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    • 21. 发明专利
    • 半導体装置
    • JP2021057362A
    • 2021-04-08
    • JP2019176108
    • 2019-09-26
    • 株式会社デンソー
    • 岩橋 清太平野 敬洋田中 裕貴
    • H01L23/48
    • 【課題】第1金属板と導体ブロックとの間のはんだ層における電流集中を抑制し得る。 【解決手段】半導体装置は、上面電極及び下面電極を備える半導体素子と、上面電極に接合材を介して接合された金属ブロックと、金属ブロックに接続される第1金属板と、下面電極に接合材を介して接合された第2金属板とを備える。第1金属板には、第1電力端子が接続されており、第2金属板には、第2電力端子が接続されている。第1電力端子及び第2電力端子は、半導体素子に対して同一方向に設けられている。金属ブロックの側面の少なくとも二つの角部には、第1の寸法で面取りされた第1の角部と、第2の寸法で面取りされた第2の角部とが含まれる。第1の角部は、第1電力端子及び第2電力端子側に位置し、第2の角部は第1の角部の反対側に位置しており、第1の寸法は、第2の寸法よりも大きい。 【選択図】図4