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21. 发明专利

JP2020050911A めっき装置およびそれを用いためっき方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020050911A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018181156
申请日：2018-09-27
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：菊池恭平
IPC分类号： C25D7/06
摘要：【課題】板状の素材をその幅方向が鉛直方向になる状態で搬送しながらめっきする装置において、素材の鉛直方向下側部に、その素材の長手方向に互いに一定の間隔で離間して幅方向に延びる複数のピンを形成し、その素材の鉛直方向下端を外周面で支持する支持ロールを設けた場合に、素材が搬送される間に、素材のピンが支持ロールの外周面との抵抗により撓んで、隣接するピン同士が接触するのを防止することができる、めっき装置およびそれを用いためっき方法を提供する。【解決手段】素材10の鉛直方向下端を外周面で支持する支持ロール22の両側面22aの間でその両側面22aに対して略垂直方向に延びるように外周面に互いに一定の間隔で離間して複数の溝部22bを形成し、素材10が搬送される間に素材10の複数のピン10aの各々が支持ロール22の複数の溝部22bの各々に順次収容されるようにする。【選択図】図2

22. 发明专利

JP6576079B2 低Pb黄銅棒材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6576079B2
公开(公告)日：2019-09-18
申请号：JP2015074858
申请日：2015-04-01
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：野中勉 , 山岸義統
IPC分类号： C22F1/08 , C22C9/04

23. 发明专利

JP2019151871A めっき材审中-公开
公开(公告)号：JP2019151871A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018036264
申请日：2018-03-01
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：篠原圭介 , 荒井健太郎
IPC分类号： C25D5/12 , C25D7/00 , H01R13/03 , H01H1/023 , H01H1/04 , C25D5/10
摘要：【課題】基材上に形成されたAgめっき皮膜上にAuめっき皮膜が形成され、摩擦係数が低く且つ耐摩耗性に優れためっき材を提供する。【解決手段】銅または銅合金からなる導電性基材上にAgめっき皮膜が形成され、このAgめっき皮膜上にAuめっき皮膜が形成されためっき材において、Agめっき皮膜のビッカース硬さが110HV以上であり、Agめっき皮膜の厚さが0.5〜10μm、Auめっき皮膜の厚さが0.01〜1μmである。【選択図】なし

24. 发明专利

JP6573503B2 Cu−Ni−Co−Si系高強度銅合金薄板材およびその製造方法並びに導電ばね部材有权
公开(公告)号：JP6573503B2
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：JP2015164471
申请日：2015-08-24
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：首藤俊也 , 須田久 , 佐々木史明
IPC分类号： C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22C9/06

25. 发明专利

JP2019141879A アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019141879A
公开(公告)日：2019-08-29
申请号：JP2018028407
申请日：2018-02-21
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：丸山昂洋 , 結城整哉
IPC分类号： C22C21/00 , C22C1/02 , H01L23/12 , C04B37/02 , H05K3/14 , B22D27/20 , B22D19/00
摘要：【課題】セラミックス基板に接合するアルミニウム板の導電率とビッカース硬さを維持しながらアルミニウムの結晶粒を微細化することができる、アルミニウム−セラミックス接合基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】溶湯保持炉内に投入した固体のアルミニウムと固体のAl−Ti−B合金を加熱して溶融させて、0.01〜0.2質量%のTiと0.001〜0.1質量%のBを含み、残部がAlと不可避不純物からなる溶湯を得た後、この溶湯を、鋳型10内に配置されたセラミックス基板の一方の面に接触するように注湯した後に冷却して固化させることにより、セラミックス基板の一方の面にアルミニウム回路板を形成して直接接合させる。【選択図】図1

26. 发明专利

JP6543138B2 Snめっき材およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6543138B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015169490
申请日：2015-08-28
申请人： DOWAメタルテック株式会社 , 矢崎総業株式会社
发明人：村田達則 , 小谷浩隆 , 遠藤秀樹 , 菅原章 , 豊泉隼 , 近藤貴哉 , 岸端裕矢
IPC分类号： C25D5/12 , C25D5/50 , H01R13/03 , C22C9/02 , C22C9/06 , C22C13/00 , C22F1/08 , C22F1/02 , C22F1/16 , C25D7/00

27. 发明专利

JP6533402B2 Cu−Ni−Si系銅合金板材およびその製造方法並びにリードフレーム有权
公开(公告)号：JP6533402B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2015059909
申请日：2015-03-23
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：首藤俊也 , 佐々木史明 , 水島孝
IPC分类号： C22C9/04 , C22C9/10 , C22F1/08 , H01B1/02 , H01B5/02 , H01B13/00 , C22C9/06

28. 发明专利

JP2019073771A Snめっき材およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019073771A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：JP2017200789
申请日：2017-10-17
申请人： DOWAメタルテック株式会社 , 矢崎総業株式会社
发明人：成枝宏人 , 冨谷隆夫 , 園田悠太 , 小谷浩隆 , 近藤貴哉 , 島田知弘 , 豊泉隼 , 伊藤義貴
IPC分类号： C25D5/12 , C25D7/00 , H01R13/03 , C25D5/50
摘要：【課題】挿抜可能な接続端子として使用した際の挿入力が低く且つ外観が良好なSnめっき材およびそのSnめっき材を低コストで製造する方法の提供。【解決手段】銅又は銅合金からなる基材10の表面に、Niめっき層18とCuめっき層20aとSnめっき層20bをこの順で形成した後、100〜220℃の温度で保持する熱処理を行うことにより、熱処理前のSnめっき層の平均厚さに対する熱処理後のSnめっき層20bの平均厚さの比が0.85以下になるようにSnめっき層20bの平均厚さを減少させ、その後、リフロー処理を行った後に冷却することにより、基材10の表面にNi及びCu−Ni合金の少なくとも一方からなる下地層18を形成するとともに、Cu−Sn系合金層20aとこのCu−Sn系合金層の最表面の凹部内に形成されたSnからなるSn層20bとからなる最表層20を形成する方法。【選択図】図3

29. 发明专利

JP2019067845A 金属−セラミックス接合回路基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019067845A
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：JP2017189598
申请日：2017-09-29
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：出野尭
IPC分类号： H05K3/00 , H01L23/12
摘要：【課題】金属−セラミックス接合回路基板の大きさや回路パターンの形状が決定した後に、短期間で金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミックス基板の一方の面に金属板を配置して、セラミックス基板に金属板を接合した後、金属板の略全面にレジストを形成し、このレジストにレーザー照射することによりレジストの所定の部分を除去して回路パターン形成用レジストを形成し、金属板の不要な部分をエッチングした後、回路パターン形成用レジストを除去して複数の回路パターン12を形成し、その後、単結晶ダイヤモンドの回転刃により、セラミックス基板の一方の面の隣接する回路パターンの間にスクライブラインを形成し、このスクライブラインに沿ってセラミックス基板を分割する。【選択図】図1

30. 发明专利

JP2019044262A 部分めっき方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019044262A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2018138968
申请日：2018-07-25
申请人： DOWAメタルテック株式会社
发明人：篠原圭介 , 荒井健太郎 , 足達俊祐
IPC分类号： C25D5/12 , C25D13/06 , C23C18/18 , B23K26/361 , B23K26/00 , C25D5/02
摘要：【課題】長手方向に沿って連続的に搬送される帯板状の条材上の小さな領域にめっき皮膜を形成する場合に、条材の搬送速度を低下させたり搬送経路を長くしなくても、十分な位置精度で比較的均一な厚さのめっき皮膜を形成することができる、部分めっき方法を提供する。【解決手段】基材の表面にポジ型レジストなどのアルカリ剥離型の電着レジスト皮膜を形成し、この電着レジスト皮膜の所定の部分を(YVO 4 レーザーマーカーのような波長300〜1200nmのレーザーマーカーなどの)レーザー加工機により除去して、電着レジスト皮膜を貫通する開口部を形成し、この電着レジスト皮膜の開口部にめっき皮膜を形成した後、電着レジスト皮膜をアルカリ溶液に溶解させることにより剥離する。【選択図】図1

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