6540270B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015126930
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：内藤正美 , 藤林裕明 , 原一都 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： C23C16/42 , C23C16/455 , H01L21/205

29. 发明专利

JP2018104225A SiCインゴットの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018104225A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2016251169
申请日：2016-12-26
申请人：昭和電工株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤川陽平 , 上東秀幸
IPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
CPC分类号： C30B23/06 , C30B29/36
摘要：【課題】スリップバンドの発生を抑制できるSiCインゴットの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】このSiCインゴットの製造方法は、{0001}面に対しオフセット角を有する主面上に結晶を成長させる結晶成長工程を有し、少なくとも前記結晶成長工程の前記結晶が前記主面から7mm以上成長した後の後半成長工程において、オフセット方向に沿って切断した切断面に対し垂直で、かつ、結晶成長面の中心と結晶成長面のオフセット下流端部のいずれも通る傾斜面と、前記{0001}面とのなす鋭角を、オフセット角より2°小さい角度以上8.6°以下とする。【選択図】図1

30. 发明专利

JP2017011184A 炭化珪素半導体のエピタキシャル成長装置审中-公开
标题翻译：碳化硅半导体外延生长装置
公开(公告)号：JP2017011184A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015126931
申请日：2015-06-24
申请人：株式会社デンソー , 一般財団法人電力中央研究所 , 昭和電工株式会社
发明人：原一都 , 内藤正美 , 藤林裕明 , 土田秀一 , 鎌田功穂 , 伊藤雅彦 , 深田啓介 , 上東秀幸
IPC分类号： H01L21/205
摘要：【課題】SiC半導体のエピタキシャル成長時のAlのドーピング濃度を安定化する装置を提供する。【解決手段】第1ガス導入管4と第2ガス導入管5を分け、Alが含まれるp型不純物のドーパントガスが導入される第2ガス導入管5側にAlを除去できるエッチングガスを導入する。これにより、第2ガス導入管5の内壁面にAlが付着しようとしても、エッチングガスによって除去され、Alの付着を抑制できる。付着したAlの再蒸発や剥がれを抑制し、エピタキシャル成長するSiC半導体層10中に余分なAlが取り込まれることを抑制する。【選択図】図1
摘要翻译：在SiC半导体外延生长的Al稳定的掺杂浓度的装置。第一气体导入管4划分的第二气体导入管5，能够引入的p型杂质，其包括Al的第二气体入口管5侧的掺杂剂气体中除去的Al的蚀刻气体引入到。因此，即使试图附着Al为第二气体入口管5的内壁表面上，通过蚀刻气体中除去，可以抑制Al的粘附性。连接并再蒸发和Al的剥离抑制，防止了过量的Al外延生长在SiC半导体层10中掺入。点域1

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